배치식 에피택셜층 형성장치 및 그 형성방법

[청구항 2] 복수개의 기판 상에 에피택셜층 을 형성하기 위한 배치식 에피택셜층 형성장치로서, 상기 에피택셜층이 형성되는 공간을 제공하는 챔버 상기 챔버 외측에 배치되고 복수개의 기판에 열을 인가하는 히터 상기 챔버 내측에 배치되고 상기 복수개의 기판이 안착되는 기판 지지부를 포함하는 보트 상기 챔버 내측에 상기 보트의 상기 기판 지지부의 중앙을 관통하도록 배치되며 상기 복수개의 기판에 대하여 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 및 상기 공정 가스를 배기하는 가스 배기부 를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 에피택셜층 형성장치 [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 챔버는 내부 챔버와 외부 챔버로 이루어지는 이중 챔버 구조를 가지며, 상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버 사이로는 냉각 가스가 공급될 수있는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 히터는 상기 챔버의 내부를 유도 가열할 수 있는코일형히터인것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 보트의 상기 기판 지지부에는 상기 기판이 안착되는기판 홀더설치되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 기판 홀더는그래파이트포함하는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 그래파이트의 표면nan은탄화규소코팅되어있는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 8] 제2항에 있어서,상기 기판 지지부는복수개인것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 9] 제2항에 있어서,상기 보트는회전가능한것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 10] 제2항에 있어서,상기 복수개의 기판은 각각 독립적으로회전가능한것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 11] 제2항에 있어서,상기 가스 공급부는회전가능한것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 12] 제2항에 있어서,상기 가스 공급부는 외부로부터 공정 가스가 공급되는 가스 공급관 및 상기 가스 공급관과 연결되어 상기 가스 공급관으로 공급된 공정 가스를 분사하는 복수개의 가스 분사부를 포함하고,상기 가스 배기부는 복수개의 단위 가스 배기부를 포함하며, 상기 단위 가스 배기부는 상기 공정 가스를 흡입하는 복수개의 가스 흡입부 및 상기 복수개의 가스 흡입부와 연결되어 상기 공정 가스를 외부로 배기하는단위가스배기관포함하는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 기판 지지부는 복수개이며, 상기 복수개의 기판 지지부 각각에 대하여 상기 가스 분사부 및 상기 가스 흡입부가 동일한개수대응되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 단위 가스 배기관은 상기 챔버 내측에상기기판 지지부의주위배치되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 가스 공급관 및 상기 단위 가스 배기관은 내관과 외관으로 이루어지는 이중 관 구조를 가지며, 상기 내관과 상기 외관 사이로는 냉각 가스가 공급될 수있는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 가스 공급관의 상기 내관과 상기 외관에는 복수개의 가스 분사부가 설치되며, 상기 단위 가스 배기관의 상기 내관과 상기 외관에는복수개의가스 흡입부가설치되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 가스 공급관의 상기 외관의 상기 가스 분사부는 상기 가스 공급관의 상기 내관의 상기 가스 분사부로부터 분사된 상기 공정 가스를 분사하고, 상기 단위 가스 배기관의 상기 내관의 상기 가스 흡입부는 상기 단위 가스 배기관의 상기 외관의 상기 가스 흡입부로부터 흡입된상기공정가스흡입하는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.