열 관리 재료

[청구항 1] 열 경로를 사이에 제공하도록 제1 열 전달 표면과 대향 제2 열 전달 표면 사이에 정합 가능한 층을 형성하기 위한 열 전도성 화합물이며, (a) 열 그리스 성분과, (b) 열 그리스 성분 내에 이산 도메인을 형성하는 분산된 성분의 혼합물을 포함하며, 상기 도메인은 통상적인 실온에서의 제1 상에서 형태 안정적이며 제2 상에서 제1 및 제2 열 전달 표면 사이에서 정합 가능하며, 상기 도메인은 통상적인 실온 이상의 제1 상으로부터 제2 상으로의 변이 온도를 갖는 화합물 [청구항 2] 제1항에 있어서,분산된 성분은 하나 이상의 가융성 금속, 하나 이상의 가융성 금속 합금 또는 이들의 조합포함하는화합물. [청구항 3] 제2항에 있어서,하나 이상의 가융성 금속 또는 합금은 하나 이상의 비스무트, 주석, 납, 카드뮴 및 인듐포함하는화합물. [청구항 4] 제2항에 있어서,분산된 구성물은 그 중량으로 비스무트 약 32.5%, 주석 16.5%, 및 인듐 50%의 공융 합금포함하는화합물. [청구항 5] 제2항에 있어서,화합물은 그 전체 중량으로 약 5 내지 25% 사이의 하나 이상의 가융성 금속 또는 금속 합금 또는 이들의 조합포함하는화합물. [청구항 7] 제6항에 있어서,분산된 구성물은 하나 이상의 가융성 금속, 하나 이상의 가융성 금속 합금 또는 이들의 조합포함하는화합물. [청구항 8] 제2항에 있어서,제1 열 전달 표면은 통상적인 실온 이상의 작동 온도 범위를 갖는 발열원 상에 위치되고, 도메인 변이 온도는 발열원의 작동 온도 범위내에 있는화합물. [청구항 9] 제1항에 있어서,제2 상의 도메인은 열 그리스 성분과 함께 에멀젼형성하는화합물. [청구항 10] 제9항에 있어서,젼은 약 10,000 내지 300,000 cp(10 내지 300 pa-s) 사이의 점도갖는화합물. [청구항 11] 제1항에 있어서,제1 열 전달 표면은 통상적인 실온 이상의 작동 온도 범위를 갖는 발열원 상에 위치되고, 도메인의 변이 온도는 발열원의 작동 온도 범위내에 있는화합물. [청구항 12] 제11항에 있어서,발열원은 전자 부품이고, 제2 열 전달 표면은 열 소산 부재 상위치되는화합물. [청구항 15] 제1항에 있어서,도메인은 약 0.4 내지 3 밀(10 내지 75 ㎛)의 평균 크기갖는화합물. [청구항 16] 제1항에 있어서,열 그리스 성분은 광물 오일, 탄화수소 오일, 합성 오일, 실리콘 오일 및 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 오일포함하는화합물. [청구항 17] 제1항에 있어서,열 그리스 성분은 하나 이상의 실리콘 오일포함하는화합물. [청구항 18] 제1항에 있어서,열 그리스 성분은 하나 이상의 오르가노실록산 오일포함하는화합물. [청구항 19] 제16항에 있어서,열 그리스 성분은 열 전도성 미립자 충전제더 포함하는화합물. [청구항 20] 제19항에 있어서,분산된 구성물은 하나 이상의 가융성 금속, 하나 이상의 가융성 금속 합금 또는 이들의 조합포함하는화합물. [청구항 21] 제19항에 있어서,충전제는 금속 또는 비금속 산화물, 질화물, 탄화물, 또는 이붕화물 입자, 흑연 입자, 금속 입자 및 이들의 조합으로 구성된 그룹선택되는화합물. [청구항 22] 제19항에 있어서,열 그리스 성분은 충전제의 중량으로 약 20 내지 80% 사이포함하는화합물. [청구항 23] 제19항에 있어서,미립자 충전제는 약 0.01 내지 10 밀(0.25 내지 250 ㎛) 사이의 입자 크기갖는화합물. [청구항 24] 제19항에 있어서,충전제는 적어도 약 20 w/m-k의 열 전도도갖는화합물. [청구항 25] 제19항에 있어서,열 그리스는 약 실온에서 약 10,000 내지 300,000 cp(10 내지 300 pa-s) 사이의 점도갖는화합물. [청구항 26] 제1항에 있어서,층은 약 1 ℃-in2/w(6 ℃-cm2/w)보다 작은 열 임피던스갖는화합물. [청구항 27] 제1항에 있어서,화합물은 적어도 약 0.5 w/m-k의 열 전도도갖는화합물. [청구항 28] 제11항에 있어서,층은 소정의 인가된 압력에서 약 실온에서 약 5 밀(125 ㎛) 이하의 두께를 갖고, 두께는 발열원의 작동 온도 범위 내에서 소정의 인가된 압력감소하는화합물. [청구항 29] 제1항에 있어서,화합물은 제1 및 제2 열 전달 표면 중 하나 또는 모두에 사실상 자체부착되는화합물. [청구항 30] 제1 열 전달 표면과, 상기 제1 열 전달 표면에 대향하는 제2 열 전달 표면과, 제1 및 제2 열 전달 표면 중간에 개재되어 사이에 열 전도성 경로를 제공하며 제1 및 제2 열 전달 표면 사이에 정합 가능한 