포스폰산기를 함유한 중합체를 포함하는 양성자-전도성중합체 막 및 연료전지에서의 그의 용도

[청구항2] 제 1 항에 있어서,방향족 테트라아미노 화합물로서 3,3',4,4'-테트라아미노비페닐, 2,3,5,6-테트라아미노피리딘, 1,2,4,5-테트라아미노벤젠, 비스(3,4-디아미노페닐)술폰, 비스(3,4-디아미노페닐)에테르, 3,3',4,4'-테트라아미노벤조페논, 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐메탄 및 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐디메틸메탄사용함을특징으로 하는막. [청구항3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,방향족 카르복실산으로서 이소프탈산, 테레프탈산, 프탈산, 5-히드록시이소프탈산, 4-히드록시이소프탈산, 2-히드록시테레프탈산, 5-아미노이소프탈산, 5-n,n-디메틸아미노이소프탈산, 5-n,n-디에틸아미노이소프탈산, 2,5-디히드록시테레프탈산, 2,5-디히드록시이소프탈산, 2,3-디히드록시이소프탈산, 2,3-디히드록시프탈산, 2,4-디히드록시프탈산, 3,4-디히드록시프탈산, 3-플루오로프탈산, 5-플루오로이소프탈산, 2-플루오로테레프탈산, 테트라플루오로프탈산, 테트라플루오로이소프탈산, 테트라플루오로테레프탈산, 1,4-나프탈렌디카르복실산, 1,5-나프탈렌디카르복실산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 2,7-나프탈렌디카르복실산, 디펜산, 1,8-디히드록시나프탈렌-3,6-디카르복실산, 비스(4-카르복시페닐)에테르, 벤조페논-4,4'-디카르복실산, 비스(4-카르복시페닐)술폰, 비페닐-4,4'-디카르복실산, 4-트리플루오로메틸프탈산, 2,2-비스(4-카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 4,4'-스틸벤디카르복실산, 4-카르복시신남산, 또는 이의 c1-c20-알킬 에스테르 또는 c5-c12-아릴 에스테르,또는이의무수물또는산염화물사용함을특징으로 하는막. [청구항4] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,방향족 카르복실산으로서 트리카르복실산, 이의 c1-c20-알킬 에스테르, 이의 c5-c12-아릴 에스테르, 이의 무수물 또는 산 염화물 또는 테트라카르복실산, 이의 c1-c20-알킬 에스테르, 이의 c5-c12-아릴 에스테르,이의무수물또는이의산염화물사용함을특징으로 하는막. [청구항5] 제 4 항에 있어서,방향족 카르복실산으로서 1,3,5-벤젠트리카르복실산(트리메식산); 2,4,5-벤젠트리카르복실산(트리멜리틱산); (2-카르복시페닐)이미노디아세트산, 3,5,3'-비페닐트리카르복실산; 3,5,4'-비페닐트리카르복실산, 2,4,6-피리딘 트리카르복실산, 벤젠-1,2,4,5-테트라카르복실산; 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산, 3,5,3',5'-비페닐테트라카르복실산, 벤조페논테트라카르복실산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 및/또는 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산사용함을특징으로 하는막. [청구항6] 제 4 항에 있어서,트리카르복실산및/또는 테트라카르복실산의 함량이, 사용된 디카르복실산을 기준으로 0 내지 30 몰%, 바람직하게는 0.1 내지 20 몰%, 특히 0.5 내지 10 몰% 의 범위특징으로 하는막. [청구항7] 제 1 항에 있어서,헤테로방향족 카르복실산으로서 하나 이상의 질소, 산소, 황 또는 인 원자를 방향족 내에 함유하는 헤테로방향족 디카르복실산, 헤테로방향족 트리카르복실산 및/또는헤테로방향족 테트라카르복실산사용함을특징으로 하는막. [청구항8] 제 7 항에 있어서,피리딘-2,5-디카르복실산, 피리딘-3,5-디카르복실산, 피리딘-2,6-디카르복실산, 피리딘-2,4-디카르복실산, 4-페닐-2,5-피리딘디카르복실산, 3,5-피라졸디카르복실산, 2,6-피리미딘디카르복실산, 2,5-피라진디카르복실산, 2,4,6-피리딘트리카르복실산, 벤즈이미다졸-5,6-디카르복실산, 