저장안정성이 강화된 ＣＭＰ 슬러리

[청구항2] 제 1항에 있어서,상기 금속산화물은 0.1~20중량%, 상기 계면활성제는 0.01~3중량%, 상기 수용성수지는 0.01~5중량%, 상기 패시베이션제는 0.01~5중량%, 상기 연마가속제는 0.01~5중량%, 상기 ph 조절제는 0.01~5중량%, 상기 방부제는 0.0001~1중량%, 상기 안정제는 0.0001-1중량포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 연마용 cmp 슬러리. 제 1항에 있어서,상기 금속산화물은 0.1~20중량%, 상기 계면활성제는 0.01~3중량%, 상기 수용성수지는 0.01~5중량%, 상기 패시베이션제는 0.01~5중량%, 상기 연마가속제는 0.01~5중량%, 상기 ph 조절제는 0.01~5중량%, 상기 방부제는 0.0001~1중량%, 상기 안정제는 0.0001-1중량%, 상기 탈이온수는 55~99.8498중량포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 연마용 cmp 슬러리. [청구항3] 제 1항에 있어서,상기 금속산화물은 발연법 또는 졸-겔(sol-gel)법으로 제조된 실리카(sio2), 알루미나(al2o3), 세리아(ceo2), 지르코니아(zro2), 및 티타니아 (tio2)로 구성된 군으로부터 선택되는 1종이고, 금속산화물의 1차 입경의 크기는 10~100nm이며,2차입경의크기인것을특징으로 하는반도체 디바이스 연마용 cmp 슬러리. 제 1항에 있어서,상기 금속산화물은 발연법 또는 졸-겔(sol-gel)법으로 제조된 실리카(sio2), 알루미나(al2o3), 세리아(ceo2), 지르코니아(zro2), 및 티타니아 (tio2)로 구성된 군으로부터 선택되는 1종이고, 금속산화물의 1차 입경의 크기는 10~100nm이며,2차입경의크기인것을특징으로 하는반도체 디바이스 연마용 cmp 슬러리. [청구항4] 제 1항에 있어서,상기 계면활성제는 카르복실산(carboxylic acid)과 그의 염, 설퍼릭 에스터(sulfuric ester)와 그의 염, 설포닉산(sulfonic acid)과 그의 염, 및 포스포릭 에스터(phosphoric ester)와 그의 염으로 이루어진 군에서 선택된 음이온성 계면활성제; 제 1급 아민(primary amine)과 그의 염, 제 2급 아민(secondary amine) 과 그의 염, 제 3급 아민(tertiary amine)과 그의 염 및 제 4급 아민(quarternary amine)과 그의 염으로 이루어진 군에서 선택된 양이온성 계면활성제; 또는 폴리에틸렌글리콜(polyethyleneglycol)형 계면활성제 및 폴리히드록시 알콜(polyhydroxy alcohol)형 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된비이온성계면활성제인것을특징으로 하는반도체 디바이스 연마용 cmp 슬러리. 제 1항에 있어서,상기 계면활성제는 카르복실산(carboxylic acid)과 그의 염, 설퍼릭 에스터(sulfuric ester)와 그의 염, 설포닉산(sulfonic acid)과 그의 염, 및 포스포릭 에스터(phosphoric ester)와 그의 염으로 이루어진 군에서 선택된 음이온성 계면활성제; 제 1급 아민(primary amine)과 그의 염, 제 2급 아민(secondary amine) 과 그의 염, 제 3급 아민(tertiary amine)과 그의 염 및 제 4급 아민(quarternary amine)과 그의 염으로 이루어진 군에서 선택된 양이온성 계면활성제; 또는 폴리에틸렌글리콜(polyethyleneglycol)형 계면활성제 및 폴리히드록시 알콜(polyhydroxy alcohol)형 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된비이온성계면활성제인것을특징으로 하는반도체 디바이스 연마용 cmp 슬러리. [청구항5] 제 1항에 있어서,상기 수용성수지는 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리스티렌술폰산, 술폰화 폴리이소프렌, 폴리비닐알코올 및 폴리비닐피롤리돈으로 이루어진 군중에서 선택된 1종 이상을 단량체로 하는 중합체; 이들 중합체의 알칼리 금속염; 또는 카르복시메틸 셀룰로오스, 히드록시에틸 셀룰로오스, 히드록시프로필 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스, 