반도체 기판의 열처리 방법 및 장치

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 노의 베이스, 측벽들 및 꼭대기에 부착된다수의열전지들더포함하는것을특징으로 하는장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 베이스, 측벽들 및 꼭대기는 금속, 세라믹, 유리, 굴절 혼합물, 및 이들의 결합으로 구성된그룹선택되는것을특징으로 하는장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 급속 삽입 및 회수 수단은 기체 드라이브들, 고속의 볼-스크류 드라이브들, 벨트 드라이브들, 로드리스 액츄에이터들과, 그리고 선형 서보 및 스테퍼 모터들로 구성된그룹선택되는것을특징으로 하는장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 히터들은 저항성 히터들인것을특징으로 하는장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 저항성 히터들에 제공되는 파워를 제어하는수단더포함하는것을특징으로 하는장치. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 웨이퍼를 화학 기상 증착 처리에 유용한 반응성 가스들에 노출시키는수단더포함하는것을특징으로 하는장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 삽입 및 철회 속도는 적어도 도 2b에 주어진 것들 만큼 큰 것특징으로 하는장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 삽입 및 철회 수단은, 웨이퍼의 주변을 완전히 지지하며 방사 보호물을 제공하는웨이퍼캐리어포함하는것을특징으로 하는장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 반도체 기판은 적어도 약 200mm의직경갖는것을특징으로 하는장치. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 반도체 기판은 적어도 약 300mm의직경갖는것을특징으로 하는장치. [청구항 15] 제 12 항에 있어서,상기 반도체 기판은 적어도 약 400mm의직경갖는것을특징으로 하는장치. [청구항 16] 제 12 항에 있어서,상기 회수 속도는 상기 실질적으로 더 낮은 열적인 환경으로의 회수로 인한상기반도체기판의플라스틱변형충분한것을특징으로 하는장치. [청구항 17] 제 12 항에 있어서,상기 가열된 캐비티는 가열 보호 벽들에 둘러싸여지고, 상기 히터 시스템은 상기 가열된 캐비티 내에 배열된 가열된 표면을 포함하며, 그리고 상기 기판을 처리를 위해 가열된 표면쪽으로 실질적으로 직각으로 이동시키고, 그리고 처리 후에는 상기 기판을 상기 가열된 표면으로부터 이동시키는지지체더포함하는것을특징으로 하는장치. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,상기 로봇은 상기 기판을 상기 가열된 캐비티 내에 삽입하고, 상기 기판을 상기 가열된 표면들과 실질적으로 평행한 상기 지지체 위에 놓으며; 상기 지지체는 상기 기판을 처리를 위해 상기 가열된 표면에 실질적으로 평행하고 바짝 인접하게 이동시키고, 처리 후에는 상기 기판으로부터 이동시키며; 그리고상기 로봇은 상기 지지체로부터 상기 기판을 제거하고 상기 가열된 캐비티로부터상기기판회수하는것을특징으로 하는장치. [청구항 19] 제 12 항에 있어서,상기 히터는 상기 반도체 기판을 처리하기 위해 상기 가열된 캐비티를 실질적으로등온환경유지하는것을특징으로 하는장치. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,상기 회수 속도는 상기 실질적으로 더 냉각된 열적인 환경으로의 회수로 인한상기반도체기판의플라스틱변형충분한것을특징으로 하는장치. [청구항 21] 제 12 항에 있어서,상기 회수 속도는 약 0.2m/s의 회수 속도에서 야기되는 플라스틱 변형의 레벨에 대한상기기판의플라스틱변형을실질적충분한것을특징으로 하는장치. [청구항 22] 제 12 항에 있어서,상기 회수 속도는 약 0.5m/s 보다 더 큰 것특징으로 하는장치. [청구항 23] 제 12 항에 있어서,상기 회수 속도는 약 0.75m/s 보다 더 큰 것특징으로 하는장치. [청구항 24] 제 12 항에 있어서,상기 회수 속도는 약 1m/s 보다 더 큰 것특징으로 하는장치. [청구항 25] 제 12 항에 있어서,상기 회수 속도는 약 1.5m/s 보다 더 큰 것특징으로 하는장치. [청구항 26] 제 12 항에 있어서,상기 회수 속도는 약 2m/s 보다 크며, 상기 기판은 적어도 약 300mm의직경갖는것을특징으로 하는장치. [청구항 27] 제 12 항에 있어서,상기 회수 속도는 약 0.4내지사이인것을특징으로 하는장치. [청구항 28] 제 12 항에 있어서,상기 회수 속도는 약 0.3 내지 1.2 m/s의 사이이며, 약 100 마이크론 이하의 길이를 갖는 점같은 결함들로 제한되는 플라스틱 변형 결함들이 형성되도록선택되는것을특징으로 하는장치. [청구항 29] 제 25 항에 있어서,상기 기판은 적어도 300mm의직경갖는것을특징으로 하는장치. [청구항 30] 제 12 항에 있어서,상기 실질적으로 더 차가운 열적인 환경은 약섭씨200도이하의온도갖는것을특징으로 하는장치. [청구항 31] 제 12 항에 있어서,상기 처리 온도는 약 섭씨 1000도 보다 크며, 상기 반도체 기판은 적어도 150mm의직경갖는것을특징으로 하는장치. [청구항 32] 제 12 항에 있어서,상기 처리 온도는 약 섭씨 1100도 보다 크며, 상기 반도체 기판은 적어도 150mm의직경갖는것을특징으로 하는장치. [청구항 33] 제 12 항에 있어서,상기 철회 이후 상기 기판의 에지에서의 냉각률을 감소시키는 상기 반도체 기판의 에지에 대한가열보호물더포함하는것을특징으로 하는장치. [청구항 34] 제 12 항에 있어서,상기 기판과 실질적으로 동일한 지면 열 중량을 가지며, 상기 기판 두께의 4의 팩터 내의 두께를 갖는 기판 캐리어를 더 포함하는데, 상기 기판 캐리어는 상기 가열된 캐비티 높이의 적어도 1/2에 해당하는거리만큼상기기판의에지연장되는것을특징으로 하는장치. [청구항 35] 제 12 항에 있어서,상기 기판의 둘레 주위에서 기판을 지지하는 기판 캐리어를 더 포함하는데, 상기 기판 캐리어는 상기 기판 캐리어를 통하여 상기 기판의 에지에 힘을 인가함으로써, 상기 삽입 및 철회를 위하여 상기 기판을 가속시키기 위해 상기 기판의 평면을 따라실질적이동되는것을특징으로 하는장치. [청구항 36] 제 12 항에 있어서,상기 삽입 속도는 적어도 0.3 m/s인것을특징으로 하는장치. [청구항 37] 제 12 항에 있어서,상기 회수 속도는 상기 삽입 속도 보다 큰 것특징으로 하는장치.