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전자 방출 디바이스 및 그 제조방법

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76c94f7d-c4c1-58d3-a1c8-5878010e97de
출원번호
1020050115823
출원연도
2005
IPC
C01B 31/02
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항2] 청구항 1에 있어서,상기 촉매층을 형성하는 촉매금속으로는 ni, fe, co, y, invar로 이루어진군선택하여사용되는전자 방출 디바이스. 청구항 1에 있어서,상기 촉매층을 형성하는 촉매금속으로는 ni, fe, co, y, invar로 이루어진군선택하여사용되는전자 방출 디바이스. [청구항3] 청구항 1에 있어서,상기 미세기공층을 형성하는 물질로는 si-o-si의 구조를 갖는 sog 물질에 덴드리머를 혼합한 물질사용되는전자 방출 디바이스. 청구항 1에 있어서,상기 미세기공층을 형성하는 물질로는 si-o-si의 구조를 갖는 sog 물질에 덴드리머를 혼합한 물질사용되는전자 방출 디바이스. [청구항4] 청구항 3에 있어서,드리머로는 ea-ppi-64 또는 ea-ppi-128이사용되는전자 방출 디바이스. 청구항 3에 있어서,드리머로는 ea-ppi-64 또는 ea-ppi-128이사용되는전자 방출 디바이스. [청구항5] 청구항 3에 있어서,상기 미세기공층을 형성하는 물질로는 sog 물질과 덴드리머를 mibk 용매를 사용하여 혼합한 물질사용되는전자 방출 디바이스. 청구항 3에 있어서,상기 미세기공층을 형성하는 물질로는 sog 물질과 덴드리머를 mibk 용매를 사용하여 혼합한 물질사용되는전자 방출 디바이스.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전자 방출 디바이스의 미세기공층을 형성하는 물질은 무엇이며, 어떠한 용매를 사용하여 혼합되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    미세기공층 형성 물질의 성분과 혼합 용매를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 3과 청구항 5에서 미세기공층 형성 물질과 용매 정보를 추출한다.

    • si-o-si의 구조를 갖는 sog 물질에 덴드리머를 혼합한 물질
    • mibk 용매를 사용하여 혼합한 물질
  3. 3근거 선택evidence_selection

    물질의 구성 성분인 sog 물질, 덴드리머와 용매인 mibk를 선택한다.

    • sog 물질에 덴드리머를 혼합한 물질
    • mibk 용매를 사용하여 혼합한 물질
  4. 4논리 통합logical_integration

    sog 물질과 덴드리머가 혼합되어 미세기공층을 형성하며, 이때 mibk 용매가 사용됨을 결합한다.

    • sog 물질에 덴드리머를 혼합한 물질
    • mibk 용매를 사용하여 혼합한 물질
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    미세기공층 형성 물질은 sog 물질과 덴드리머의 혼합물이며, mibk 용매를 사용하여 혼합된다는 결론을 도출한다.

    • sog 물질에 덴드리머를 혼합한 물질
    • mibk 용매를 사용하여 혼합한 물질
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 적합한 형태로 최종 답변을 작성한다.

    • sog 물질에 덴드리머를 혼합한 물질
    • mibk 용매를 사용하여 혼합한 물질
근거 (evidence)
  • si-o-si의 구조를 갖는 sog 물질에 덴드리머를 혼합한 물질
  • mibk 용매를 사용하여 혼합한 물질
  • sog 물질에 덴드리머를 혼합한 물질
최종 답변 (final_answer)
미세기공층을 형성하는 물질은 si-o-si 구조를 갖는 sog 물질과 덴드리머를 혼합한 물질이며, mibk 용매를 사용하여 이들을 혼합한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
미세기공층은 sog 물질과 덴드리머의 혼합물로 구성되며, 혼합 과정에서 mibk 용매가 사용된다.