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산화 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치

uuid
802bb3c0-43e8-51e8-9695-43ac2feae2fc
출원번호
1020150143592
출원연도
2015
IPC
C23C
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항7] 산화 실리콘막을 성막하는 성막 장치로서, 상기 텅스텐막 또는 산화 텅스텐막이 형성된 피처리체 를 수용하는 처리실과, 상기 처리실 내에, 아미노실란계 가스 및 실리콘 원료 가스 중 적어도 한쪽, 또한 산화제를 포함하는 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 처리실 내를 가열하는 가열 장치와, 상기 처리실 내를 배기하는 배기 장치와, 상기 가스 공급 기구, 상기 가열 장치, 상기 배기 장치를 제어하는 컨트롤러를 구비하고, 상기 컨트롤러가, 상기 처리실 내에 있어서, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 산화 실리콘막의 성막 방법이, 상기 피처리체에 대하여 행해지도록, 상기 가스 공급 기구, 상기 가열 장치, 상기 배기 장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
산화 실리콘막 성막 장치를 구성하는 주요 장치들의 종류와, 컨트롤러가 제어하는 대상은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    산화 실리콘막 성막 장치의 구성 요소와 컨트롤러의 제어 대상을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항에 명시된 장치 구성 요소인 처리실, 가스 공급 기구, 가열 장치, 배기 장치, 컨트롤러를 추출한다.

    • 처리실
    • 가스 공급 기구
    • 가열 장치
    • 배기 장치
    • 컨트롤러
  3. 3근거 선택evidence_selection

    컨트롤러가 제어하는 구체적인 대상을 명시한 문구를 선택한다.

    • 상기 가스 공급 기구, 상기 가열 장치, 상기 배기 장치를 제어하는 컨트롤러
  4. 4논리 통합logical_integration

    장치의 구성 요소들을 나열하고, 컨트롤러와 각 구성 요소 간의 제어 관계를 연결한다.

    • 가스 공급 기구, 상기 가열 장치, 상기 배기 장치를 제어하는 컨트롤러
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    장치는 처리실, 가스 공급 기구, 가열 장치, 배기 장치, 컨트롤러로 구성되며, 컨트롤러는 가스 공급 기구, 가열 장치, 배기 장치를 제어한다.

    • 처리실
    • 가스 공급 기구
    • 가열 장치
    • 배기 장치
    • 컨트롤러
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 적합한 형태로 구성 요소와 제어 대상을 정리하여 답변을 작성한다.

근거 (evidence)
  • 처리실
  • 가스 공급 기구
  • 가열 장치
  • 배기 장치
  • 컨트롤러
  • 상기 가스 공급 기구, 상기 가열 장치, 상기 배기 장치를 제어하는 컨트롤러
  • 가스 공급 기구, 상기 가열 장치, 상기 배기 장치를 제어하는 컨트롤러
최종 답변 (final_answer)
산화 실리콘막 성막 장치의 구성 요소는 처리실, 가스 공급 기구, 가열 장치, 배기 장치, 그리고 컨트롤러이다. 이 중 컨트롤러는 가스 공급 기구, 가열 장치, 배기 장치를 제어한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
산화 실리콘막 성막 장치는 피처리체를 수용하는 처리실을 중심으로 가스 공급, 가열, 배기 기능을 수행하는 장치들과 이를 통합 제어하는 컨트롤러로 구성된다.