스페이서 및 이 스페이서를 구비한 전자 방출 표시디바이스

[청구항 1] 진공 용기를 구성하는 제1기판과 제2기판 사이에 설치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서에 있어서, 제1기판과 제2기판의 두께 방향을 따라 임의의 높이를 가지며 유전체로 이루어지는 모체와, 상기 모체의 제1기판에 가까운 쪽 표면에 형성되는 제1코팅층과, 상기 모체의 제2기판에 가까운 쪽 표면에 형성되고 상기 제1코팅층에 비하여 비저항값이 낮은 전도성이 높은 물질로 형성되는 제2코팅층을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서 [청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 제1코팅층은 비저항값이 높은 산화물, 반도체, 다이아몬드상 탄소(dlc) 중에서 선택하여 형성하고,상기 제2코팅층은 상대적으로 비저항값이 낮은 금속이나 아몰퍼스 실리콘(도펀트 p)중선택하여형성하는전자 방출 표시 디바이스용 스페이서. [청구항 3] 청구항 2에 있어서,상기 제1코팅층을 형성하는 산화물로는 산화크롬을 사용하고, 반도체로는 아몰퍼스 실리콘사용하는전자 방출 표시 디바이스용 스페이서. [청구항 4] 청구항 2에 있어서,상기 제2코팅층을 형성하는 금속으로는 알루미늄(al), 크롬(cr), 구리(cu), 아연(zn), 니켈(ni), 백금(pt), 금(au), 은(ag), 팔라듐(pd)또는이들의합금중선택하여사용하는전자 방출 표시 디바이스용 스페이서. [청구항 5] 청구항 1에 있어서,상기 제2코팅층은 스페이서의 전체 높이 중에서 제2기판쪽으로부터 20∼50%의 범위형성하는전자 방출 표시 디바이스용 스페이서. [청구항 6] 서로 대향 배치되는 제1기판 및 제2기판과, 상기 제1기판에 제공되며 복수의 전자 방출 소자들로 이루어지는 전자 방출 디바이스와, 상기 제2기판에 제공되며 형광층들과 이 형광층들의 어느 일면에 위치하는 애노드 전극을 포함하는 발광 유닛과, 상기 제1기판과 제2기판 사이에 위치하는 복수의 스페이서들을 포함하고, 상기 스페이서가 제1기판과 제2기판의 두께 방향을 따라 임의의 높이를 가지며 유전체로 이루어지는 모체와, 상기 모체의 제1기판에 가까운 쪽 표면에 형성되는 제1코팅층과, 상기 모체의 제2기판에 가까운 쪽 표면에 형성되고 상기 제1코팅층에 비하여 비저항값이 낮은 전도성이 높은 물질로 형성되는 제2코팅층을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스 [청구항 7] 청구항 6에 있어서,상기 제1코팅층은 비저항값이 높은 산화물, 반도체, 다이아몬드상 탄소(dlc) 중에서 선택하여 형성하고,상기 제2코팅층은 상대적으로 비저항값이 낮은 금속이나 아몰퍼스 실리콘(도펀트 p)중선택하여형성하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 8] 청구항 7에 있어서,상기 제1코팅층을 형성하는 산화물로는 산화크롬을 사용하고, 반도체로는 아몰퍼스 실리콘(a-si)을 사용하고,상기 제2코팅층을 형성하는 금속으로는 알루미늄(al), 크롬(cr), 구리(cu), 아연(zn), 니켈(ni), 백금(pt), 금(au), 은(ag), 팔라듐(pd)또는이들의합금중선택하여사용하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 9] 청구항 6에 있어서,상기 제2코팅층은 스페이서의 전체 높이 중에서 애노드 전극쪽으로부터 20∼50%의 범위형성하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 10] 청구항 6에 있어서,상기 전자 방출 디바이스가 상기 제1 기판의 일 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극들과; 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되는 게이트 전극들; 및 상기 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들포함하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 11] 청구항 10에 있어서,상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, 훌러렌(c60) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질포함하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 12] 청구항 10에 있어서,상기 전자 방출 디바이스가 상기 캐소드 전극들 및 게이트 전극들과 절연을 유지하며 캐소드 전극들과 게이트 전극들 상부에 위치하는 집속 전극더욱 포함하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 13] 청구항 6에 있어서,상기 전자 방출 디바이스가 서로 이격되어 위치하는 제1 전극들 및 제2 전극들과; 상기 제1 전극들 위에 형성되는 제1 도전 박막들과; 상기 제2 전극들 위에 형성되며 상기 각각의 제1 도전 박막에 근접하게 위치하는 제2 도전 박막들; 및 상기 각각의 제1 도전 박막과 제2 도전 박막 사이에 제공되는 전자 방출부들포함하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 14] 청구항 13에 있어서,상기 전자 방출부가nan미세 크랙으로 이루어지는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 15] 청구항 13에 있어서,상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, 훌러렌(c60) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질포함하는전자 방출 표시 디바이스.