문맥 (context)
[청구항 1]
기판 상에 형성된 터널절연막
상기 터널절연막 상에 형성된 전하트랩막
상기 전하트랩막 상에 형성된 전하차단막; 및
상기 전하차단막 상에 형성되고, 탄소가 도핑된 금속실리사이드막으로 이루어지는 게이트 전극
을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 탄소의 도핑 농도는,1 내지인비휘발성 메모리 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 금속nan실리사이드막은,니켈실리사이드막인비휘발성 메모리 소자.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 니켈nan실리사이드막은,백금(pt)비휘발성 메모리 소자.
[청구항 5]
제 3 항에 있어서,상기 니켈실리사이드막은,니켈(ni)과 실리콘(si)의 비율인비휘발성 메모리 소자.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 금속실리사이드막은,백금실리사이드막, 코발트실리사이드막, 하프늄실리사이드막, 납실리사이드막, 티타늄실리사이드막, 크롬실리사이드막, 몰리브덴실리사이드막탄탈륨실리사이드막, 지르코늄실리사이드막 또는 바나듐실리사이드막인비휘발성 메모리 소자.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은,완전히 실리콘화합물화된비휘발성 메모리 소자.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 금속실리사이드막은,인(p), 아세닉(as) 또는 붕소(b)를 포함하고,상기 게이트 전극은,선택 트랜지스터(select transistor) 또는 주변회로의 트랜지스터게이트 전극인비휘발성 메모리 소자.
[청구항 9]
전하차단막 상에 게이트 전극을 위한 탄소가 도핑된 폴리실리콘막을 형성하는 단계
상기 탄소가 도핑된 폴리실리콘막 및 전하차단막을 선택적으로 식각하여 게이트 패턴을 형성하는 단계
상기 게이트 패턴 사이의 갭영역에 절연막을 매립하는 단계
상기 절연막이 매립된 결과물의 상부에 게이트 전극을 위한 금속막을 형성하는 단계; 및
열처리 공정을 수행하여 상기 탄소가 도핑된 폴리실리콘막 및 상기 금속막을 반응시킴으로써, 탄소가 도핑된 금속실리사이드막으로 이루어지는 게이트 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
[청구항 17]
제 9 항에 있어서,상기 열처리 공정은,상기 게이트 전극이 완전히 실리콘화합물화(fully silicidation) 될때수행되는메모리 소자 제조 방법
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
비휘발성 메모리 소자의 제조 방법에서, 탄소가 도핑된 폴리실리콘막과 금속막을 반응시켜 탄소가 도핑된 금속실리사이드막으로 이루어진 게이트 전극을 형성하기 위해 수행되는 열처리 공정의 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation탄소가 도핑된 폴리실리콘막과 금속막을 반응시켜 탄소가 도핑된 금속실리사이드막 게이트 전극을 형성하는 열처리 공정의 조건을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 9항에서 열처리 공정을 통해 탄소가 도핑된 금속실리사이드막 게이트 전극을 형성함을 확인하고, 청구항 17항에서 해당 공정의 조건을 확인한다.
- 열처리 공정을 수행하여 상기 탄소가 도핑된 폴리실리콘막 및 상기 금속막을 반응시킴으로써, 탄소가 도핑된 금속실리사이드막으로 이루어지는 게이트 전극을 형성하는 단계
-
3근거 선택
evidence_selection열처리 공정의 구체적인 수행 조건이 명시된 청구항 17항의 구절을 선택한다.
- 상기 열처리 공정은,상기 게이트 전극이 완전히 실리콘화합물화(fully silicidation) 될때수행되는
-
4논리 통합
logical_integration청구항 9항의 제조 단계 중 마지막 단계인 열처리 공정은 청구항 17항에 의해 '게이트 전극이 완전히 실리콘화합물화 될 때' 수행되어야 함을 알 수 있다.
- 상기 열처리 공정은,상기 게이트 전극이 완전히 실리콘화합물화(fully silicidation) 될때수행되는
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5결론 도출
conclusion_formulation열처리 공정의 조건은 게이트 전극이 완전히 실리콘화합물화(fully silicidation) 될 때까지 수행하는 것이다.
- 상기 게이트 전극이 완전히 실리콘화합물화(fully silicidation) 될때수행되는
-
6답변 생성
answer_generation추출된 조건을 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 게이트 전극이 완전히 실리콘화합물화(fully silicidation) 될때수행되는
근거 (evidence)
- 열처리 공정을 수행하여 상기 탄소가 도핑된 폴리실리콘막 및 상기 금속막을 반응시킴으로써, 탄소가 도핑된 금속실리사이드막으로 이루어지는 게이트 전극을 형성하는 단계
- 상기 열처리 공정은,상기 게이트 전극이 완전히 실리콘화합물화(fully silicidation) 될때수행되는
- 상기 게이트 전극이 완전히 실리콘화합물화(fully silicidation) 될때수행되는
최종 답변 (final_answer)
상기 게이트 전극이 완전히 실리콘화합물화(fully silicidation) 될 때 수행된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
비휘발성 메모리 소자 제조 시, 게이트 전극을 탄소가 도핑된 금속실리사이드막으로 형성하기 위한 열처리 공정은 게이트 전극이 완전히 실리콘화합물화될 때까지 수행되어야 한다.