문맥 (context)
[청구항4]
제 1항에 있어서,크롬 합금이 하기 구조식 a 및 구조식 b로 구성된 군으로부터 선택된 여러자리 (polydentate) β-케토이미네이트의 착물을 갖는 크롬 함유 전구체로부터 증착되는 방법:구조식 a구조식 b상기 식에서,r1은 탄소 원자수가 1 내지 6개인 분지된 벌크 알킬 기이며;r2는 수소, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 알킬, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 알콕시, 탄소 원자수가 3 내지 6개인 지환족, 및 탄소 원자수가 6 내지 10개인 아릴로 구성된 군으로부터 선택되며;r3-4은 선형 또는 분지형이며, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 알킬, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 알콕시, 탄소 원자수가 3 내지 6개인 지환족 및 탄소 원자수가 6 내지 10개인 아릴로 구성된 군으로부터 선택되며;r5-6은 선형 또는 분지형이며, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 선형의 알킬, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 플루오로알킬, 탄소 원자수가 3 내지 10개인 지환족, 탄소 원자수가 6 내지 10개인 아릴, 및 산소 또는 질소 원자를 갖는 헤테로시클릭으로 구성된 군으로부터 개별적선택되며;l은 한자리 공여 리간드 (monodentate donor ligand)이다.
[청구항11]
제 8항에 있어서,크롬 합금이 하기 구조식 a 및 구조식 b로 구성된 군으로부터 선택된 여러자리 β-케토이미네이트의 착물을 갖는 크롬 함유 전구체로부터 증착되는 방법:구조식 a구조식 b상기 식에서,r1은 탄소 원자수가 1 내지 6개인 분지된 벌크 알킬 기이며;r2는 수소, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 알킬, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 알콕시, 탄소 원자수가 3 내지 6개인 지환족, 및 탄소 원자수가 6 내지 10개인 아릴로 구성된 군으로부터 선택되며;r3-4은 선형 또는 분지형이며, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 알킬, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 알콕시, 탄소 원자수가 3 내지 6개인 지환족 및 탄소 원자수가 6 내지 10개인 아릴로 구성된 군으로부터 선택되며;r5-6은 선형 또는 분지형이며, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 선형의 알킬, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 플루오로알킬, 탄소 원자수가 3 내지 10개인 지환족, 탄소 원자수가 6 내지 10개인 아릴, 및 산소 또는 질소 원자를 갖는 헤테로시클릭으로 구성된 군으로부터 개별적선택되며;l은 한자리 공여 리간드이다.
[청구항14]
(1) 하나 이상의 패턴화된 유전층 및 이러한 하나 이상의 패턴화된 유전층을 덮는 하나 이상의 배리어층
(2) 하나 이상의 배리어층상에 증착되며, 필수적으로 크롬 합금으로 구성되는 접착 촉진층; 및
(3) 접착 촉진층을 덮는 전도성 금속 시드층을 포함하는 반도체 디바이스 구조체
[청구항15]
제 14항에 있어서,전도성 금속 시드층이 구리 층, 구리 합금층 및 이의 조합으로 구성된 군선택되는구조체.
[청구항16]
제 14항에 있어서,층이 탄탈륨 (ta), 탄탈륨-니트라이드 (tan), 탄탈륨-실리콘-니트라이드 (tasin), 티타늄 (ti), 티타늄-니트라이드 (tin) 및 이의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 물질포함하는구조체.
[청구항17]
제 14항에 있어서,크롬 합금이 화학식 crxmy (여기서, m은 구리 (cu), 은 (ag), 루테늄 (ru), 바나듐 (v), 탄탈륨 (ta), 티타늄 (ti), 지르코늄 (zr) 및 니오븀 (b)으로 구성된 군으로부터 선택된 금속이며, x는 cr의 원자량%이며, y는 m의 원자량갖는구조체.
[청구항18]
제 17항에 있어서,크롬 합금이 크롬-구리 (crxcuy), 크롬-실버 (crxagy), 크롬-루테늄 (crxruy), 크롬-바나듐 (crxvy), 크롬-탄탈륨 (crxtay), 크롬-티타늄 (crxtiy), 크롬-지르코늄 (crxzry), 및 크롬-니오븀 (crxnby)으로 구성된 군으로부터 선택되며, x는 10% 내지 90%의범위인구조체.
