증착 장치 및 이를 이용한 갭필 방법

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 공정 가스 공급부는 소오스 가스 및 반응 가스를 공급하는 소오스 공급부 및 반응 가스 공급부, 상기 큐어링 가스를 공급하는 큐어링 가스 공급부, 식각 가스를 공급하는 식각 가스 공급부 및 클린 가스를 공급하는 클린 가스 공급부포함하는증착 장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 반응 챔버와 상기 반응 가스 공급부, 큐어링 가스 공급부, 식각 가스 공급부 및 클린 가스 공급부를 연결하는 챔버 리드더 포함하는증착 장치. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 챔버 리드는 상부가 상기 공정 가스 공급부와 연결된 인젝터;상기 인젝터 하단에 연결된 배플; 및상기 인젝터 및 배플을 내부에 수용하며 상기 반응 챔버와 결합되는 연결체포함하는증착 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 플라즈마 발생부는 상기 연결체 내의 상기 인젝터 근방에 마련되어 상기 반응 가스를 여기시켜 반응 가스 라디컬을 생성하는제1플라즈마 발생부를포함하는증착 장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 샤워헤드는 상기 반응 가스 라디컬과 상기 소오스 가스를 서로 다른 경로유입하는증착 장치. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 샤워헤드는 중앙부의 상부가 개방되고 하부가 적어도 일부 개방되며, 내부의 적어도 일 영역에 공간이 마련된 몸체;상기 몸체의 일 영역에 마련된 단턱부;상기 몸체의 중앙부 하단에 형성된 복수의 제 1 분사홀; 및상기 몸체의 중앙부 내측벽에 형성된 복수의 제 2 분사홀포함하는증착 장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 샤워헤드의 상기 단턱부 상에 안착되는 라디컬 유도부더 포함하는증착 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 라디컬 유도부는 복수의 제 1 배출홀이 형성된 판;상기 제 1 배출홀에 대응하여 하부로 돌출된 복수의 제 2 배출홀; 및상기 판의 가장자리에 마련된 안착부를 포함하며,상기 안착부가 상기 샤워헤드의 단턱부안착되는증착 장치. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,상기 소오스 가스는 상기 샤워헤드의 몸체로 공급되고 제 2 분사홀 및 제 1 분사홀의 일부를 통해 하부로 분사되며, 상기 반응 가스 라디컬은 상기 라디컬 유도부 및 상기 샤워헤드의 제 1 분사홀의 다른 일부를 통해 하부분사되는증착 장치. [청구항 11] 제 5 항에 있어서,상기 플라즈마 발생부는 상기 반응 챔버 상에 마련되어 상기 큐어링 가스를 여기시키는 제 2 플라즈마 발생부;상기 클린 가스 공급부 상에 마련되어 상기 클린 가스를 여기시키는 제 3 플라즈마 발생부; 및상기 식각 가스 공급부 상에 마련되어 상기 식각 가스를 여기시키는제4플라즈마 발생부를더 포함하는증착 장치. [청구항 12] 제 2 항에 있어서,상기 플라즈마 발생부는 상기 반응 가스 공급부 상에 마련되어 상기 반응 가스를 여기시키는 제 1 플라즈마 발생부;상기 반응 챔버 상에 마련되어 상기 큐어링 가스를 여기시키는 제 2 플라즈마 발생부;상기 클린 가스 공급부 상에 마련되어 상기 클린 가스를 여기시키는제3플라즈마 발생부를포함하는증착 장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 식각 가스 공급부는 상기 반응 가스 공급부, 큐어링 가스 공급부 또는 클린 가스 공급부와 연결되어 상기 제 1 내지 제 3 플라즈마 발생부의 어느 하나에 의해 상기 식각 가스여기되는증착 장치.