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화학기상증착 반응기 챔버

uuid
790d6965-efd0-5288-a127-22d7d0135661
출원번호
1020107008749
출원연도
2008
IPC
C23C 16/455
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 회전 시 접선 성분을 포함하는 각속도를 가지는 회전 가능한 서셉터 상기 서셉터의 표면에 장착되어 반응기 챔버 내에서 상기 서셉터에 의해 회전되는 적어도 둘의 기판 상기 서셉터를 가열하기 위한 수단 반응가스들은 상기 각속도의 상기 접선 성분과 각도를 형성하는 방향으로 유동하며, 상기 각도는 상기 서셉터의 위치에 독립적이도록, 상기 반응가스들을 상기 기판들의 표면에 대하여 비스듬하게 공급하는 제1 가스 인젝터 상기 기판들 표면에 예각으로 누름가스를 공급하는 제2 가스 인젝터; 및 상기 반응가스들을 상기 반응기 챔버로부터 배출시키기 위한 챔버 가스 배출구 를 포함하는 둘 이상의 기판을 코팅하기 위한 반응기 챔버 [청구항 2] 반응기 챔버 내에 설치되는 적어도 둘의 서셉터 상기 서셉터들의 표면에 장착되는 적어도 하나의 기판 상기 서셉터들의 회전에 의하여 상기 기판이 회전되도록 상기 서셉터들 을 회전시키는 수단 상기 서셉터들 을 가열하기 위한 수단 상기 기판 표면에 비스듬하게 반응가스를 공급하며, 상기 서셉터들로부터 대략 같은 거리에 위치하는 제1 가스 인젝터 상기 기판 표면에 예각으로 누름가스를 공급하는 제2 가스 인젝터; 및 상기 반응가스들을 상기 반응기 챔버로부터 배출시키기 위한 챔버 가스 배출부 를 포함하는 적어도 하나의 기판을 코팅하기 위한 반응기 챔버 [청구항 3] 제1항에 있어서,셉터는 회전 중심을 가지며,상기 제1 가스 인젝터는 대략 상기 서셉터의 회전 중심위치하는반응기 챔버. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제2 가스인젝터는 대략 상기 기판들의 상부위치하는반응기 챔버. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 기판들은 가열된 서셉터 상에 놓여지며 공통의 축회전하는반응기 챔버. [청구항 6] 제1항에 있어서,셉터는 기계적으로 회전하여 이중 회전을 하는 서셉터인반응기 챔버. [청구항 7] 제1항에 있어서,셉터는 가스 호일 회전 상에서 작동하여 이중 회전을 하는 서셉터인반응기 챔버. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 기판들에 접근하기 위하여 게이트 밸브를 구비하는 주변 벽을 더 포함하고, 상기 주변 벽은 반응가스 유입구를 더 구비하고, 상기 유입구는 상기 서셉터와 각도형성하는반응기 챔버. [청구항 9] 제1항에 있어서,셉터를 가열하기 위한 수단은 상기 서셉터의 하부제공되는반응기 챔버. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 반응가스들은 주변 벽에 위치한 포트들을 통해 빠져나가며, 상기 기판들의 조작을 위해 상기 기판들에 자유롭게 접근하기 위하여 상기 주변 벽은 외부 실린더 링에 대하여 위쪽 방향으로 이동가능한반응기 챔버. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 반응가스들은 베이스 플레이트에 위치한 포트들을 통해 빠져나가며, 상기 기판들의 조작을 위해 상기 기판들에 자유롭게 접근하기 위하여 상기 베이스 플레이트는 외부 실린더 링에 대하여 위쪽 방향으로 이동가능한반응기 챔버. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 반응가스들은 탑 플레이트에 위치한 포트들을 통해 빠져나가며, 상기 기판들의 조작을 위해 상기 기판들에 자유롭게 접근하기 위하여 상기 탑 플레이트는 외부 실린더 링에 대하여 위쪽 방향으로 이동가능한반응기 챔버. [청구항 13] 제1항에 있어서,중심이 있는 천정을 더 포함하며,상기 반응가스들은 대략 상기 반응기 챔버의 상기 천정의 중심에 위치하는 유입구를 통해 상기 반응기 챔버 내유입하는반응기 챔버. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 챔버에 연결되는 회전 로드를 더 포함하고,상기 서셉터는 상기 회전 로드에 부착되어 상기 회전 로드의 회전에 의해 상기 회전 로드와 일직선상에서 상기 반응기 챔버 내에서 회전하며, 상기 반응가스들은 상기 로드를 통해 상기 챔버 내유입하는반응기 챔버. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 회전 로드는 중공형이며,상기 서셉터의 표면에는 상기 로드와 일직선상에 형성되는 중심유입구가 더 구비되어,상기 반응가스들은 상기 회전 로드와 상기 중심유입구를 통하여 상기 챔버 내유입하는반응기 챔버. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 중심유입구 상부에 위치하여 상기 중심유입구와 각도를 정의하는 원통부를 더 포함하며,상기 중심유입구와 상기 원통부 사이의 거리를 조절하기 위하여 상기 각도는 조절가능한반응기 챔버. [청구항 17] 제1항에 있어서,중심이 있는 바닥을 더 포함하며,상기 반응가스들은 대략 상기 반응기 챔버의 상기 바닥의 중심에 위치하는 유입구를 통해 상기 반응기 챔버 내유입하는반응기 챔버. [청구항 18] 제1항에 있어서,셉터를 가열하기 위한 상기 수단과 상기 서셉터 사이의 거리를 변경하기 위하여 상기 서셉터는 상하 방향으로 이동가능한반응기 챔버. [청구항 19] 제1항에 있어서,셉터와의 각도 및 거리를 조절하기 위하여 조절 가능한 반응가스 유입구더 포함하는반응기 챔버.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    청구항 1, 14, 15를 바탕으로 반응가스가 챔버로 유입되는 경로와 관련 구성 요소 간의 관계를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1은 제1 가스 인젝터가 반응가스를 기판 표면에 비스듬하게 공급함을 명시하고, 청구항 14와 15는 회전 로드 및 중심유입구를 통한 유입 경로를 설명한다.