[청구항19]
제 14항에 있어서,크롬 합금이 하기 구조식 a 및 구조식 b로 구성된 군으로부터 선택된 여러자리 β-케토이미네이트의 착물을 갖는 크롬 함유 전구체로부터 증착되는 구조체:구조식 a구조식 b상기 식에서,r1은 탄소 원자수가 1 내지 6개인 분지된 벌크 알킬 기이며;r2는 수소, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 알킬, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 알콕시, 탄소 원자수가 3 내지 6개인 지환족, 및 탄소 원자수가 6 내지 10개인 아릴로 구성된 군으로부터 선택되며;r3-4은 선형 또는 분지형이며, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 알킬, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 알콕시, 탄소 원자수가 3 내지 6개인 지환족 및 탄소 원자수가 6 내지 10개인 아릴로 구성된 군으로부터 선택되며;r5-6은 선형 또는 분지형이며, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 선형의 알킬, 탄소 원자수가 1 내지 6개인 플루오로알킬, 탄소 원자수가 3 내지 10개인 지환족, 탄소 원자수가 6 내지 10개인 아릴, 및 산소 또는 질소 원자를 갖는 헤테로시클릭으로 구성된 군으로부터 개별적선택되며;l은 한자리 공여 리간드이다.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 디바이스 구조체는 어떤 구성 요소들로 이루어져 있으며, 이들은 어떤 순서로 적층되어 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation반도체 디바이스 구조체의 구성 요소와 적층 순서를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 14항에서 구조체를 구성하는 세 가지 주요 항목을 추출한다.
- (1) 하나 이상의 패턴화된 유전층 및 이러한 하나 이상의 패턴화된 유전층을 덮는 하나 이상의 배리어층
- (2) 하나 이상의 배리어층상에 증착되며, 필수적으로 크롬 합금으로 구성되는 접착 촉진층
- (3) 접착 촉진층을 덮는 전도성 금속 시드층
-
3근거 선택
evidence_selection각 구성 요소의 명칭과 층간 관계를 나타내는 서술어를 선택한다.
- 패턴화된 유전층
- 배리어층
- 접착 촉진층
- 전도성 금속 시드층
- 덮는
- 상에 증착되며
-
4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 하부층부터 상부층까지의 순서를 재구성한다.
- 패턴화된 유전층을 덮는 하나 이상의 배리어층
- 배리어층상에 증착되며, 필수적으로 크롬 합금으로 구성되는 접착 촉진층
- 접착 촉진층을 덮는 전도성 금속 시드층
-
5결론 도출
conclusion_formulation유전층 -> 배리어층 -> 접착 촉진층 -> 전도성 금속 시드층 순으로 적층됨을 도출한다.
-
6답변 생성
answer_generation질문에 적합한 리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.
근거 (evidence)
- (1) 하나 이상의 패턴화된 유전층 및 이러한 하나 이상의 패턴화된 유전층을 덮는 하나 이상의 배리어층
- (2) 하나 이상의 배리어층상에 증착되며, 필수적으로 크롬 합금으로 구성되는 접착 촉진층
- (3) 접착 촉진층을 덮는 전도성 금속 시드층
- 패턴화된 유전층
- 배리어층
- 접착 촉진층
- 전도성 금속 시드층
- 덮는
- 상에 증착되며
- 패턴화된 유전층을 덮는 하나 이상의 배리어층
- 배리어층상에 증착되며, 필수적으로 크롬 합금으로 구성되는 접착 촉진층
- 접착 촉진층을 덮는 전도성 금속 시드층
최종 답변 (final_answer)
반도체 디바이스 구조체는 다음과 같은 구성 요소로 이루어져 있으며, 하부에서 상부로 순차적으로 적층되어 있다.
1. 하나 이상의 패턴화된 유전층
2. 하나 이상의 배리어층 (패턴화된 유전층을 덮음)
3. 접착 촉진층 (배리어층 상에 증착됨, 크롬 합금으로 구성)
4. 전도성 금속 시드층 (접착 촉진층을 덮음)
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 디바이스 구조체는 유전층, 배리어층, 크롬 합금 기반의 접착 촉진층, 그리고 전도성 금속 시드층이 순차적으로 적층된 구조를 가진다.