ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ 기판, 적외 ＬＥＤ용의 에피택셜 웨이퍼, 적외 ＬＥＤ, ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ 기판의 제조 방법, 적외 ＬＥＤ용의 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 적외 ＬＥＤ의 제조 방법

[청구항 1] 주표면과, 상기 주표면과 반대측의 이면을 갖는 al x ga (1-x) as층(0≤x≤1)을 구비한 al x ga (1-x) as 기판으로서, 상기 al x ga (1-x) as층에서, 상기 이면의 al의 조성비(x)는, 상기 주표면의 al의 조성비(x)보다도 높은 것을 특징으로 하는 al x ga (1-x) as 기판 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기alxga(1-x)as층은, 복수의 층을 포함하고,상기 복수의 층은, 상기 이면측의 면으로부터 상기 주표면측의 면을 향하여 al의 조성비(x)가 각각 단조감소하는 것인alxga(1-x)as 기판. [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기alxga(1-x)as층의 상기 이면에 접하는 gaas 기판더 구비하는alxga(1-x)as 기판. [청구항 4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 al x ga (1-x) as 기판과, 상기 al x ga (1-x) as층의 상기 주표면 상에 형성되며, 또한 활성층을 포함하는 에피택셜층을 구비하는 적외 led용의 에피택셜 웨이퍼 [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 에피택셜층에서 상기 alxga(1-x)as층과 접하는 면의 al의 조성비(x)는, 상기 alxga(1-x)as층에서 상기 에피택셜층과 접하는 면의 al의 조성비것인 적외 led용의 에피택셜 웨이퍼. [청구항 6] 제4항 또는 제5항에 있어서,발광 파장이 900 ㎚ 이상인 적외 led에 이용되는 에피택셜 웨이퍼로서, 상기 활성층 내의 우물층은 인듐을 포함하는 재료를 가지며, 상기 우물층의 층수는 4층이하인 것인적외 led용의 에피택셜 웨이퍼. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 우물층nan은인듐의조성비05이상인인 것인적외 led용의 에피택셜 웨이퍼. [청구항 8] 제4항 또는 제5항에 있어서,발광 파장이 900 ㎚ 이상인 적외 led에 이용되는 에피택셜 웨이퍼로서, 상기 활성층 내의 배리어층은 인을 포함하는 재료를 가지며, 상기 배리어층의 층수는 3층이상인 것인적외 led용의 에피택셜 웨이퍼. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 배리어층nan은인의조성비05이상인인 것인적외 led용의 에피택셜 웨이퍼. [청구항 10] 제1항 또는 제2항에 기재된 al x ga (1-x) as 기판과, 상기 al x ga (1-x) as층의 상기 주표면 상에 형성되며, 또한 활성층을 포함하는 에피택셜층과, 상기 에피택셜층의 표면에 형성된 제1 전극과, 상기 al x ga (1-x) as층의 상기 이면에 형성된 제2 전극을 구비하는 적외 led [청구항 11] 제3항에 기재된 al x ga (1-x) as 기판과, 상기 al x ga (1-x) as층의 상기 주표면 상에 형성되며, 또한 활성층을 포함하는 에피택셜층과, 상기 에피택셜층의 표면에 형성된 제1 전극과, 상기 gaas 기판의 상기 이면에 형성된 제2 전극을 구비하는 적외 led