기판 표면처리장치

[청구항1] 피처리물의 처리공간; 상기 처리공간의 상부에 형성되어 외부로부터 공급된 반응가스를 플라즈마 반응시키는 플라즈마 발생부 상기 플라즈마 발생부의 하부에 형성되고, 외부로부터 공급된 소스가스를 플라즈마 반응시키고 하부에 형성된 다수의 분사홀을 통해 상기 반응가스 플라즈마와 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 분사하는 샤워헤드 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리장치 [청구항2] 제1항에 있어서,상기 샤워헤드에는 상기 소스가스를 플라즈마 반응시키기 위한고주파 전원공급부연결되는것을특징으로 하는기판 표면처리장치. [청구항3] 제2항에 있어서,상기 샤워헤드는,상기 고주파 전원공급부와 연결되고, 상기 반응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 유도관이 형성된 상판과,상기 고주파 전원공급부의 접지와 연결되고, 상기 상판과 함께 소스가스의 플라즈마 생성공간을 형성하며, 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 소스가스홀이 형성된하판포함하는것을특징으로 하는기판 표면처리장치. [청구항4] 제1항에 있어서,상기 샤워헤드에는 상기 소스가스를 라디칼 상태로 변환시키기 위한열선구비되는것을특징으로 하는기판 표면처리장치. [청구항5] 제4항에 있어서,상기 샤워헤드는,상기 반응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 유도관이 형성된 상판과,상기 상판과 함께 상기 열선의 하부에 소스가스의 플라즈마 생성공간을 형성하며, 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 소스가스홀이 형성된하판포함하는것을특징으로 하는기판 표면처리장치. [청구항6] 피처리물의 처리공간; 상기 처리공간의 상부에 형성되어 외부로부터 공급된 반응가스를 플라즈마 반응시키는 플라즈마 발생부 상기 플라즈마 발생부의 하부에 형성되고, 하부에 형성된 다수의 분사홀을 통해 상기 반응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 분사하는 샤워헤드 플라즈마 반응된 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 분사하는 소스가스 플라즈마 공급원을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리장치 [청구항7] 제6항에 있어서,상기 소스가스 플라즈마 공급원이 상기 샤워헤드와 연결되고, 상기 샤워헤드의 하부에 형성된 다수의 소스가스홀을 통해상기소스가스플라즈마분사하는것을특징으로 하는기판 표면처리장치. [청구항8] 제7항에 있어서,상기 샤워헤드는,상기 다수의 분사홀과 연결되어 반응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 유도관이 형성된 상판과,상기 상판과 함께 상기 소스가스 플라즈마의 버퍼공간을 형성하며, 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 상기 다수의 소스가스홀이 형성된하판포함하는것을특징으로 하는기판 표면처리장치.