반응장치, 단열용기, 발전장치 및 전자기기

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 용기의 내면에는 열반사막을 구비하고,상기 제 1 영역은 상기 열반사막이 있는 영역이며,상기 제 2 영역은 상기 열반사막에 설치된 개구부에 대응하는영역인것을특징으로 하는반응장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 용기의 내면에는 열반사막과,상기 열반사막보다 열선 반사율이 낮고, 상기 반응장치 본체부로부터 복사되는 열선의 적어도 일부를 흡수하는 열흡수막을 구비하며,상기 제 1 영역은 상기 열반사막이 노출되어 있는 영역이고,상기 제 2 영역은 상기 열반사막과 상기 열흡수막이 겹친부분영역인것을특징으로 하는반응장치. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 열반사막은 상기 용기의 대략 내면 전체면에 설치되고,상기 열흡수막은상기열반사막의내측설치되어있는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 5] 제 3 항에 있어서,상기 열흡수막의 흡수계수와 막두께의 곱은대략3이상인것을특징으로 하는반응장치. [청구항 6] 제 3 항에 있어서,상기 열흡수막은본질적하나로이루어지는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 7] 제 3 항에 있어서,상기 열흡수막은 본질적으로 ta-si-o-n계의 비정질 반도체로 이루어지며, 그흡수계수이상인것을특징으로 하는반응장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기ta-si-o-n계의비정질반도체의몰비범위인것을특징으로 하는반응장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 용기의 내면에는,상기 반응장치 본체부로부터 복사되는 열선의 적어도 일부를 흡수하는 열흡수막과,상기 열흡수막보다 열선 반사율이 높은 열반사막을 구비하며,상기 제 1 영역은 상기 열흡수막과 상기 열반사막이 겹친 부분의 영역이고,상기 제 2 영역은 상기 열흡수막이 노출된부분영역인것을특징으로 하는반응장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 열흡수막의 흡수계수와 막두께의 곱은대략3이상인것을특징으로 하는반응장치. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 열흡수막은본질적하나로이루어지는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,상기 열흡수막은 본질적으로 ta-si-o-n계의 비정질 반도체로 이루어지고, 그흡수계수이상인것을특징으로 하는반응장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기ta-si-o-n계의비정질반도체의몰비범위인것을특징으로 하는반응장치. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기 반응장치본체부는 수소를 포함하는 탄소화합물과 물의 혼합물로부터 수소를 발생시키는개질기포함하는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 열반사막은 본질적으로, 금, 알루미늄, 은 및 동의 어느 하나로 이루어지는 막에 의해서형성되어있는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,상기 반응장치본체부는 제 1 온도로 설정되고 제 1 반응물의 반응을 일으키는 제 1 반응부와, 상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 설정되고 제 2 반응물의 반응을 일으키는 제 2 반응부를 가지며,상기 방열촉진부는 상기 제 2 반응부에 대향하는영역설치되어있는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 제 1 반응부는 기화된 탄화수소계의 액체연료가 반응물로서 공급되고 해당 반응물로부터 수소를 포함하는 가스를 반응생성물로서 생성하는 개질기를 가지며,상기 제 2 반응부는 상기 반응생성물이 반응물로서 공급되고 해당 반응생성물에 포함되는 일산화탄소를 제거하는일산화탄소 제거갖는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,상기 제 1 반응부와 상기 제 2 반응부가 이간되어 배치되고,상기 반응장치 본체부는 상기 제 1 반응부와 상기 제 2 반응부를 연통하는연결부를추가구비하는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 제 1 반응부와 상기 제 2 반응부의 사이에는 단열실구비하는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 22] 제 20 항에 있어서,상기 반응장치본체부는 상기 제 1 반응부에 열을 공급해서 상기 제 1 반응부를 상기 제 1 온도로 설정하는 동시에, 상기 연결부를 통하여 상기 제 2 반응부를 상기 제 2 온도로 설정하는가열부구비하는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 23] 제 16 항에 있어서,상기 방열촉진부는 상기 열반사막에 설치된개구인것을특징으로 하는반응장치. [청구항 24] 제 16 항에 있어서,상기 반응장치본체부를 내부에 수용하고 상기 열반사막보다도 열선 반사율이 낮은 용기를 추가로 구비하며,상기 열반사막은 상기 용기의 내벽면설치되어있는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,상기 용기는유리제인것을특징으로 하는반응장치. [청구항 26] 제 24 항에 있어서,상기 용기내는진공압있는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 27] 제 24 항에 있어서,상기 반응장치본체부와 상기 용기의 사이를 접속해서 해당 반응장치 본체부를 지지하는지지부를추가구비하는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 28] 제 27 항에 있어서,상기 지지부는 상기 반응장치 본체부에서의 반응에 이용되는 반응물을 상기 용기의 외부로부터 해당 반응장치 본체부에 공급하는 동시에, 상기 반응장치 본체부내에서의 반응에 의해 생기는 생성물을 상기 용기의 외부로 배출하기 위한복수의유로구비하는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 29] 제 27 항에 있어서,상기 반응장치본체부는, 제 1 온도로 설정되고 제 1 반응물의 반응을 일으키는 제 1 반응부와,상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 설정되고 제 2 반응물의 반응을 일으키는 제 2 반응부를 가지며,상기 방열촉진부는 상기 제 2 반응부에 대향하는 영역에 설치되고,상기 지지부는 상기 반응장치 본체부의상기제2반응부측의일단부설치되어있는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 30] 제 24 항에 있어서,상기 반응장치본체부 및 상기 용기는,상기 용기를 형성하는 한쌍의 상부기판 및 하부기판과,상기 반응장치 본체부를 형성하는 본체부 및 이 본체부의 외측에 이간해서 상기 용기를 형성하는 틀부를 구비하는 중간기판을 포함하는 복수의 기판이 적층되어형성되는것을특징으로 하는반응장치. [청구항 31] 제 30 항에 있어서,상기 반응장치본체부를 형성하는 다른중간기판구비하는것을특징으로 하는반응장치.