에틸히드록시에틸 셀룰로오스, 이들의 셀룰로오스 유도체 및 이들의 알칼리 금속염으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상이고, 상기 패시베이션제는 포타시움 하이드로젠 프탈레이트(potassium hydrogen phthalate)를 포함하는 프탈릭산(phthalic acid) 및 이의 염으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상이며, 상기 연마가속제는 암모늄 하이드로젠 포스페이트(ammonium hydrogen phosphate), 암모늄 디하이드로젠 포스페이트(ammonium dihydrogen phosphate), 비스(2-에틸헥실)포스페이트(bis(2-ethylhexyl)phosphate), 2-아미노에틸 디하이드로젠 포스페이트(2-aminoethyl dihydrogen phosphate), 4-클로로벤젠디아조니움 헥사플루오로포스페이트(4-chlorobenzenediazonium hexafluorophosphate), 니트로벤젠디아조니움 헥사플루오로 포스페이트(nitrobenzenediazonium hexafluorophosphate), 암모늄 헥사플루오로포스페이트(ammonium hexafluorophosphate), 비스(2,4-디클로로페닐)클로로포스페이트(bis(2,4 -dichlorophenyl) chlorophosphate), 비스(2-에틸헥실)하이드로젠포스페이트(bis(2-ethylhexyl) hydrogenphosphate), 비스(2-에틸헥실)포스파이트(bis(2-ethylhexyl)phosphite), 칼슘 플루오로포스페이트(calcium fluorophosphate), 디에틸 클로로포스페이트(diethyl chlorophosphate), 디에틸 클로로티오포스페이트 (diethyl chlorothiophosphate), 포타슘 헥사플루오로포스페이트(potassium hexafluorophosphate), 파이로포스포릭산(pyrophosphoric acid), 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트(tetrabutylammonium hexafluorophosphate) 및 테트라에틸암모늄 헥사플루오로 포스페이트(tetraethylammonium hexafluorophosphate)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고, 상기 ph 조절제는 황산, 염산, 질산, 아세트산, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 암모늄 및 염기성 아민으로 구성된 군으로부터 선택된1종이상인것을특징으로 하는반도체 디바이스 연마용 cmp 슬러리. 제 1항에 있어서,상기 수용성수지는 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리스티렌술폰산, 술폰화 폴리이소프렌, 폴리비닐알코올 및 폴리비닐피롤리돈으로 이루어진 군중에서 선택된 1종 이상을 단량체로 하는 중합체; 이들 중합체의 알칼리 금속염; 또는 카르복시메틸 셀룰로오스, 히드록시에틸 셀룰로오스, 히드록시프로필 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스, 에틸히드록시에틸 셀룰로오스, 이들의 셀룰로오스 유도체 및 이들의 알칼리 금속염으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상이고, 상기 패시베이션제는 포타시움 하이드로젠 프탈레이트(potassium hydrogen phthalate)를 포함하는 프탈릭산(phthalic acid) 및 이의 염으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상이며, 상기 연마가속제는 암모늄 하이드로젠 포스페이트(ammonium hydrogen phosphate), 암모늄 디하이드로젠 포스페이트(ammonium dihydrogen phosphate), 비스(2-에틸헥실)포스페이트(bis(2-ethylhexyl)phosphate), 2-아미노에틸 디하이드로젠 포스페이트(2-aminoethyl dihydrogen phosphate), 4-클로로벤젠디아조니움 헥사플루오로포스페이트(4-chlorobenzenediazonium hexafluorophosphate), 니트로벤젠디아조니움 헥사플루오로 