비휘발성 기억 소자 및 그 형성 방법

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 공간내에 형성된 캐핑 패턴을 더 포함하되, 상기 공간을 채우는 절연 물질은 상기 캐핑패턴포함하는것을특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,핑 패턴의 상부면은 상기 벽부의 상부면과 동일한 높이거나 높은 것특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,핑 패턴의 상부면은 상기 벽부의 상부면에 비하여 낮되, 상기 캐핑 패턴 위의 상기 공간은 상기 블로킹 절연 패턴의 일부에 의해 채워지고, 상기 공간을 채우는 절연 물질은 상기 캐핑 패턴 및 상기 블로킹 절연 패턴의 상기 공간을 채우는부분포함하는것을특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,상기 불순물 도핑층에 인접한 상기 캐핑 패턴의 측면,및상기플로팅 게이트의측면서로정렬된것을특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 블로킹 절연 패턴은 아래로 연장되어 상기 공간의 전체를 채우되, 상기 공간을 채우는 절연 물질은상기블로킹절연 패턴의상기공간채우는부분인 것을특징으로 비휘발성 기억 소자. [청구항 7] 제 1 항 내지 제 6 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 평판부의 두께는 상기 제어 게이트 전극 아래에 정의된 채널 영역의 폭과 평행한 상기 벽부의 폭에 비하여 두꺼운 것특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 8] 제 1 항 내지 제 6 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 제어 게이트 전극 아래에 정의된 채널 영역의 폭과 평행한 상기 벽부의 폭은 상기 채널 영역의 폭과 평행한 상기 공간의 폭에 비하여 큰 것특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 9] 제 1 항 내지 제 6 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 벽부는 도핑된 폴리실리콘으로 이루어지되, 상기 제어 게이트 전극에 동작전압이 인가될때, 상기 벽부는 부분공핍되는폭인것을특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 10] 제 1 항 내지 제 6 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 불순물 도핑층과 인접한 상기 플로팅 게이트의 측면,상기블로킹절연 패턴의측면및상기제어게이트 전극의측면서로정렬된것을특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 블로킹 절연 패턴과 상기 평판부의 상부면 상에 개재되어 상기 공간의 일부를 채우는캐핑패턴더포함하는것을특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 불순물 도핑층에 인접한 상기 캐핑패턴의측면및상기플로팅 게이트의측면서로정렬된것을특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 14] 제 11 항 내지 제 13 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 벽부의 폭 및 상기 갭필부의 폭은 상기 제어 게이트 전극 아래에 정의된채널 영역의폭평행한것을특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 15] 제 11 항 내지 제 13 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 평판부의 두께는 상기 제어 게이트 전극 아래에 정의된 채널 영역의 폭과 평행한 상기 벽부의 폭에 비하여 큰 것특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 16] 제 11 항 내지 제 13 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 벽부는 도핑된 폴리실리콘으로 이루어지되, 상기 제어 게이트 전극에 동작전압이 인가될때 상기 벽부는 부분공핍되는폭인것을특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 17] 제 11 항 내지 제 13 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 벽부의 상부면으로부터 상기 평판부의 상부면까지인 상기 공간의 깊이로부터 상기 블로킹 절연 패턴의 두께를 뺀 값은 상기 평판부의 두께에 비하여 큰 것특징으로 하는비휘발성 기억 소자. [청구항 18] 제 11 항 내지 제 13 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 불순물 도핑층에 인접한 상기 플로팅 게이트의 측면, 상기 블로킹 절연 패턴의 측면,및상기제어게이트 전극의측면서로정렬된것을특징으로 하는비휘발성 기억 소자.