문맥 (context)
[청구항2]
제1항에 있어서,상기 기판 지지부는복수개의기판지지판포함하는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항3]
제2항에 있어서,상기 가스 공급부에는 공정 가스를 분사하는복수개의가스분사부형성되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항4]
제3항에 있어서,상기 복수개의 가스 분사부가 상기 가스 공급부에 형성된 위치는상기복수개의기판지지판각각의위치대응하는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항5]
제4항에 있어서,상기 가스 공급부는내관과외관포함하는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항6]
제5항에 있어서,상기 복수개의 가스 분사부는 상기 내관을 통해 공급되는 공정 가스를 분사하는 제1 가스 분사부와, 상기 외관을 통해 공급되는 공정 가스를 분사하는제2가스분사부포함하는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항7]
제6항에 있어서,상기 제1 가스 분사부는 상기 내관 외벽에 형성된 노즐 형태로서 상기 외관에 형성된 홀을 관통하고, 상기 제1 가스 분사부의 단부는외관의외부노출되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항8]
제6항에 있어서,상기 제2 가스 분사부는 상기 외관에 형성된홀형태인것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항9]
제6항에 있어서,상기 내관을 통해 공급되는 공정 가스와 상기 외관을 통해 공급되는 공정 가스의 종류가 서로 다른 것특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항10]
제5항에 있어서,상기 내관nan은복수개구성되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항11]
제1항에 있어서,상기 각각의 기판 지지판에는 상기 기판이 안착되는복수개의기판 홀더설치되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
제2항에 있어서,상기 각각의 기판 지지판에는 상기 기판이 안착되는복수개의기판 홀더설치되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항12]
제11항에 있어서,상기 기판 홀더의 재질은 석영(quartz), 비정질 카본(amorphous carbon), 다이아몬드성 카본(diamondlike carbon), 유리성 카본(glasslike carbon), 그래파이트(graphite), 탄화규소(sic) 및 탄화규소로 코팅된그래파이트중선택되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
제11항에 있어서,상기 기판 홀더의 재질은 석영(quartz), 비정질 카본(amorphous carbon), 다이아몬드성 카본(diamondlike carbon), 유리성 카본(glasslike carbon), 그래파이트(graphite), 탄화규소(sic) 및 탄화규소로 코팅된그래파이트중선택되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항13]
제1항에 있어서,상기 가스 공급부는회전가능한것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
제1항에 있어서,상기 가스 공급부는회전가능한것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항14]
제1항에 있어서,상기 기판 지지부는회전가능한것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
제1항에 있어서,상기 기판 지지부는회전가능한것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항15]
제1항에 있어서,상기 복수개의 기판은 각각 독립적으로회전가능한것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
제1항에 있어서,상기 복수개의 기판은 각각 독립적으로회전가능한것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항16]
제11항에 있어서,상기 챔버의 외측에 배치되고 복수개의 기판에 열을 인가하는 히터를 더 포함하고, 상기 히터는저항가열방식히터인것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
제11항에 있어서,상기 챔버의 외측에 배치되고 복수개의 기판에 열을 인가하는 히터를 더 포함하고, 상기 히터는저항가열방식히터인것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
[청구항17]
제1항에 있어서,상기 기판 지지부의 하부에 위치하는 하부지지대를 더 포함하고,상기 하부지지대에는 상기 복수개의 기판에 공급된 공급 가스를 배기하기 위한배기구형성되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
제1항에 있어서,상기 기판 지지부의 하부에 위치하는 하부지지대를 더 포함하고,상기 하부지지대에는 상기 복수개의 기판에 공급된 공급 가스를 배기하기 위한배기구형성되는것을특징으로 하는배치식 에피택셜층 형성장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
가스 공급부의 구성 요소는 무엇이며, 제1 가스 분사부와 제2 가스 분사부는 각각 어떤 경로를 통해 공정 가스를 분사하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation가스 공급부의 구성 요소와 제1, 제2 가스 분사부의 가스 공급 경로를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction가스 공급부의 구성과 각 분사부의 가스 공급 경로에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 가스 공급부는내관과외관포함하는것을특징으로 하는
- 상기 내관을 통해 공급되는 공정 가스를 분사하는
- 상기 외관을 통해 공급되는 공정 가스를 분사하는제2가스분사부
-
3근거 선택
evidence_selection가스 공급부의 구성(내관, 외관)과 분사부별 경로(제1-내관, 제2-외관)를 명시한 문구를 선택한다.
- 가스 공급부는내관과외관포함하는것을특징으로 하는
- 상기 내관을 통해 공급되는 공정 가스를 분사하는
- 상기 외관을 통해 공급되는 공정 가스를 분사하는제2가스분사부
-
4논리 통합
logical_integration가스 공급부는 내관과 외관으로 구성되며, 제1 가스 분사부는 내관을, 제2 가스 분사부는 외관을 통해 가스를 분사함을 연결한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation가스 공급부는 내관과 외관을 포함하며, 제1 가스 분사부는 내관을 통해, 제2 가스 분사부는 외관을 통해 공정 가스를 분사한다.
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
근거 (evidence)
- 상기 가스 공급부는내관과외관포함하는것을특징으로 하는
- 상기 내관을 통해 공급되는 공정 가스를 분사하는
- 상기 외관을 통해 공급되는 공정 가스를 분사하는제2가스분사부
- 가스 공급부는내관과외관포함하는것을특징으로 하는
최종 답변 (final_answer)
가스 공급부는 내관과 외관을 포함한다. 제1 가스 분사부는 내관을 통해 공급되는 공정 가스를 분사하며, 제2 가스 분사부는 외관을 통해 공급되는 공정 가스를 분사한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
가스 공급부는 내관과 외관의 이중 구조로 이루어져 있으며, 각 관을 통해 서로 다른 공정 가스를 제1 및 제2 가스 분사부로 공급할 수 있는 구조이다.