문맥 (context)
[청구항 1]
리드아웃 회로를 포함하는 반도체 기판
상기 리드아웃 회로와 연결되도록 상기 반도체 기판 상에 형성된 배선 및 층간절연층
상기 층간절연층 상에 형성되고, 오믹컨택층, 제1 도핑층 및 제2 도핑층이 적층된 이미지 감지부
상기 이미지 감지부 및 층간절연층을 관통하여 상기 배선을 노출시키는 비아홀
상기 이미지 감지부의 상부 표면 및 상기 비아홀의 측벽에 형성된 이온주입층
상기 오믹컨택층 또는 제1 도핑층이 상기 배선과 연결되도록 상기 비아홀 내부에 형성된 메탈컨택; 및
상기 비아홀이 갭필되도록 상기 메탈컨택 상에 형성된 보호층을 포함하는 이미지센서
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 이온주입층nan은수소이온형성된것을특징으로 하는이미지센서.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 보호층nan은산화막형성된것을특징으로 하는이미지센서.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 이미지 감지부가 단위픽셀 별로 분리되도록 상기 메탈컨택 사이에 해당하는 이미지 감지부 내부에픽셀분리층형성된것을특징으로 하는이미지센서.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
이미지센서의 구성 요소 중 이미지 감지부의 상부 표면과 비아홀의 측벽에 공통적으로 형성되어 있는 층은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation이미지 감지부의 상부 표면과 비아홀의 측벽에 공통적으로 형성된 층이 무엇인지 찾는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 이미지 감지부의 구성 요소와 비아홀의 위치 및 형성된 층에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 이미지 감지부의 상부 표면 및 상기 비아홀의 측벽에 형성된 이온주입층
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '이미지 감지부의 상부 표면'과 '비아홀의 측벽'이 동시에 언급된 구절을 선택한다.
- 상기 이미지 감지부의 상부 표면 및 상기 비아홀의 측벽에 형성된 이온주입층
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4논리 통합
logical_integration추출된 구절을 통해 두 위치에 공통적으로 형성된 층이 '이온주입층'임을 확인한다.
- 상기 이미지 감지부의 상부 표면 및 상기 비아홀의 측벽에 형성된 이온주입층
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '이온주입층'을 도출한다.
- 상기 이미지 감지부의 상부 표면 및 상기 비아홀의 측벽에 형성된 이온주입층
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6답변 생성
answer_generation추출된 정답인 '이온주입층'을 최종 답변으로 생성한다.
- 상기 이미지 감지부의 상부 표면 및 상기 비아홀의 측벽에 형성된 이온주입층
근거 (evidence)
- 상기 이미지 감지부의 상부 표면 및 상기 비아홀의 측벽에 형성된 이온주입층
최종 답변 (final_answer)
이온주입층
핵심 해석 (core_interpretation)
이미지 감지부의 상부 표면과 비아홀의 측벽에 이온주입층을 형성함으로써 이미지센서의 전기적 특성을 제어하는 기술에 관한 것이다.