문맥 (context)
[청구항7]
실리콘계 기판 상에 반도체층이 에피택셜 성장된 반도체 에피택셜 웨이퍼로서,
상기 반도체 에피택셜 웨이퍼의 외주부에 있어서, 상기 반도체층의 적어도 일부가 제거되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 에피택셜 웨이퍼
[청구항8]
제7항에 있어서,상기 반도체층의 적어도 일부가 제거되어 있는 부분이경면또는준경면있는것을특징으로 하는반도체 에피택셜 웨이퍼.
[청구항9]
제7항 또는 제8항에 있어서,상기 반도체층의 적어도 일부가 제거되어 있는 부분은,상기실리콘계기판노출되어있는것을특징으로 하는반도체 에피택셜 웨이퍼.
[청구항10]
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층이질화물반도체로이루어진것을특징으로 하는반도체 에피택셜 웨이퍼.
[청구항11]
제10항에 있어서,상기 질화물 반도체가, aln, gan, inn, 또는 이들의 혼정 중 어느1개이상인것을특징으로 하는반도체 에피택셜 웨이퍼.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 에피택셜 웨이퍼의 외주부에서 반도체층의 일부가 제거되었을 때, 해당 부분의 표면 상태와 노출되는 대상은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation반도체 에피택셜 웨이퍼 외주부의 반도체층 제거 시 발생하는 표면 상태와 노출되는 구성 요소를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 7, 8, 9에서 외주부의 반도체층 제거 상태, 표면 특성, 노출 대상을 추출한다.
- 상기 반도체 에피택셜 웨이퍼의 외주부에 있어서, 상기 반도체층의 적어도 일부가 제거되어 있는
- 상기 반도체층의 적어도 일부가 제거되어 있는 부분이경면또는준경면있는것
- 상기 반도체층의 적어도 일부가 제거되어 있는 부분은,상기실리콘계기판노출되어있는것
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3근거 선택
evidence_selection표면 상태를 나타내는 '경면 또는 준경면'과 노출 대상을 나타내는 '실리콘계 기판'을 핵심 근거로 선택한다.
- 경면또는준경면
- 실리콘계기판노출되어있는것
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4논리 통합
logical_integration반도체층이 제거된 부분의 물리적 특성(경면/준경면)과 그로 인해 드러나는 하부 구조(실리콘계 기판)를 결합한다.
- 경면또는준경면
- 실리콘계기판노출되어있는것
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5결론 도출
conclusion_formulation반도체층의 일부가 제거된 부분은 경면 또는 준경면의 상태를 가지며, 실리콘계 기판이 노출된다는 결론을 도출한다.
- 경면또는준경면
- 실리콘계기판노출되어있는것
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6답변 생성
answer_generation질문에 적합하도록 정리된 답변을 작성한다.
근거 (evidence)
- 상기 반도체 에피택셜 웨이퍼의 외주부에 있어서, 상기 반도체층의 적어도 일부가 제거되어 있는
- 상기 반도체층의 적어도 일부가 제거되어 있는 부분이경면또는준경면있는것
- 상기 반도체층의 적어도 일부가 제거되어 있는 부분은,상기실리콘계기판노출되어있는것
- 경면또는준경면
- 실리콘계기판노출되어있는것
최종 답변 (final_answer)
반도체 에피택셜 웨이퍼의 외주부에서 반도체층의 적어도 일부가 제거된 부분은 경면 또는 준경면의 상태를 가지며, 해당 부분에서는 실리콘계 기판이 노출된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 에피택셜 웨이퍼의 외주부 반도체층 제거 부위는 경면/준경면 특성을 보이며 하부의 실리콘계 기판을 노출시킨다.