및 또한 이의 c1-c20-알킬 에스테르 또는 c5-c12-아릴 에스테르, 또는 이의 무수물 또는 이의 산 염화물 또는 이의 c1-c20-알킬 에스테르 또는 c5-c12-아릴에스테르또는이의무수물또는이의산염화물사용함을특징으로 하는막. [청구항9] 제 1 항에 있어서,방향족 디아미노 카르복실산으로서 디아미노벤조산 및/또는 이의 모노히드로클로라이드및디히드로클로라이드유도체사용함을특징으로 하는막. [청구항10] 제 1 항에 있어서,단계a) 및/또는 단계 b) 에서 제조된 혼합물이, 하기 식의 화합물: [식에서, r 은 결합, c1-c15-알킬기, c1-c15-알콕시기, 에틸렌옥시기 또는 c5-c20-아릴 또는 헤테로아릴기로서, 상기 라디칼은 할로겐, -oh, cooz, -cn, nz2 로 치환될 수 있고, 라디칼 z 는 각각 서로 독립적으로, 수소, c1-c15-알킬기, c1-c15-알콕시기, 에틸렌옥시기 또는 c5-c20-아릴 또는 헤테로아릴기로서, 상기 라디칼은 할로겐, -oh, -cn 으로 치환될 수 있고, x 는 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 또는 10 이고, y 는 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 또는 10 이다] 및/또는 하기 식의 화합물: [식에서, r 은 결합, c1-c15-알킬기, c1-c15-알콕시기, 에틸렌옥시기 또는 c5-c20-아릴 또는 헤테로아릴기로서, 상기 라디칼은 할로겐, -oh, cooz, -cn, nz2 로 치환될 수 있고, 라디칼 z 는 각각 서로 독립적으로, 수소, c1-c15-알킬기, c1-c15-알콕시기, 에틸렌옥시기 또는 c5-c20-아릴 또는 헤테로아릴기로서, 상기 라디칼은 할로겐, -oh, -cn 으로 치환될 수 있고, x 는 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 또는 10 이다] 및/또는 하기 식의 화합물: [식에서, a 는 식 coor2, cn, conr2 2, or2 및/또는 r2 의 기이고, 여기서 r2 는 수소, c1-c15-알킬기, c1-c15-알콕시기, 에틸렌옥시기 또는 c5-c20-아릴 또는 헤테로아릴기로서, 상기 라디칼은 할로겐, -oh, cooz, -cn, nz2 로 치환될 수 있고, r 은 결합, 2가 c1-c15-알킬렌기, 2가 c1-c15-알킬렌옥시기, 예컨대 에틸렌옥시기, 또는 2가 c5-c20-아릴 또는 헤테로아릴기로서, 상기 라디칼은 할로겐, -oh, cooz, -cn, nz2 로 치환될 수 있고, 라디칼 z 는 각각 서로 독립적으로, 수소, c1-c15-알킬기, c1-c15-알콕시기, 에틸렌옥시기 또는 c5-c20-아릴 또는 헤테로아릴기로서, 상기 라디칼은 할로겐, -oh, -cn 으로 치환될 수 있고, x 는 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9또는10이다포함함을특징으로 하는막. [청구항11] 제 1 항에 있어서,단계d) 에서, 가교를 일으킬 수 있으며, 2 개 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 지닌단량체중합함을특징으로 하는막. [청구항12] 제 1 항에 있어서,단계d) 에서의 중합 반응이 유리기를 형성할 수 있는 물질에 의해발생됨을특징으로 하는막. [청구항13] 제 1 항에 있어서,단계d) 에서의 중합 반응이 ir 또는 nir, 자외선, β-선, γ-선 및/또는전자빔조사함특징으로 하는막. [청구항14] 제 1 항에 있어서,단계a) 및/또는 단계 b) 에서 제조된 혼합물이 용해, 분산 및/또는 현탁된중합체포함함을특징으로 하는막. [청구항15] 제 1 항에 있어서,단계c) 에서 두께가 20 내지 4000 ㎛, 바람직하게는 30 내지 3500 ㎛, 특히 50 내지 3000 ㎛인층제조함을특징으로 하는막. [청구항16] 제 1 항에 있어서,단계d) 에서 형성된 막의 두께가 15 내지 3000 ㎛, 바람직하게는 20 내지 2000 ㎛, 특히 20 내지 1500 ㎛ 범위특징으로 하는막. [청구항18] 제 17 항에 있어서,상기 코팅의 두께가 2 내지 3000 ㎛, 바람직하게는 3 내지 2000 ㎛, 특히 5 내지 1500 ㎛ 의범위인전극.