포스페이트(nitrobenzenediazonium hexafluorophosphate), 암모늄 헥사플루오로포스페이트(ammonium hexafluorophosphate), 비스(2,4-디클로로페닐)클로로포스페이트(bis(2,4 -dichlorophenyl) chlorophosphate), 비스(2-에틸헥실)하이드로젠포스페이트(bis(2-ethylhexyl) hydrogenphosphate), 비스(2-에틸헥실)포스파이트(bis(2-ethylhexyl)phosphite), 칼슘 플루오로포스페이트(calcium fluorophosphate), 디에틸 클로로포스페이트(diethyl chlorophosphate), 디에틸 클로로티오포스페이트 (diethyl chlorothiophosphate), 포타슘 헥사플루오로포스페이트(potassium hexafluorophosphate), 파이로포스포릭산(pyrophosphoric acid), 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트(tetrabutylammonium hexafluorophosphate) 및 테트라에틸암모늄 헥사플루오로 포스페이트(tetraethylammonium hexafluorophosphate)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고, 상기 ph 조절제는 황산, 염산, 질산, 아세트산, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 암모늄 및 염기성 아민으로 구성된 군으로부터 선택된1종이상인것을특징으로 하는반도체 디바이스 연마용 cmp 슬러리. [청구항6] 제 1항에 있어서,상기 방부제는 트리스(히드록시메틸)니트로메탄 (tris(hydroxymethyl)nitromethane), 헥사하이드로-1,3,5-트리스(히드록시에틸)-s-트리아진(hexahydro-1,3,5-tris(hydroxyethyl)-s-triazine), 헥사하이드로-1,3,5-트리에틸-s-트리아진(hexahydro-1,3,5-triethyl-s-triazine), 1-(3-클로로알릴)-3,4,7-트리아자-1-아조니아아다만탄클로라이드(1-(3-chloroallyl)-3,4,7-triaza -1- azoniaadamantane chloride), 4-(2-니트로부틸)-몰폴린(4-(2-nitrobutyl)-morpholine), 4,4-(2-에틸-2-니트로트리메틸렌)-디몰폴린(4,4-(2-ethyl-2-nitrotrimethylene) -dimorpholine), 소디움-2-피리딘티올-1-옥사이드(sodium-2-pyridinethiol-1-oxide), 1,2-벤즈이소티아졸린-3-온(1,2-benzisothiazolin-3-one), 5-클로로-2-메틸-이소티아졸린-3-온(5-chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one), 2-메틸-4-이소티아졸린-3-온(2-methyl-4-isothiazolin-3-one), 5-클로로-2-페테틸-3-이소티아졸린(5-chloro-2-penetyl-3-isothiazolin), 4-브로모- 2-n-도데실-3-이소티아졸린(4-bromo-2-n-dodecyl-3-isothiazolin), 4,5-디클로로-2-n-옥틸-3-이소티아졸린(4,5-dichloro-2-n-octyl-3-isothiazolin), 4-메틸-5-클로로-2-(4'-클로로벤질)-3-이소티아졸린(4-methyl-5-chloro-2-(4'-chlorobenzil)-3-isothiazolin), 4,5-디클로로-2-(4'-클로로벤질)-3-이소티아졸린(4,5-dichloro -2-(4'-chlorophenyl) -3-isothiazolin), 4,5-디클로로-2-(4'-클로로페닐)-3-이소티아졸린(4,5-dichloro-2-(4'-chlorophenyl) -3-isothiazolin), 4,5-디클로로-2-(2'-메톡시-3'-클로로페닐)-3-이소티아졸린(4,5-dichloro-2- (2'-methoxy-3'-chlorophenyl)-3-isothiazolin), 4,5-디브로모-2-(4'-클로로벤질)-3-이소티아졸린 (4,5-dibromo-2- (4'-chlorobenzil) -3- isothiazolin), 4-메틸-5-클로로-2-(4'-히드록시페닐)-3-이소티아졸린(4-methyl-5-chloro-2-(4'-hydroxyphenyl)-3- isothiazolin), 