발광 소자

[청구항2] 청구항 1에 있어서,상기 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 1>로 표시되고,<화학식 1>a(mⅰo)·b(mⅱo)·c(mⅲa)·d(mⅲ2o)·e(mⅳ2o3)·f(mⅴoop)·g(sio2)·h(mⅵxoy)상기 mⅰ은 납(pb) 및 구리(cu)를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 mⅱ은 베릴륨(be), 마그네슘(mg), 칼슘(ca), 스트론튬(sr), 바륨(ba), 아연(zn), 카드뮴(cd) 및 망간(mn)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 mⅲ은 리튬(li), 나트륨(na), 칼륨(k), 루비듐(rb), 세슘(cs), 금(au) 및 은(ag)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 mⅳ은 알루미늄(al), 갈륨(ga) 및 인듐(in)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 mⅴ은 게르마늄(ge), 바나듐(v), 네오디뮴(nd), 탄탈(ta), 텅스텐(w), 몰리브덴(mo), 티탄(ti), 지르코늄(zr) 및 하프늄(hf)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 mⅵ은 비스무트(bi), 주석(sn), 안티몬(sb), 스칸듐(sc), 이트륨(y), 란탄(la), 세륨(ce), 프라세오디뮴(pr), 네오디뮴(nd), 프로메튬(pm), 사마륨(sm), 유로퓸(eu), 가돌리늄(gd), 테르븀(tb), 디스프로슘(dy), 홀뮴(ho), 에르븀(er), 툴륨(tm), 이테르븀(yb) 및 루테튬(lu)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 a는 플로오르(f), 염소(cl), 브롬(br) 및 요오드(i)를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 a, b, c, d, e, f, g, h, o, p, x, y는 0≤a≤2, 0≤b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0≤g≤10, 0≤h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 1≤y≤5의범위설정되는것을특징으로 하는발광 소자. 청구항 1에 있어서,상기 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 1>로 표시되고,<화학식 1>a(mⅰo)·b(mⅱo)·c(mⅲa)·d(mⅲ2o)·e(mⅳ2o3)·f(mⅴoop)·g(sio2)·h(mⅵxoy)상기 mⅰ은 납(pb) 및 구리(cu)를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 mⅱ은 베릴륨(be), 마그네슘(mg), 칼슘(ca), 스트론튬(sr), 바륨(ba), 아연(zn), 카드뮴(cd) 및 망간(mn)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 mⅲ은 리튬(li), 나트륨(na), 칼륨(k), 루비듐(rb), 세슘(cs), 금(au) 및 은(ag)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 mⅳ은 알루미늄(al), 갈륨(ga) 및 인듐(in)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 mⅴ은 게르마늄(ge), 바나듐(v), 네오디뮴(nd), 탄탈(ta), 텅스텐(w), 몰리브덴(mo), 티탄(ti), 지르코늄(zr) 및 하프늄(hf)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 mⅵ은 비스무트(bi), 주석(sn), 안티몬(sb), 스칸듐(sc), 이트륨(y), 란탄(la), 세륨(ce), 프라세오디뮴(pr), 네오디뮴(nd), 프로메튬(pm), 사마륨(sm), 유로퓸(eu), 가돌리늄(gd), 테르븀(tb), 디스프로슘(dy), 홀뮴(ho), 에르븀(er), 툴륨(tm), 이테르븀(yb) 및 루테튬(lu)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 a는 플로오르(f), 염소(cl), 브롬(br) 및 요오드(i)를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 a, b, c, d, e, f, g, h, o, p, x, y는 0<a≤2, 0<b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0<g≤10, 0<h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 1≤y≤5의범위설정되는것을특징으로 하는발광 소자. [청구항3] 청구항 2에 있어서,상기 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 2>로 표시되고,<화학식 2>((ba,sr,ca)1-x(pb,cu)x)2sio4:eu,b상기 b는 bi, sn, sb, sc, y, la, ce, pr, nd, pm, sm, gd, tb, dy, ho, er, tm, yb, lu로 이루어진 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 x는 0 내지 1의 범위 내로 설정되고, eu와 b는 0 내지 0.2의범위내설정되는것을특징으로 하는발광 소자. 