최종산출물 · 특허 지식베이스

전력용 반도체 소자 제조 방법

uuid
7a2c95a2-1875-54c7-93e6-cfd6fb5e4124
출원번호
1020090049632
출원연도
2009
IPC
H01L 29/80
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 드레인 전극 상기 드레인 전극 상에 형성된 n+ 드레인 층 상기 n+ 드레인층의 상부에 형성되는 n영역층 상기 n 영역층의 상부에 형성된 p베이스층과 상기 p베이스층의 하부로 상기 n영역층에 종형으로 확산된 p영역층 상기 p영역층의 상부에 형성되며 상기 p영역층과 접속되는 베이스층 상기 베이스층 상부에 형성되는 소오스층 상기 베이스층의 양측단에 인접하며 상기 베이스층의 측단에 양측단이 위치하는 절연층 상기 절연층 상에 형성되는 되는 게이트 전극과, 상기 절연층의 상부에 형성된 소오스 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 소자 [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기p영역층은 상기 n영역층에 주기적으로 배열된 복수개로 형성되고, 상기 p영역층의 하단은 n+ 드레인층에 매우 인접하게 위치하거나, 또는 n+ 드레인층된것을특징으로 하는전력용 반도체 소자. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기p영역층은 에피택셜 성장된 실리콘 기판상의 상기 n영역층 표면에 선택적으로 붕소를 이온주입하고, 상기 n영역층의 에피택셜 성장을 수행하여 이온 주입한 상기 붕소를 매립하는 공정을 복수회 수행한 후 열처리를 가하여 매립된 상기 붕소를 확산시킴형성되는것을특징으로 하는전력용 반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전력용 반도체 소자에서 p영역층을 형성하기 위해 수행되는 공정 단계와 그 구체적인 방법은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    전력용 반도체 소자에서 p영역층을 형성하는 구체적인 공정 단계와 방법을 추출해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 3에서 p영역층의 형성 공정인 이온 주입, 에피택셜 성장, 열처리에 관한 정보를 확인한다.

    • 상기p영역층은 에피택셜 성장된 실리콘 기판상의 상기 n영역층 표면에 선택적으로 붕소를 이온주입하고, 상기 n영역층의 에피택셜 성장을 수행하여 이온 주입한 상기 붕소를 매립하는 공정을 복수회 수행한 후 열처리를 가하여 매립된 상기 붕소를 확산시킴형성되는것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    p영역층 형성 방법이 명시된 청구항 3의 구절을 핵심 근거로 선택한다.

    • 상기p영역층은 에피택셜 성장된 실리콘 기판상의 상기 n영역층 표면에 선택적으로 붕소를 이온주입하고, 상기 n영역층의 에피택셜 성장을 수행하여 이온 주입한 상기 붕소를 매립하는 공정을 복수회 수행한 후 열처리를 가하여 매립된 상기 붕소를 확산시킴형성되는것
  4. 4논리 통합logical_integration

    선택적 붕소 이온 주입, 에피택셜 성장을 통한 매립 공정의 반복, 그리고 열처리를 통한 확산 과정을 하나의 절차로 통합한다.

    • 상기p영역층은 에피택셜 성장된 실리콘 기판상의 상기 n영역층 표면에 선택적으로 붕소를 이온주입하고, 상기 n영역층의 에피택셜 성장을 수행하여 이온 주입한 상기 붕소를 매립하는 공정을 복수회 수행한 후 열처리를 가하여 매립된 상기 붕소를 확산시킴형성되는것
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 답하기 위해 공정 순서(이온 주입 -> 에피택셜 성장/매립 반복 -> 열처리/확산)를 정리한다.

    • 상기p영역층은 에피택셜 성장된 실리콘 기판상의 상기 n영역층 표면에 선택적으로 붕소를 이온주입하고, 상기 n영역층의 에피택셜 성장을 수행하여 이온 주입한 상기 붕소를 매립하는 공정을 복수회 수행한 후 열처리를 가하여 매립된 상기 붕소를 확산시킴형성되는것
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 완성된 답변을 작성한다.

    • 상기p영역층은 에피택셜 성장된 실리콘 기판상의 상기 n영역층 표면에 선택적으로 붕소를 이온주입하고, 상기 n영역층의 에피택셜 성장을 수행하여 이온 주입한 상기 붕소를 매립하는 공정을 복수회 수행한 후 열처리를 가하여 매립된 상기 붕소를 확산시킴형성되는것
근거 (evidence)
  • 상기p영역층은 에피택셜 성장된 실리콘 기판상의 상기 n영역층 표면에 선택적으로 붕소를 이온주입하고, 상기 n영역층의 에피택셜 성장을 수행하여 이온 주입한 상기 붕소를 매립하는 공정을 복수회 수행한 후 열처리를 가하여 매립된 상기 붕소를 확산시킴형성되는것
최종 답변 (final_answer)
p영역층을 형성하기 위해서는 먼저 에피택셜 성장된 실리콘 기판상의 n영역층 표면에 선택적으로 붕소를 이온 주입한다. 그 후, n영역층의 에피택셜 성장을 수행하여 이온 주입된 붕소를 매립하는 공정을 복수 회 수행하며, 마지막으로 열처리를 가하여 매립된 붕소를 확산시킴으로써 형성한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 붕소(B)의 선택적 이온 주입과 에피택셜 성장을 통한 매립 공정을 반복하고 열처리를 수행함으로써, n영역층 내에 p영역층을 형성하는 제조 방법을 제공한다.