층 내에 형성된 열 전도성 화합물 을 포함하는 열 전도성 인터페이스를 포함하며, 상기 화합물은, (a) 열 그리스 성분과, (b) 열 그리스 성분 내에 이산 도메인을 형성하는 분산된 성분의 혼합물을 포함하며, 상기 도메인은 통상적인 실온에서의 제1 상에서 형태 안정적이며 제2 상에서 제1 및 제2 열 전달 표면 사이에서 정합 가능하며, 상기 도메인은 통상적인 실온 이상의 제1 상으로부터 제2 상으로의 변이 온도를 갖는 열 관리 조립체 [청구항 31] 제30항에 있어서,분산된 성분은 하나 이상의 가융성 금속, 하나 이상의 가융성 금속 합금 또는 이들의 조합포함하는조립체. [청구항 32] 제31항에 있어서,하나 이상의 가융성 금속 또는 합금은 하나 이상의 비스무트, 주석, 납, 카드뮴 및 인듐포함하는조립체. [청구항 33] 제31항에 있어서,분산된 구성물은 그 중량으로 비스무트 약 32.5%, 주석 16.5%, 및 인듐 50%의 공융 합금포함하는조립체. [청구항 34] 제31항에 있어서,화합물은 그 전체 중량으로 약 5 내지 25% 사이의 하나 이상의 가융성 금속 또는 금속 합금 또는 이들의 조합포함하는조립체. [청구항 35] 제31항에 있어서,도메인 변이 온도는 약 40 내지사이인조립체. [청구항 36] 제35항에 있어서,분산된 구성물은 하나 이상의 가융성 금속, 하나 이상의 가융성 금속 합금 또는 이들의 조합포함하는조립체. [청구항 37] 제31항에 있어서,제1 열 전달 표면은 통상적인 실온 이상의 작동 온도 범위를 갖는 발열원 상에 위치되고, 도메인 변이 온도는 발열원의 작동 온도 범위내에 있는조립체. [청구항 38] 제30항에 있어서,제2 상의 도메인은 열 그리스 성분과 함께 에멀젼형성하는조립체. [청구항 39] 제38항에 있어서,젼은 약 10,000 내지 300,000 cp(10 내지 300 pa-s) 사이의 점도갖는조립체. [청구항 40] 제30항에 있어서,제1 열 전달 표면은 통상적인 실온 이상의 작동 온도 범위를 갖는 발열원 상에 위치되고, 도메인의 변이 온도는 발열원의 작동 온도 범위내에 있는조립체. [청구항 41] 제40항에 있어서,발열원은 전자 부품이고, 제2 열 전달 표면은 열 소산 부재 상위치되는조립체. [청구항 42] 제41항에 있어서,열 소산 부재는 히트 싱크 또는 회로보드인조립체. [청구항 43] 제41항에 있어서,발열원의 작동 온도는 약 40 내지사이인조립체. [청구항 44] 제30항에 있어서,도메인은 약 0.4 내지 3 밀(10 내지 75 ㎛)의 평균 크기갖는조립체. [청구항 45] 제30항에 있어서,열 그리스 성분은 광물 오일, 탄화수소 오일, 합성 오일, 실리콘 오일 및 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 오일포함하는조립체. [청구항 46] 제30항에 있어서,열 그리스 성분은 하나 이상의 실리콘 오일포함하는조립체. [청구항 47] 제30항에 있어서,열 그리스 성분은 하나 이상의 오르가노실록산 오일포함하는조립체. [청구항 48] 제45항에 있어서,열 그리스 성분은 열 전도성 미립자 충전제더 포함하는조립체. [청구항 49] 제48항에 있어서,분산된 구성물은 하나 이상의 가융성 금속, 하나 이상의 가융성 금속 합금 또는 이들의 조합포함하는조립체. [청구항 50] 제48항에 있어서,충전제는 금속 또는 비금속 산화물, 질화물, 탄화물, 또는 이붕화물 입자, 흑연 입자, 금속 입자 및 이들의 조합으로 구성된 그룹선택되는조립체. [청구항 51] 제48항에 있어서,열 그리스 성분은 충전제의 중량으로 약 20 내지 80% 사이포함하는조립체. [청구항 52] 제48항에 있어서,미립자 충전제는 약 0.01 내지 10 밀(0.25 내지 250 ㎛) 사이의 입자 크기갖는조립체. [청구항 53] 제48항에 있어서,충전제는 적어도 약 20 w/m-k의 열 전도도갖는조립체. [청구항 54] 제48항에 있어서,열 그리스는 약 실온에서 약 10,000 내지 300,000 cp(10 내지 300 pa-s) 사이의 점도갖는조립체. [청구항 55] 제30항에 있어서,층은 약 1 ℃-in2/w(6 ℃-cm2/w)보다 작은 열 임피던스갖는조립체. [청구항 56] 제30항에 있어서,화합물은 적어도 약 0.5 w/m-k의 열 전도도갖는조립체. [청구항 57] 제40항에 있어서,층은 소정의 인가된 압력에서 약 실온에서 약 5 밀(125 ㎛) 이하의 두께를 갖고, 두께는 발열원의 작동 온도 범위 내에서 소정의 인가된 압력감소하는조립체. [청구항 58] 제30항에 있어서,화합물은 제1 및 제2 열 전달 표면 중 하나 또는 모두에 사실상 자체부착되는조립체.