청구항 2에 있어서,상기 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 2>로 표시되고,<화학식 2>((ba,sr,ca)1-x(pb,cu)x)2sio4:eu,b상기 b는 bi, sn, sb, sc, y, la, ce, pr, nd, pm, sm, gd, tb, dy, ho, er, tm, yb, lu로 이루어진 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 x는 0 내지 1의 범위 내로 설정되고, eu와 b는 0 내지 0.2의범위내설정되는것을특징으로 하는발광 소자. [청구항4] 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,상기 오소실리케이트계 형광체는 조성에 따라 505㎚ 내지 605㎚파장의광방출하는것을특징으로 하는발광 소자. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,상기 오소실리케이트계 형광체는 조성에 따라 505㎚ 내지 605㎚파장의광방출하는것을특징으로 하는발광 소자. [청구항5] 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 하기 <화학식 3>으로 표시되고, <화학식 3>(ca, sr)1-x-yeuxcy(s1-zsez)상기 c는 mn 및 pb를 포함하는 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 x는 0.0005 내지 0.1의 범위 내로 설정되고, y는 0.0002 내지 0.1의 범위 내로 설정되고, z는 0 내지 1의범위내설정되는것을특징으로 하는발광 소자. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 하기 <화학식 3>으로 표시되고, <화학식 3>(ca, sr)1-x-yeuxcy(s1-zsez)상기 c는 mn 및 pb를 포함하는 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 x는 0.0005 내지 0.1의 범위 내로 설정되고, y는 0.0002 내지 0.1의 범위 내로 설정되고, z는 0 내지 1의범위내설정되는것을특징으로 하는발광 소자. [청구항6] 청구항 5에 있어서,상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 하기 <화학식 4>로 표시되고,<화학식 4>(ca,sr)1-x-yeuxpbys상기 x는 0.0005 내지 0.01의 범위 내로 설정되고 y는 0.0002 내지 0.05의범위내설정되는것을특징으로 하는발광 소자. 청구항 5에 있어서,상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 하기 <화학식 4>로 표시되고,<화학식 4>(ca,sr)1-x-yeuxpbys상기 x는 0.0005 내지 0.01의 범위 내로 설정되고 y는 0.0002 내지 0.05의범위내설정되는것을특징으로 하는발광 소자. [청구항7] 청구항 5에 있어서,상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 조성에 따라 600㎚ 내지 660㎚파장의광방출하는것을특징으로 하는발광 소자. 청구항 5에 있어서,상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 조성에 따라 600㎚ 내지 660㎚파장의광방출하는것을특징으로 하는발광 소자. [청구항8] 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 청색 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색 영역의 광을 발광하는 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는알칼리토금속황화물계형광체포함하는것을특징으로 하는발광 소자. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 청색 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색 영역의 광을 발광하는 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는알칼리토금속황화물계형광체포함하는것을특징으로 하는발광 소자. [청구항9] 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 청색 발광 다이오드 칩은 420 내지 480㎚파장의광방출하는것을특징으로 하는발광 소자. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 청색 발광 다이오드 칩은 420 내지 480㎚파장의광방출하는것을특징으로 하는발광 소자. [청구항10] 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 다이오드 칩은 몸체 상에 실장되고, 상기 몸체 상부에 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 더 포함하며, 상기 몰딩부는 상기 오소실리케이트계 형광체와 알칼리 토금속 황화물계 형광체가 혼합되어분포된것을특징으로 하는발광 소자. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 다이오드 칩은 몸체 상에 실장되고, 상기 몸체 상부에 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 더 포함하며, 상기 몰딩부는 상기 오소실리케이트계 형광체와 알칼리 토금속 황화물계 형광체가 혼합되어분포된것을특징으로 하는발광 소자. [청구항11] 청구항 10에 있어서,상기 몸체는 기판,히트싱크또는리드 단자중하나인것을특징으로 하는발광 소자. 청구항 10에 있어서,상기 몸체는 기판,히트싱크또는리드 단자중하나인것을특징으로 하는발광 소자.