실리콘 기판의 금속 로딩 및 표면 패시베이션을 향상시키기 위한 계면활성제/소포제 혼합물의 용도

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제거 조성물이 소포제를 포함하고, 상기 소포제가, 에틸렌 옥사이드/프로필렌 옥사이드 블록 공중합체, 알콜 알콕실레이트, 지방 알콜 알콕실레이트, 비이온성 유화제와 인산 에스터의 블렌드 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물포함하는,제거 조성물. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 제거 조성물이 하나 이상의 염화물 공급원을 추가포함하는,제거 조성물. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기 제거 조성물이 하나 이상의 킬레이트화제를 추가포함하는,제거 조성물. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,상기 제거 조성물이 하나 이상의 킬레이트화제 및 하나 이상의 염화물 공급원을 추가포함하는,제거 조성물. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,상기 제거 조성물이 하나 이상의 산화제를 추가포함하는,제거 조성물. [청구항 7] 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 에칭제가 hf를 포함하고; 상기 하나 이상의 계면활성제/중합체 공급원이, 플루오로알킬 계면활성제, 에톡실화된 플루오로 계면활성제, 폴리에틸렌 글라이콜, 폴리프로필렌 글라이콜, 폴리에틸렌 글라이콜 에터, 폴리프로필렌 글라이콜 에터, 카복실산 염, 도데실벤젠설폰산 및 그의 염, 다른 선형 알킬 벤젠 설폰산(labsa) 또는 그의 염, 폴리아크릴레이트 중합체, 다이노닐페닐 폴리옥시에틸렌, 실리콘 중합체, 개질된 실리콘 중합체, 아세틸렌 다이올, 개질된 아세틸렌 다이올, 알킬암모늄 염, 개질된 알킬암모늄 염, 알킬페놀 폴리글라이시돌 에터, 나트륨 알킬 설페이트, 암모늄 알킬 설페이트, 알킬 (c10-c18) 카복실산 암모늄 염, 설포석신산나트륨 및 그의 에스터, 알킬 (c10-c18) 설폰산 나트륨 염, 이-음이온성 설포네이트 계면활성제, 세틸트라이메틸암모늄 브로마이드, 세틸트라이메틸암모늄 하이드로겐 설페이트, 카복실산암모늄, 황산암모늄, 아민 옥사이드, n-도데실-n,n-다이메틸베타인, 베타인, 설포베타인, 알킬암모니오프로필 설페이트, 폴리에틸렌 글라이콜(peg), 폴리에틸렌 옥사이드(peo), 폴리비닐 피롤리돈(pvp), 하이드록시에틸셀룰로즈(hec), 아크릴아마이드 중합체, 폴리(아크릴산), 카복시메틸셀룰로즈(cmc), 나트륨 카복시메틸셀룰로즈(na cmc), 하이드록시프로필메틸셀룰로즈, 폴리비닐피롤리돈 k30, 라텍스 분말, 에틸셀룰로즈 중합체, 프로필셀룰로즈 중합체, 셀룰로즈 에터, 수용성 수지, 알콕실화된 지방족 알콜의 포스페이트 에스터, 노닐페놀 에톡실레이트, 지방 알콜 알콕실레이트, 알콜 알콕실레이트, 폴리옥시에틸렌글라이콜 도데실 에터, 에틸렌 옥사이드/프로필렌 옥사이드 블록 공중합체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물포함하는,제거 조성물. [청구항 8] 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 에칭제가 hf를 포함하고, 상기 하나 이상의 계면활성제/중합체 공급원이 이-음이온성 설포네이트 계면활성제, ppg-peg-ppg 블록 공중합체, peg-ppg-peg 블록 공중합체 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물포함하는,제거 조성물. [청구항 9] 제 4 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 킬레이트화제가, 아세틸아세토네이트, 1,1,1-트라이플루오로-2,4-펜테인다이온, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-펜테인다이온, 폼에이트, 아세테이트, 비스(트라이메틸실릴아마이드) 사량체, 글라이신, 세린, 프롤린, 류신, 알라닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 글루타민, 발린, 라이신, 시트르산, 