플라즈마 차단 절연판이 장착된 플라즈마 ＣＶＤ 장치

[청구항1] 내측벽을 가지는 진공 챔버 상기 진공 챔버 내에 설치된 상부 전극 히터가 마련되어 있고 하부 전극으로서 역할을 하며, 기판을 놓기 위한 기판 지지 영역을 가지며, 상기 상부 전극을 대면하며, 그 외측 둘레부와 상기 내측벽 사이의 간격을 가지면서 상기 내측벽에 의해 둘러싸이며, 상기 기판을 처리하기 위한 처리 위치에 위치하는 서셉터; 및 상기 서셉터 근처에서 상기 간격에 배치되거나 또는 상기 서셉터와 접촉하면서 상기 간격에 배치되며, 상기 처리 위치에 있을 때 상기 서셉터의 전체 둘레를 둘러싸며, 상면, 하면 및 외측 둘레부를 가지며, 상기 하면은 상기 서셉터의 축방향으로 상기 서셉터의 상면보다 높지 않으며, 상기 상면은 상기 서셉터의 하단보다 낮지 않으며, 상기 외측 둘레부는 상기 처리 위치에 있을 때 상기 서셉터의 둘레부보다 상기 챔버의 내측벽에 더 가까이 위치하는, 적어도 하나의 플라즈마 차단 절연판 을 구비하는, 기판을 처리하기 위한 플라즈마 cvd 장치 [청구항2] 제1항에 있어서,상기 절연판은 상기 서셉터 상에 배치되는 기판 지지 영역의 직경보다 큰 직경을 가지는내측둘레부가지는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항3] 제1항에 있어서,셉터의 외측 둘레부로부터 상기 절연판의 외측 둘레부까지의 거리(a)와, 상기 절연판의 외측 둘레부로부터 상기 챔버의 내측벽까지의 거리(b)가 a/(a+b)=70-99%의등식만족하는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항4] 제1항에 있어서,상기 절연판은 링 형상이며 상기 서셉터부착되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항5] 제1항에 있어서,상기 절연판은 링 형상이며상기챔버고정되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항6] 제4항에 있어서,셉터는 상기 기판 지지 영역의 외측의 상면 상에 환형의 립부(lip portion)를 가지며,상기 절연판은상기립부의외측의상면배치되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항7] 제4항에 있어서,셉터는 상기 기판 지지 영역의 외측의 상면 상에 환형의 립부(lip portion)를 가지지 않으며,상기 절연판은상기기판지지 영역의외측의상면배치되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항8] 제1항에 있어서,셉터는 상판과 상기 상판이 놓여지는 히팅 블록을 구비하며,상기 절연판은 링 형상이며상기상판부착되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항9] 제1항에 있어서,셉터는 상판과 상기 상판이 놓여지는 히팅 블록을 구비하며,상기 절연판은 링 형상이며상기상판과상기히팅블록사이삽입되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항10] 제1항에 있어서,셉터는 상판과 상기 상판이 놓여지는 히팅 블록을 구비하며,상기 절연판은 링 형상이며상기히팅블록의측부부착되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항11] 제1항에 있어서,셉터는 상판과 상기 상판이 놓여지는 히팅 블록을 구비하며,상기 절연판은 링부와 환형의 수직 둘레부를 가지며,상기 링부는상기히팅블록의측부부착되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항12] 제1항에 있어서,셉터는, 상판과 상기 상판이 놓여지는 히팅 블록을 구비하며,상기 절연판은, 링 형상이며 지지부에 의해 상기 챔버의 바닥부에 고정되며 상기 처리 위치에 있을 때 상기 상판과 상기 히팅 블록 사이의 경계부에또는경계부근처배치되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항13] 제1항에 있어서,적어도 하나의 절연판은, 서로 다른 위치에 설치된2개의절연판구성된것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항14] 제13항에 있어서,상기 절연판들 중어느 하나는 상기 서셉터의 상면에 부착되고, 다른 하나의 절연판은 지지부에 의해상기챔버의바닥부고정되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항15] 제1항에 있어서,상기 절연판은 플라즈마가 생성될 때 상기 기판 상에 충전되는 플로팅 전위를 최소화하도록배치되는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항16] 제1항에 있어서,상기 절연판은 알루미늄, 마그네슘, 실리콘, 티타늄 및 지르코늄의 산화물, 질화물 및 플루오르화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느하나의재료지는것을특징으로 하는플라즈마 cvd 장치. [청구항17] 내측벽을 가지는 진공 챔버 상기 진공 챔버 내에 설치된 상부 전극 히터가 마련되어 있고 하부 전극으로서 역할을 하며, 기판을 놓기 위한 기판 지지 영역을 가지며, 상기 상부 전극을 대면하며, 그 외측 둘레부와 상기 내측벽 사이의 간격을 가지면서 상기 내측벽에 의해 둘러싸이며, 상기 기판을 처리하기 위한 처리 위치에 위치하는 서셉터; 및 플라즈마가 생성될 때 상기 기판에 충전되는 플로팅 전위를 최소화하기 위한 수단 을 구비하는, 기판을 처리하기 위한 플라즈마 cvd 장치