결속상태가 개선된 반도체 장치의 제조장치

[청구항 2] 제1항에 있어서,와이어 결속부위 및 후미 결속부위에는 각각 리이드후레임 (40)을 가열하기 위한가열수단설치된것을특징으로 하는제조장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,가열수단(30,32)은리이드후레가열시키는것특징으로 하는제조장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,환원성 가스는 200℃이상온도인것을특징으로 하는제조장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,환원성가스는 5내지 20%의 h2가스와, 95내지 80%의 n2가스혼합된것특징으로 하는제조장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,결속와이어 공급수단은 결속와이어(80)의 보올(82)을 전극패드에 압착시키기 위하여 보올(82)과 전극패드(56)와의 결속면의 직경을 결속와이어의 직경에 2배 이상 되도록 한 것특징으로 하는제조장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,결속와이어 공급수단은 결속와이어(80)의 보올(82)을 전극패드에 압착시키기 위하여 전극패드(56) 내부로 보올의 일부를 4내지 3㎛깊이장입시키도록된것특징으로 하는제조장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,결속와이어의 공급수단은 결속와이어(80)에 50내지 100g의하중부가시키도록된것특징으로 하는제조장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,가압수단을 결속와이어(80)의 보올(84)을 외부유도 도선 (44)에 압착시키기 위하여 외부유도 도선(44)내의 보올(84)의 일부를 20에서 50㎛의깊이장입시키도록한것특징으로 하는제조장치. [청구항 10] 제9항가압수단은 결속와이어에 300내지 500g의하중부가시키도록된것특징으로 하는제조장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,이송통로(10)에는 이송방향(2)을 따라 와이어 결속부의 앞부분에 다이결부형성된것특징으로 하는제조장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,결속부(12)는 반도체 소자(50)를 공급하기 위하여 반도체 소자를 리이드후레임(40)상에 설치시키는반도체 소자설치수단형성된것특징으로 하는제조장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,형성 수단은 내관(92)과 내관의 외측에 외관(94)을 가지고 있는 2중관 구조의 버너(90)로 형성되어 있고, 상기 내관(92)에서는 이송통로(10)를 통하여 공급되는 h2와 o2가스가 2 : 1의 비율로 혼합된 혼합가스를 분출하여 산수소불꽃(100)을 형성하며, 상기의 외관(94)과 내관(92)사이에서는 o2와 n2가스의 혼합비가 20내지 100% : 80내지 0%인 혼합가스가 상기의 산수소불꽃(100)의 부근에서 분출되어공기막형성시키도록된것을특징으로 하는제조장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,이동통로(10)는 실질적으로 장방형 및 원추형 덮개(20)로 이루어지고, 이 덮개가 있는 와이어 결속부는 와이어 결속부(14)를 이송통로(10)에 공급하기 위하여창틀형성된것특징으로 하는제조장치. [청구항 15] 제1항에 있어서,창틀(24)은 그 개구면적이 변화될 수 있도록 형성되어 있되 버너(90)가 결속와이어(80)를 용융시켜 보올을 형성할 경우에는 상기 창틀(24)의 개구면적이 작아지면서 보올(82)의 주면을 환원성가스가 둘러싸이게되도록형성된것특징으로 하는제조장치.