전기화학적 디바이스용 멤브레인-전극 어셈블리

[청구항1] - 정면 및 후면을 갖는 이온-도전성 멤브레인(1), - 정면 상의 제1 촉매층(2) 및 제1 가스 확산층(4) 및 - 후면 상의 제2 촉매층(3) 및 제2 가스 확산층(5)을 포함하고, 상기 제1 가스 확산층은 이온-도전성 멤브레인(1)보다 작은 평면 치수를 갖고, 상기 제2 가스 확산층은 본질적으로 이온-도전성 멤브레인(1)과 동일한 평면 치수를 갖는 것인, 전기 화학적 디바이스들용 멤브레인-전극 어셈블리 [청구항2] 제1항에 있어서,상기 이온-도전성 멤브레인(1)의 정면 상의 촉매층(2) 및 후면 상의 촉매층(3)은 상이한 평면 치수갖는 것인멤브레인-전극 어셈블리. [청구항3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 이온-도전성 멤브레인(1)의 정면 상의 촉매층(2) 및 후면 상의 촉매층(3)은 동일한 평면 치수갖는 것인멤브레인-전극 어셈블리. [청구항4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이온-도전성 멤브레인(1)은 정면 상의 가스 확산층에 의해 지지되지 않는 표면갖는 것인멤브레인-전극 어셈블리. [청구항5] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 정면 상의 촉매층(2) 및 후면 상의 촉매층(3)은 귀금속들을 함유하는 촉매들을 포함하고, 적절하게는 이온-도전성 물질들포함하는 것인멤브레인-전극 어셈블리. [청구항6] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,이온-도전성 멤브레인이 퍼플루오르화된 중합성 술폰산 화합물들, 도핑된 폴리벤즈이미다졸들, 폴리에테르 케톤들, 폴리술폰들 또는 이온-도전성 세라믹 물질들 등의 유기 중합체들을 포함하고, 10 내지 200㎛ 두께갖는 것인멤브레인-전극 어셈블리. [청구항7] 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 확산층들이 탄소 섬유 페이퍼, 탄소 섬유 부직포, 직포 탄소 섬유 직물들, 금속 메시들, 금속을 입힌 직물 등의 다공성의 전기적으로 도전성인 물질들포함하는 것인멤브레인-전극 어셈블리. [청구항8] 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 확산층들(4, 5) 및 가스 확산층으로 지지되지 않은 이온-도전성 멤브레인(1)의 유리 표면(6)의 에지가 시일링 물질봉입된멤브레인-전극 어셈블리. [청구항9] 제8항에 있어서,상기 시일링 물질이 가스 확산층들(4, 5)의 에지 영역(7a)을 적어도 0.5mm 폭으로 추가함침시키는 것인멤브레인-전극 어셈블리. [청구항10] 제8항에 있어서,상기 시일링 물질이 폴리에틸렌들, 폴리프로필렌들, 폴리테트라플루오로에틸렌들, pvdf, 폴리에스테르들, 폴리아미드들, 폴리아미드 엘라스토머들, 폴리이미드들 및 폴리우레탄들로 구성된 군으로부터의 열가소성 중합체들, 실리콘들, 실리콘 엘라스토머들, epdm, 플루오로엘라스토머들, 퍼플루오로엘라스토머들, 클로로프렌 엘라스토머들, 플루오로실리콘 엘라스토머들로 구성된 군으로부터의 엘라스토머들 및(또는) 에폭시 수지들, 페놀계 수지들 및 시아노아크릴레이트들로 구성된 군으로부터의 열경화성 중합체들포함하는 것인멤브레인-전극 어셈블리. [청구항11] 제8항에 있어서,상기 시일링 물질이 화학적으로 불활성이고 전기적으로 절연성인 무기 물질강화된 것인멤브레인-전극 어셈블리. [청구항12] 제8항에 있어서,상기 시일링 물질이추가의주위의중합체프레임완전하게결합되는 것인멤브레인-전극 어셈블리. [청구항13] 제8항에 있어서,상기 시일링 물질이 상호 모두 결합되고, 동시에 접착제층에 의해 멤브레인-전극 어셈블리에 결합된 크리이프-저항 중합체 물질의 복수개의 층포함하는 것인멤브레인-전극 어셈블리. [청구항14] 제13항에 있어서,이상의 유리 전이 온도(tg)를 갖는 중합체들이 크리이프-저항 물질사용되는 것인멤브레인-전극 어셈블리. [청구항15] 제13항에 있어서,아크릴레이트들, 시아노아크릴레이트들, 에폭시 수지들, eva, 폴리에틸렌, 프로필렌 등으로 구성된 군으로부터의 냉각 경화성 접착제들 또는 고온-경화성 접착제들이접착제사용될수있는 것인멤브레인-전극 어셈블리.