에칭 균일도를 향상시킬 수 있는 태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치

[청구항 1] 내부에 태양전지용 웨이퍼가 로딩되는 챔버 상기 챔버 상부에 배치되어, 상기 챔버 내부로 에칭가스를 분사하는 메인 가스분사부 상기 챔버 측부에 배치되어, 상기 챔버 내부로 에칭가스를 분사하는 측면 가스분사부; 및 상기 메인 가스분사부 및 측면 가스분사부에 에칭가스를 공급하는 에칭가스공급부 를 포함하고, 상기 측면 가스분사부에서 분사되는 에칭가스를 통하여, 상기 태양전지용 웨이퍼 표면의 가장자리 부분 에칭률을 조절하여 상기 태양전지용 웨이퍼 표면의 에칭 균일도를 향상시키는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치 [청구항 2] 내부에 다수개의 태양전지용 웨이퍼가 로딩되는 챔버 상기 챔버 상부에 배치되어, 상기 챔버 내부로 에칭가스를 분사하는 메인 가스분사부 상기 챔버 측부에 배치되어, 상기 챔버 내부로 에칭가스를 분사하는 측면 가스분사부; 및 상기 메인 가스분사부 및 측면 가스분사부에 에칭가스를 공급하는 에칭가스공급부 를 포함하고, 상기 측면 가스분사부에서 분사되는 에칭가스를 통하여, 상기 태양전지용 웨이퍼들 간의 에칭률을 조절하여 상기 태양전지용 웨이퍼들의 에칭 균일도를 향상시키는 것을 특징으로 하는 태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치 [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 에칭가스공급부는 frc(flow ratio controller)를 통하여 에칭가스를 공급하거나, 다이렉트 방식으로 에칭가스를 공급하거나, frc를 통하여 일부 에칭가스를 공급하고, 다이렉트 방식으로나머지에칭가스공급하는것을특징으로 하는태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치. [청구항 4] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 에칭가스는sf6, cf4, cl2, o2 및 ar 중에서1종이상선택되는것을특징으로 하는태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치. [청구항 5] 제1항 또는 제2항에 있어서,가스분사부 또는 측면 가스분사부에 보조가스를 공급하며, 상기 에칭가스공급부와 독립적으로 제어되는보조가스공급부더포함하는것을특징으로 하는태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 보조가스는 ar, o2 및 he 중에서 1종 이상 선택되는플라즈마활성화가스인것을특징으로 하는태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치. [청구항 7] 제5항에 있어서,상기 보조가스공급부에서 공급되는 보조가스는상기 에칭가스공급부에서 공급되는에칭가스와합기공급되는것을특징으로 하는태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치. [청구항 8] 제1항 또는 제2항에 있어서,가스분사부는 사각 형태로 배열되는복수의가스분사홀구비하는것을특징으로 하는태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,가스분사부는 사각 형태로 배열되는 복수의 가스분사홀을 각각 구비하며, 독립적인 유량으로 에칭가스를 각각 분사하는복수의서브분사부구획되어있는것을특징으로 하는태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 복수의 서브 분사부는 복수의 행과 열을 갖는 매트릭스(matrix)형태배열되는것을특징으로 하는태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 복수의 서브 분사부는 중심 분사부와 하나 이상의 외곽 분사부를 갖는 동심 사각(concentric square)형태배열되는것을특징으로 하는태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치. [청구항 12] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 에칭가스는상기 에칭가스공급부에 배치되는 rpg(remote plasma generator)에 의하여 플라즈마 상태로 되거나,상기 메인 가스분사부에서 플라즈마 상태로 되거나,상기챔버내부플라즈마 상태로되는것을특징으로 하는태양전지용 웨이퍼의 표면 텍스처링 장치.