반도체 제조 장치

[청구항 1] 반도체 제조 장치에 있어서, 공정챔버와; 상기 공정 챔버에 설치되고 웨이퍼(w)가 놓여지는 서셉터와 상기 서셉터에 웨이퍼를 로딩/언로딩 하기 위한 리프트 핀을 갖는 리프트 수단과 상기 서셉터에 로딩된 웨이퍼를 안착하여 고정시킬 수 있는 클램핑 수단을 포함하되 상기 클램핑 수단은; 클램프 링과; 상기 클램프 링에 수직으로 설치되고, 상/하로 이동되는 샤프트와 상기 샤프트를 상,하로 구동시킬 수 있는 구동부와 (24) 외부로부터 공기의 유입을 차단하기 위해 상기 샤프트에 연결되는 그리고 수축 및 이완을 반복하는 벨로우즈(26) 및 상기 벨로우즈에 설치되어 상기 샤프트의 이동을 가이드해주는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 구동부는 벨로우즈 내측 상단에 고정된 샤프트에 의해 서로 연결되고 공기압에 의한 샤프트의 업 다운으로 벨로우즈를 팽창 및 수축시키기 위한리프트실린더로이루어지는것을특징으로 하는반도체 제조 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 벨로우즈는상기공정챔버의외부설치되는것을특징으로 하는반도체 제조 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 벨로우즈는 주름관과;상기 주름관의 양단에 각각 설치되는 상부판과 하부판을 구비하되;상기 상부판은 상기 공정 챔버의 외부 저면에 다수의 고정 볼트에 의해고정되는것을특징으로 하는반도체 제조 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 가이드 수단은 상기 벨로우즈의 상부판에 설치되어 상기 상부판을 통과하는샤프트의좌우유동방지하는것을특징으로 하는반도체 제조 장치. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 가이드 수단은 센터에 상기 샤프트가 지나갈 수 있는 관통공이 형성된원형플레이트로이루어지는것을특징으로 하는반도체 제조 장치. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 가이드 수단은세라믹 재질로이루어지는것을특징으로 하는반도체 제조 장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 공정챔버는진공챔버인것을특징으로 하는반도체 제조 장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,반도체 제조 장비가건식에칭장비인것을특징으로 하는반도체 제조 장비.