문맥 (context)
[청구항2]
제1항에 있어서,상기 환 내에 질소 함유 이중 결합을 갖는 축합 헤테로아릴 유닛이 퀴녹살린 유닛 또는 벤조티아디아졸유닛인카본 나노튜브 복합체.
제1항에 있어서,상기 환 내에 질소 함유 이중 결합을 갖는 축합 헤테로아릴 유닛이 퀴녹살린 유닛 또는 벤조티아디아졸유닛인카본 나노튜브 복합체.
[청구항3]
제2항에 있어서,상기 공액계 중합체가 화학식 1로 표시되는 구조를 갖는 카본 나노튜브 복합체. 003c#화학식 1003e#(여기서, r1 내지 r6은 동일하거나 상이할 수도 있고, 각각 수소, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐 원자, 시아노기, 포르밀기, 카르바모일기, 아미노기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 카르복실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기, 아릴카르보닐옥시기 또는 실릴기를 나타내며, 또는 r1 내지 r6은 인접하는 기끼리 환 구조를 형성할 수 있고, a는 단결합, 아릴렌기, 티에닐렌기를 제외한 헤테로아릴렌기, 에테닐렌기, 에티닐렌기 중에서 선택되고, l 및 m은 0 내지 10의 정수를 나타내며, l+m≥1이고, n은 2 내지 1000의 범위를 나타내고, l, m 및 n이 2 이상인 경우, 각각의 r1내지동일하거나상이할 수있음)
제2항에 있어서,상기 공액계 중합체가 화학식 1로 표시되는 구조를 갖는 카본 나노튜브 복합체. 003c#화학식 1003e#(여기서, r1 내지 r6은 동일하거나 상이할 수도 있고, 각각 수소, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐 원자, 시아노기, 포르밀기, 카르바모일기, 아미노기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 카르복실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기, 아릴카르보닐옥시기 또는 실릴기를 나타내며, 또는 r1 내지 r6은 인접하는 기끼리 환 구조를 형성할 수 있고, a는 단결합, 아릴렌기, 티에닐렌기를 제외한 헤테로아릴렌기, 에테닐렌기, 에티닐렌기 중에서 선택되고, l 및 m은 0 내지 10의 정수를 나타내며, l+m≥1이고, n은 2 내지 1000의 범위를 나타내고, l, m 및 n이 2 이상인 경우, 각각의 r1내지동일하거나상이할 수있음)
[청구항6]
제5항에 있어서,상기 반도체층에 유기 반도체더 함유하는전계 효과형 트랜지스터.
제5항에 있어서,상기 반도체층에 유기 반도체더 함유하는전계 효과형 트랜지스터.
[청구항7]
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 반도체층에 대하여 상기 게이트 절연층과 반대측에 형성된 제2 절연층갖는전계 효과형 트랜지스터.
제5항에 있어서,상기 반도체층에 대하여 상기 게이트 절연층과 반대측에 형성된 제2 절연층갖는전계 효과형 트랜지스터.
[청구항8]
제7항에 있어서,상기 제2 절연층이도포법형성된층인전계 효과형 트랜지스터.
제7항에 있어서,상기 제2 절연층이도포법형성된층인전계 효과형 트랜지스터.
[청구항9]
제7항 또는 제8항에 있어서,상기 제2 절연층이 폴리플루오로에틸렌, 폴리노르보르넨, 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 및 이들의 유도체, 폴리아크릴산 유도체, 폴리메타크릴산 유도체, 및 이들을 포함하는 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 유기 고분자 재료함유하는 것인전계 효과형 트랜지스터.
제7항에 있어서,상기 제2 절연층이 폴리플루오로에틸렌, 폴리노르보르넨, 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 및 이들의 유도체, 폴리아크릴산 유도체, 폴리메타크릴산 유도체, 및 이들을 포함하는 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 유기 고분자 재료함유하는 것인전계 효과형 트랜지스터.
[청구항10]
제7항에 있어서,상기 게이트 절연층, 반도체층, 제2 절연층 중 적어도 1층이 아민 화합물함유하는 것인전계 효과형 트랜지스터.
제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 절연층, 반도체층, 제2 절연층 중 적어도 1층이 아민 화합물함유하는 것인전계 효과형 트랜지스터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전계 효과형 트랜지스터에서 제2 절연층은 반도체층과 비교하여 어느 위치에 형성되며, 해당 층을 구성할 수 있는 유기 고분자 재료에는 무엇이 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation전계 효과형 트랜지스터 내 제2 절연층의 위치와 구성 재료를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 7항에서 제2 절연층의 위치 정보를, 청구항 9항에서 구성 재료 정보를 추출한다.
- 상기 반도체층에 대하여 상기 게이트 절연층과 반대측에 형성된 제2 절연층
- 제2 절연층이 폴리플루오로에틸렌, 폴리노르보르넨, 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 및 이들의 유도체, 폴리아크릴산 유도체, 폴리메타크릴산 유도체, 및 이들을 포함하는 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 유기 고분자 재료
-
3근거 선택
evidence_selection위치에 관한 문구와 재료 목록에 관한 문구를 선택한다.
- 상기 반도체층에 대하여 상기 게이트 절연층과 반대측에 형성된 제2 절연층
- 폴리플루오로에틸렌, 폴리노르보르넨, 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 및 이들의 유도체, 폴리아크릴산 유도체, 폴리메타크릴산 유도체, 및 이들을 포함하는 공중합체
-
4논리 통합
logical_integration제2 절연층은 반도체층의 게이트 절연층 반대편에 위치하며, 지정된 유기 고분자 재료들로 구성될 수 있음을 결합한다.
- 상기 반도체층에 대하여 상기 게이트 절연층과 반대측에 형성된 제2 절연층
- 폴리플루오로에틸렌, 폴리노르보르넨, 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 및 이들의 유도체, 폴리아크릴산 유도체, 폴리메타크릴산 유도체, 및 이들을 포함하는 공중합체
-
5결론 도출
conclusion_formulation위치적 특징과 재료 목록을 정리하여 답변을 구성한다.
-
6답변 생성
answer_generation질문에 적합한 형태로 최종 답변을 작성한다.
근거 (evidence)
- 상기 반도체층에 대하여 상기 게이트 절연층과 반대측에 형성된 제2 절연층
- 제2 절연층이 폴리플루오로에틸렌, 폴리노르보르넨, 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 및 이들의 유도체, 폴리아크릴산 유도체, 폴리메타크릴산 유도체, 및 이들을 포함하는 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 유기 고분자 재료
- 폴리플루오로에틸렌, 폴리노르보르넨, 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 및 이들의 유도체, 폴리아크릴산 유도체, 폴리메타크릴산 유도체, 및 이들을 포함하는 공중합체
최종 답변 (final_answer)
제2 절연층은 반도체층에 대하여 게이트 절연층과 반대측에 형성된다. 구성 가능한 유기 고분자 재료는 폴리플루오로에틸렌, 폴리노르보르넨, 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 및 이들의 유도체, 폴리아크릴산 유도체, 폴리메타크릴산 유도체, 그리고 이들을 포함하는 공중합체가 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
전계 효과형 트랜지스터의 제2 절연층은 반도체층의 게이트 절연층 반대편에 위치하며, 다양한 유기 고분자 재료(폴리플루오로에틸렌, 폴리노르보르넨, 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 유도체, 폴리아크릴산/폴리메타크릴산 유도체 및 공중합체)로 구성될 수 있다.