이 중 열 차단 보호벽을 갖는 플라즈마 화학 증착 챔버

[청구항 1] 플라즈마 화학 증착 장치에 있어서, 기판이 안치되는 서셉터 를 구비한 챔버의 하부 몸체와 상기 챔버의 하부몸체의 뚜껑으로 고주파 전극판과 샤워헤드를 포함하는 상기 하부몸체 위에 놓이는 챔버의 상부 몸체와 상기 챔버의 하부 몸체에 있어서 서셉터와 챔버 내벽 사이에 일정 간격으로 서셉터로부터 방출되는 열을 차단하는 열 차단 격벽 과 상기 챔버의 벽에 인접하여 부착되는 챔버 클리링시 챔버의 내벽을 보호하는 보호판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학반응 증착 챔버 [청구항 2] 제1항에 있어서,챔버 하부 몸체의 내벽에 인접하여 부착되는 보호판은 알루미나 나 퀄츠로 된 세라믹 판 또는 스테인레스 스틸이나 알루미늄을 양극산화 처리하여 피막형성한금속판으로 되어있다. [청구항 3] 제1항에 있어서,챔버 하부 몸체의 내벽에인접하여부착되는보호판은 챔버 측벽으로부터 1~3mm의 간격을 두고 위치한다. [청구항 4] 제1항에 있어서,챔버 하부 몸체의 내벽과 서셉터 사이에 설치되며 서셉터로부터 방출되는 열을 차단하는 열 차단 격벽은 알루미나 나 퀄츠로 된 세라믹 판 또는 스테인레스 스틸이나 알루미늄을 양극산화 처리하여 피막형성한금속판으로 되어있다. [청구항 5] 제1항에 있어서,챔버 하부 몸체의 내벽과 서셉터 사이에 설치되며 서셉터로부터 방출되는 열차단하는열 차단 격벽은 챔버 측벽으로부터 10~100mm의 간격을 두고 위치한다. [청구항 6] 플라즈마 화학 증착 장치에 있어서, 기판이 안치되는 서셉터 를 구비한 챔버의 하부 몸체와 상기 챔버의 하부몸체의 뚜껑으로 고주파 전극판과 샤워헤드를 포함하는 상기 하부몸체 위에 놓이는 챔버의 상부 몸체와 상기 챔버의 하부 몸체에 있어서 서셉터와 챔버 내벽 사이에 일정 간격으로 서셉터로부터 방출되는 열을 차단하는 열 차단 격벽과 상기 열 차단 격벽 위에 거치하며 기판이 안치된 서셉터를 공정수행을 위하여 챔버의 하부로 부터 상부의 위치로 이동시키게 되면 기판의 가장자리를 일정한 폭으로 가리는 역할을 하는 기판 가장자리 보호 플레임을 포함하는 플라즈마 화학반응 증착 챔버 [청구항 7] 제6항에 있어서,챔버 하부 몸체의 내벽에인접하여부착되는보호판은 챔버 측벽으로부터 1~3mm의 간격을 두고 위치한다. [청구항 8] 제6항에 있어서,챔버 하부 몸체의 내벽과 서셉터 사이에 설치되며 서셉터로부터 방출되는 열을 차단하는 열 차단 격벽은 알루미나 나 퀄츠로 된 세라믹 판 또는 스테인레스 스틸이나 알루미늄을 양극산화 처리하여 피막형성한금속판으로 되어있다. [청구항 9] 제6항에 있어서,챔버 하부 몸체의 내벽과 서셉터 사이에 설치되며 서셉터로부터 방출되는 열차단하는열 차단 격벽은 챔버 측벽으로부터 10~100mm의 간격을 두고 위치한다.