무기 전도체를 이용한 수소이온 전도성 복합막 및 그의제조방법

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기(a) 판상형 포스페이트와 상기 (b) 실리케이트, 실록산 및 실란으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 중량비가 1 : 0.2내지인것을특징으로 하는이온전도성 무기막. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기(a) 판상형 포스페이트와 (b) 케긴형 폴리옥소메탈레이트 또는 케긴형 헤테로폴리산의 중량비가 1000 :1내지인것을특징으로 하는이온전도성 무기막. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 판상형 포스페이트가 알파-지르코늄포스페이트인것을특징으로 하는이온전도성 무기막. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 실리케이트, 실록산 및 실란으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상이 콜로이드상 실리카, 폴리디메틸실록산(pdms), 알콕시실란(alkoxysilane),클로로실란또는이들혼합물인것을특징으로 하는이온전도성 무기막. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 실리케이트, 실록산 및 실란으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상이 테트라에틸오쏘실리케이트(teos: tetraethylorthosilicate), 테트라메틸오쏘실리케이트(tmos: tetramethylorthosilicate), 1,2-비스(트리메톡시실릴)에탄(1,2-bis(trimethoxysilyl)ethane), 옥틸트리메톡시실란(octyltrimethoxysilane), 테트라에틸 실리케이트, 테트라이소프로필 실리케이트, 테트라메틸 실리케이트, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라이소프로폭시실란, 프로필트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 아미노알콕시실란, 실리콘테트라클로라이드(sicl4), 트리클로로(디클로로메틸)실란(cl2chsicl3), 트리클로로(헥실)실란(ch3(ch2)5sicl3), 트리클로로(이소부틸)실란((ch3)2chch2sicl3), 트리클로로(옥타데실)실란(ch3(ch2)17sicl3), 트리클로로옥틸실란, 트리클로로(펜에틸)실란(c6h5ch2ch2sicl3), 트리클로로(페닐)실란, 트리클로로(프로필)실란, 트리클로로(메틸)실란, 트리클로로(클로로메틸)실란, 디클로로(디메틸)실란, 이소부틸(트리메톡시)실란,또는이들혼합물인것을특징으로 하는이온전도성 무기막. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,형 헤테로폴리산이h4siw12o40, h4simo12o40, h5sivmo11o40, h6siv2mo10o40, h7siv3mo9o40, h3pmo12o40, h3pw12o40, (vo)1.5pmo12o40, (vo)1.5pw12o40, (tio)1.5pmo12o40, h(vo)pmo12o40, h(vo)pw12o40, h6pv3mo9o40, h5pv2mo10o40, h5pv2w10o40, h6pv3w9o40, h4pv2mo11o40, h4pvw11o40, hcrpvmo11o40, hbipvmo11o40,또는이들혼합물인것을특징으로 하는이온전도성 무기막. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,형 폴리옥소메탈레이트가 제 7 항의 헤테로폴리산의 수소 이온이 알칼리 금속이온 또는 암모늄 이온으로 치환되어 형성되는염인것을특징으로 하는이온전도성 무기막. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 판상형 포스페이트의 두께가 0.5 nm내지인것을특징으로 하는이온전도성 무기막. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,두께가 1 ㎛내지인것을특징으로 하는이온전도성 무기막. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기(a) 판상형 포스페이트와 (b) 실리케이트, 실록산 및 실란으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 중량비가 1 : 0.2내지인것을특징으로 하는이온전도성 유무기 복합막. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,상기 판상형 포스페이트와 케긴형 폴리옥소메탈레이트 또는 케긴형 헤테로폴리산의 중량비가 1000 :1내지인것을특징으로 하는이온전도성 유무기 복합막. [청구항 14] 제 11 항에 있어서,상기 판상형 포스페이트가 알파-지르코늄포스페이트인것을특징으로 하는이온전도성 유무기 복합막. [청구항 15] 제 11 항에 있어서,상기 실리케이트, 실록산 및 실란으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상이 콜로이드상 실리카, 폴리디메틸실록산(pdms), 알콕시실란(alkoxysilane),클로로실란또는이들혼합물인것을특징으로 하는이온전도성 유무기 복합막. [청구항 16] 제 11 항에 있어서,상기 실리케이트, 실록산 및 실란으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상이 테트라에틸오쏘실리케이트(teos: tetraethylorthosilicate), 테트라메틸오쏘실리케이트(tmos: tetramethylorthosilicate), 1,2-비스(트리메톡시실릴)에탄(1,2-bis(trimethoxysilyl)ethane), 옥틸트리메톡시실란(octyltrimethoxysilane), 테트라에틸 실리케이트, 테트라이소프로필 실리케이트, 테트라메틸 실리케이트, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라이소프로폭시실란, 프로필트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 아미노알콕시실란, 실리콘테트라클로라이드(sicl4), 트리클로로(디클로로메틸)실란(cl2chsicl3), 트리클로로(헥실)실란(ch3(ch2)5sicl3), 트리클로로(이소부틸)실란((ch3)2chch2sicl3), 트리클로로(옥타데실)실란(ch3(ch2)17sicl3), 트리클로로옥틸실란, 트리클로로(펜에틸)실란(c6h5ch2ch2sicl3), 트리클로로(페닐)실란, 트리클로로(프로필)실란, 트리클로로(메틸)실란, 트리클로로(클로로메틸)실란, 디클로로(디메틸)실란, 이소부틸(트리메톡시)실란,또는이들혼합물인것을특징으로 하는이온전도성 유무기 복합막. [청구항 17] 제 11 항에 있어서,형 헤테로폴리산이h4siw12o40, h4simo12o40, h5sivmo11o40, h6siv2mo10o40, h7siv3mo9o40, h3pmo12o40, h3pw12o40, (vo)1.5pmo12o40, (vo)1.5pw12o40, (tio)1.5pmo12o40, h(vo)pmo12o40, h(vo)pw12o40, h6pv3mo9o40, h5pv2mo10o40, h5pv2w10o40, h6pv3w9o40, h4pv2mo11o40, h4pvw11o40, hcrpvmo11o40, hbipvmo11o40,또는이들혼합물인것을특징으로 하는이온전도성 유무기 복합막. [청구항 18] 제 11 항에 있어서,형 폴리옥소메탈레이트가 제 17 항의 헤테로폴리산의 수소 이온이 알칼리 금속이온 또는 암모늄 이온으로 치환되어 형성되는염인것을특징으로 하는이온전도성 유무기 복합막. [청구항 19] 제 11 항에 있어서,상기 판상형 포스페이트의 두께가 0.5 nm내지인것을특징으로 하는이온전도성 유무기 복합막. [청구항 20] 제 11 항에 있어서,상기 다공성 기재 위에 형성된 상기 이온전도성 무기물 층의 두께가 0.2 ㎛내지인것을특징으로 하는이온전도성 유무기 복합막. [청구항 21] 제 11 항에 있어서,상기 다공성 기재가 폴리비닐알코올, 폴리아크릴로니트릴, 페놀수지, 테플론계 수지, 셀룰로오스계 수지,또는나일론수지인것을특징으로 하는이온전도성 유무기 복합막. [청구항 22] 제 11 항에 있어서,상기 다공성 기재의 기공의 평균 지름이 0.05 ㎛내지인것을특징으로 하는이온전도성 유무기 복합막. [청구항 23] 제 11 항에 있어서,두께가 50 ㎛내지인것을특징으로 하는이온전도성 유무기 복합막.