아세트산, 말레산, 옥살산, 말론산, 석신산, 포스폰산, 하이드록시에틸리덴 다이포스폰산(hedp), 1-하이드록시에테인-1,1-다이포스폰산, 나이트릴로-트리스(메틸렌포스폰산), 나이트릴로트라이아세트산, 이미노다이아세트산, 에티드론산, 에틸렌다이아민, 에틸렌다이아민테트라아세트산(edta), (1,2-사이클로헥실렌다이나이트릴로)테트라아세트산(cdta), 요산, 테트라글라임, 펜타메틸다이에틸렌트라이아민(pmdeta), 1,3,5-트라이아진-2,4,6-티티올 삼나트륨 염 용액, 1,3,5-트라이아진-2,4,6-티티올 트라이암모늄 염 용액, 나트륨 다이에틸다이티오카밤에이트, 이치환된 다이티오카밤에이트, 황산암모늄, 모노에탄올아민(mea), 디퀘스트(dequest) 2000, 디퀘스트 2010, 디퀘스트 2060s, 다이에틸렌트라이아민 펜타아세트산, 프로필렌다이아민 테트라아세트산, 2-하이드록시피리딘 1-옥사이드, 에틸렌다이아민 다이석신산, 삼인산 나트륨(5-염기성) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물포함하는,제거 조성물. [청구항 10] 제 4 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 킬레이트화제가 포스폰산 유도체포함하는,제거 조성물. [청구항 11] 제 3 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 하나 이상의 염화물 공급원이 염산, 염화 알칼리금속, 염화 알칼리토금속, 염화암모늄, 염화 알킬암모늄 및 이들의 조합포함하는,제거 조성물. [청구항 12] 제 2 항에 있어서,상기 조성물이 hf, 하나 이상의 소포제, 하나 이상의 이-음이온성 설포네이트 계면활성제 및 물포함하는,제거 조성물. [청구항 13] 제 5 항에 있어서,상기 조성물이 hf, 염화암모늄, 하나 이상의 소포제, 하나 이상의 이-음이온성 설포네이트 계면활성제, 하나 이상의 포스폰산 유도체 및 물포함하는,제거 조성물. [청구항 14] 제 5 항에 있어서,상기 제거 조성물이 하나 이상의 산화제를 추가로 포함하고, 상기 조성물이 hf, 염화암모늄, 하나 이상의 소포제, 하나 이상의 알킬다이페닐옥사이드 다이설포네이트 계면활성제, 하나 이상의 포스폰산 유도체, 과산화 화합물 및 물포함하는,제거 조성물. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,상기 조성물이 hf, 물, 및 peg-ppg-peg 블록 공중합체, ppg-peg-ppg 블록 공중합체, 폴리옥시에틸렌글라이콜 도데실 에터 계면활성제 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 계면활성제/중합체 공급원포함하는,제거 조성물. [청구항 16] 제 1 항 내지 제 15 항중 어느 한 항에 있어서,상기 조성물이, 에칭 후 잔류물, 낮은-k의 유전성 물질 잔류물, 높은-k의 유전성 물질 잔류물, 차단 층 물질 잔류물, 강유전성 잔류물, 질화물 잔류물, 규화물 잔류물, 산화물 잔류물, 중합체-함유 축적물(buildup) 잔류물, arc 물질 잔류물, 도핑된 영역 잔류물, 기타 혼입(miscellaneous) 물질 잔류물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질 잔류물을 추가포함하는,제거 조성물. [청구항 19] 하나 이상의 용기에 제거 조성물을 제조하기 위한 하기 시약중 하나 이상을 포함하는 키트로서, 상기 제거 조성물이 하나 이상의 에칭제, 하나 이상의 계면활성제/중합체 공급원, 물, 임의적으로는 하나 이상의 킬레이트화제, 임의적으로는 하나 이상의 산화제, 임의적으로는 하나 이상의 염화물 공급원 및 임의적으로는 하나 이상의 소포제를 포함하고, 상기 키트가, 에칭 후 잔류물, 낮은-k의 유전체, 높은-k의 유전체, 에칭 중단 물질, 금속 적층 물질, 차단 층 물질, 강유전성 물질, 규화물, 질화물, 산화물, 포토레지스트, 하부 반사 방지 코팅(barc), 희생성 반사 방지 코팅(sarc), 중합체-함유 축적물, 기타 혼입 물질, 도핑된 영역 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제거가능한 물질로 구성된 군으로부터 선택되는 물질을 표면 상에 갖는 마이크로 전자 소자 구조물로부터 이들 물질을 제거하기에 적합한 제거 조성물을 형성하는데 적합한, 키트