5-디클로로-2-n-헥실-3-이소티아졸린(4,5-dichloro-2-n-hexyl- 3-isothiazolin), 5-클로로-2-(3',4'-디클로로페닐)-3-이소티아졸린(5-chloro-2- (3',4'-dichlorophenyl) -3-isothiazolin), 6-아세톡시-2,4-디메틸-디옥산(6-acetoxy-2,4-dimethyl-dioxane), 2,2-디브로모-3-니트릴로프로피온(2,2-dibromo-3-nitrilopropion) 및 요오드(i2)로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상이고, 상기 안정제는 마그네슘 클로라이드(magnesium chloride), 마그네슘 나이트레이트(magnesium nitrate) 및 코퍼 나이트레이트 트리하이드레이트(copper nitrate trihydrate)로 이루어지는 군으로부터 선택된1종이상인것을특징으로 하는반도체 디바이스 연마용 cmp 슬러리. 제 1항에 있어서,상기 방부제는 트리스(히드록시메틸)니트로메탄 (tris(hydroxymethyl)nitromethane), 헥사하이드로-1,3,5-트리스(히드록시에틸)-s-트리아진(hexahydro-1,3,5-tris(hydroxyethyl)-s-triazine), 헥사하이드로-1,3,5-트리에틸-s-트리아진(hexahydro-1,3,5-triethyl-s-triazine), 1-(3-클로로알릴)-3,4,7-트리아자-1-아조니아아다만탄클로라이드(1-(3-chloroallyl)-3,4,7-triaza -1- azoniaadamantane chloride), 4-(2-니트로부틸)-몰폴린(4-(2-nitrobutyl)-morpholine), 4,4-(2-에틸-2-니트로트리메틸렌)-디몰폴린(4,4-(2-ethyl-2-nitrotrimethylene) -dimorpholine), 소디움-2-피리딘티올-1-옥사이드(sodium-2-pyridinethiol-1-oxide), 1,2-벤즈이소티아졸린-3-온(1,2-benzisothiazolin-3-one), 5-클로로-2-메틸-이소티아졸린-3-온(5-chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one), 2-메틸-4-이소티아졸린-3-온(2-methyl-4-isothiazolin-3-one), 5-클로로-2-페테틸-3-이소티아졸린(5-chloro-2-penetyl-3-isothiazolin), 4-브로모- 2-n-도데실-3-이소티아졸린(4-bromo-2-n-dodecyl-3-isothiazolin), 4,5-디클로로-2-n-옥틸-3-이소티아졸린(4,5-dichloro-2-n-octyl-3-isothiazolin), 4-메틸-5-클로로-2-(4'-클로로벤질)-3-이소티아졸린(4-methyl-5-chloro-2-(4'-chlorobenzil)-3-isothiazolin), 4,5-디클로로-2-(4'-클로로벤질)-3-이소티아졸린(4,5-dichloro -2-(4'-chlorophenyl) -3-isothiazolin), 4,5-디클로로-2-(4'-클로로페닐)-3-이소티아졸린(4,5-dichloro-2-(4'-chlorophenyl) -3-isothiazolin), 4,5-디클로로-2-(2'-메톡시-3'-클로로페닐)-3-이소티아졸린(4,5-dichloro-2- (2'-methoxy-3'-chlorophenyl)-3-isothiazolin), 4,5-디브로모-2-(4'-클로로벤질)-3-이소티아졸린 (4,5-dibromo-2- (4'-chlorobenzil) -3- isothiazolin), 4-메틸-5-클로로-2-(4'-히드록시페닐)-3-이소티아졸린(4-methyl-5-chloro-2-(4'-hydroxyphenyl)-3- isothiazolin), 5-디클로로-2-n-헥실-3-이소티아졸린(4,5-dichloro-2-n-hexyl- 3-isothiazolin), 5-클로로-2-(3',4'-디클로로페닐)-3-이소티아졸린(5-chloro-2- (3',4'-dichlorophenyl) -3-isothiazolin), 6-아세톡시-2,4-디메틸-디옥산(6-acetoxy-2,4-dimethyl-dioxane), 2,2-디브로모-3-니트릴로프로피온(2,2-dibromo-3-nitrilopropion) 및 요오드(i2)로 구성된 군으로부터 선택된1종이상인것을특징으로 하는반도체 디바이스 연마용 cmp 슬러리.