광전 소자 및 광전 소자를 생산하기 위한 방법

[청구항2] 제 1 항에 있어서,상기 캐리어(102)는 평면형구현되는,광전 소자(100). [청구항3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 캐리어(102)는 연성 글래스를 포함하거나 그형성되는,광전 소자(100). [청구항4] 제 3 항에 있어서,상기 연성 글래스는 소다-라임 실리케이트 글래스인,광전 소자(100). [청구항5] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 보호층(106)은 매트릭스(306)를 포함할 수 있고, 그 내부에 적어도 하나의 제1 타입의 uv 흡수 첨가제들(902, 1202)이 임베딩될 수 있으며, 여기서, 상기 uv-흡수 첨가제(902, 1202)들은 적어도 일 파장 범위에서 대략 400nm보다 작은 파장(506)을 갖는 전자기 방사선에 대해 상기 캐리어(102)보다 낮은 투과갖는,광전 소자(100). [청구항6] 제 5 항에 있어서,상기 보호층(106)의 상기 매트릭스(306)는 대략 1.7보다 큰 굴절률갖는,광전 소자(100). [청구항7] 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 보호층(106)의 상기 매트릭스(306)는 비정질 방식구현되는,광전 소자(100). [청구항8] 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 보호층(106)의 상기 매트릭스(306)는 글래스 시스템들의 그룹: pbo 함유 시스템들: pbo-b203, pbo-sio2, pbo-b2o3-sio2, pbo-b2o3-zno2, pbo-b2o3-al2o3 -여기서, 상기 pb0 함유 글래스 솔더는 또한 bi2o3를 포함함-; bi2o3 함유 시스템들: bi2o3-b2o3, bi2o3-b2o3-sio2, bi2o3-b2o3-zno, bi2o3-b2o3-zno-sio2로부터의 물질 또는 물질 혼합체를 포함하거나 이로부터 형성될 수 있고, 여기서, bi2o3 함유 시스템들은 또한 물질들의 그룹: al2o3, 알칼리 토금속 산화물(alkaline earth metal oxides), 알칼리 금속 산화물(alkali metal oxides), zro2, tio2, hfo2, nb2o5, ta2o5, teo2, wo3, mo3, sb2o3, ag2o, sno2, 희토류 산화물로부터의 물질 혼합체 또는 물질을 부가적포함하는,광전 소자(100). [청구항9] 제 8 항에 있어서,상기 매트릭스(306)의 물질 혼합체 또는 물질은 물질들의 그룹: ce, fe, sn, ti, pr, eu 및/또는 v 화합물들로부터의 물질을 포함하거나 이형성되는,광전 소자(100). [청구항10] 제 5 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기uv-흡수 첨가제들(902, 1202)의 일 타입은 물질들의 그룹: tio2, ceo2, bi2o3, zno, sno2, 인광 물질: ce3+ 도핑된 가넷(garnet) 이를테면 yag:ce 및 luag, eu3+ 도핑된 질화물, 황화물, sions, 사이알론, 오르토실리케이트(orthosilicates), 클로로실리케이트(chlorosilicates), 클로로포스페이트(chlorophosphates), bam (barium magnesium aluminate:eu) 및/또는 scap, 할로포스페이트(halophosphate), 글래스 입자들, 금속 나노 입자들로부터의 화학량론적 화합물 또는 물질 혼합체 또는 물질을 포함하거나이들형성될수있는,광전 소자(100). [청구항11] 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광전 소자(100)는 유기 발광 다이오드(100) 또는 유기 솔라 셀구현되는,광전 소자(100).