    • 반응가스들은 상기 각속도의 상기 접선 성분과 각도를 형성하는 방향으로 유동하며, 상기 각도는 상기 서셉터의 위치에 독립적이도록, 상기 반응가스들을 상기 기판들의 표면에 대하여 비스듬하게 공급하는 제1 가스 인젝터
    • 상기 서셉터는 상기 회전 로드에 부착되어 상기 회전 로드의 회전에 의해 상기 회전 로드와 일직선상에서 상기 반응기 챔버 내에서 회전하며, 상기 반응가스들은 상기 로드를 통해 상기 챔버 내유입하는
    • 상기 회전 로드는 중공형이며,상기 서셉터의 표면에는 상기 로드와 일직선상에 형성되는 중심유입구가 더 구비되어,상기 반응가스들은 상기 회전 로드와 상기 중심유입구를 통하여 상기 챔버 내유입하는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    가스 유입의 두 가지 주요 경로인 제1 가스 인젝터를 통한 비스듬한 공급과, 중공형 회전 로드 및 서셉터의 중심유입구를 통한 유입에 관한 구절을 선택한다.

    • 반응가스들은 상기 각속도의 상기 접선 성분과 각도를 형성하는 방향으로 유동하며, 상기 각도는 상기 서셉터의 위치에 독립적이도록, 상기 반응가스들을 상기 기판들의 표면에 대하여 비스듬하게 공급하는 제1 가스 인젝터
    • 상기 서셉터는 상기 회전 로드에 부착되어 상기 회전 로드의 회전에 의해 상기 회전 로드와 일직선상에서 상기 반응기 챔버 내에서 회전하며, 상기 반응가스들은 상기 로드를 통해 상기 챔버 내유입하는
    • 상기 회전 로드는 중공형이며,상기 서셉터의 표면에는 상기 로드와 일직선상에 형성되는 중심유입구가 더 구비되어,상기 반응가스들은 상기 회전 로드와 상기 중심유입구를 통하여 상기 챔버 내유입하는
  4. 4논리 통합logical_integration

    반응가스는 제1 가스 인젝터를 통해 서셉터의 회전 접선 성분과 각도를 형성하며 기판에 비스듬히 공급되거나, 중공형 회전 로드를 따라 이동하여 서셉터 표면의 중심유입구를 통해 챔버 내로 유입된다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    반응가스 유입 경로는 인젝터를 통한 외부 공급 방식과 회전 로드 내부를 통한 중심부 공급 방식의 관계를 포함한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 종합하여 질문에 대한 답변을 작성한다.

근거 (evidence)
  • 반응가스들은 상기 각속도의 상기 접선 성분과 각도를 형성하는 방향으로 유동하며, 상기 각도는 상기 서셉터의 위치에 독립적이도록, 상기 반응가스들을 상기 기판들의 표면에 대하여 비스듬하게 공급하는 제1 가스 인젝터
  • 상기 서셉터는 상기 회전 로드에 부착되어 상기 회전 로드의 회전에 의해 상기 회전 로드와 일직선상에서 상기 반응기 챔버 내에서 회전하며, 상기 반응가스들은 상기 로드를 통해 상기 챔버 내유입하는
  • 상기 회전 로드는 중공형이며,상기 서셉터의 표면에는 상기 로드와 일직선상에 형성되는 중심유입구가 더 구비되어,상기 반응가스들은 상기 회전 로드와 상기 중심유입구를 통하여 상기 챔버 내유입하는
최종 답변 (final_answer)
반응가스가 챔버 내로 유입되는 경로는 크게 두 가지 방식으로 설명된다. 첫째, 제1 가스 인젝터를 통해 반응가스가 서셉터의 회전 접선 성분과 특정 각도를 형성하며 기판 표면에 비스듬하게 공급된다. 둘째, 중공형(hollow) 구조인 회전 로드를 통해 반응가스가 유입되며, 이 가스는 로드와 일직선상에 형성된 서셉터 표면의 중심유입구를 통하여 챔버 내로 유입된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제1 가스 인젝터를 이용한 비스듬한 가스 공급 방식과 중공형 회전 로드 및 서셉터 중심유입구를 이용한 중심부 가스 공급 방식을 통해 반응가스를 챔버 내로 유입시키는 기술적 구성을 포함한다.