전도성 고분자 조성물 및 이로부터 제조된 전도성 필름

[청구항2] 제1항에 있어서,상기 폴리티오펜계 전도성 고분자 100중량부에 대하여, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 0.1 내지 15중량부 및상기 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물 0.01내지10중량부를포함하는전도성 고분자 조성물. [청구항3] 제1항에 있어서,상기 폴리티오펜계 전도성 고분자는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜 또는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌설포네이트 중적어도 하나인전도성 고분자 조성물. 제1항에 있어서,상기 폴리티오펜계 전도성 고분자는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜 또는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌설포네이트 중적어도 하나인전도성 고분자 조성물. [청구항4] 제1항에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 화합물은, 카르복실기 및 술폰기를 함유한 알킬 화합물, 카르복실기 및 술폰기를 함유한 벤젠고리 화합물 또는 황산 중 적어도 어느 하나포함하는전도성 고분자 조성물. 제1항에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 화합물은, 카르복실기 및 술폰기를 함유한 알킬 화합물, 카르복실기 및 술폰기를 함유한 벤젠고리 화합물 또는 황산 중 적어도 어느 하나포함하는전도성 고분자 조성물. [청구항5] 제1항에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 화합물은, 황산, 헥산술폰산, 옥탄술폰산, p-톨루엔술폰산, 설포숙신산, 4-설포프탈산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, 에틸벤젠술폰산, 또는 셀룰로오스 술폰산 중적어도 하나인전도성 고분자 조성물. 제1항에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 화합물은, 황산, 헥산술폰산, 옥탄술폰산, p-톨루엔술폰산, 설포숙신산, 4-설포프탈산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, 에틸벤젠술폰산, 또는 셀룰로오스 술폰산 중적어도 하나인전도성 고분자 조성물. [청구항6] 제1항에 있어서,상기 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물은 소수성 그룹(a) 및 친수성 그룹(b)을 포함하는 하기화학식표시되는블록 공중합체인전도성 고분자 조성물.[화학식 2](상기 화학식 2에서, x는 1 내지 20의 정수이고, y는 1 내지 20의 정수임) [청구항7] 제6항에 있어서,상기 화학식2에서 는, 하기화학식표시되는화합물인전도성 고분자 조성물.[화학식 3](상기 화학식 3에서, a는 1 내지 10의 정수임) [청구항8] 제6항에 있어서,상기 화학식2에서 는, 하기 화학식 4또는화학식표시되는화합물인전도성 고분자 조성물.[화학식 4][화학식 5](상기 화학식 5에서, b는 1 내지 12의 정수이다) [청구항10] 제9항에 있어서,상기 전도성 필름은 면저항이 10-2 내지 5 × 102ω/sq이고, 상온에서 360시간 방치한 후의 면저항 변화율이 5 내지인전도성 필름.