낮은 불소 함량을 가지는 금속-유기 용액으로부터 초전도 테잎을 얻기 위한 방법

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 용액 내 금속 이온의 총 농도는 0.5 내지인공정. [청구항 3] 제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서,희토류 염은 y, la, nd, sm, eu, gd, dy, ho, er, yb, lu 및 이들의 조합 중 어느 하나로부터 선택된 적어도 하나의 원소포함하는공정. [청구항 5] 제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,희토류 또는 이트륨 염은 모노플루오로-카르복실레이트, 디플루오로-카르복실레이트, 트리플루오로아세테이트, 비-플루오르화된 카르복실레이트 및 이들의 조합 중선택되는공정. [청구항 6] 제5항에 있어서,희토류 또는 이트륨 염은 트리플오로아세테이트인공정. [청구항 7] 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,알칼리 토금속은 ba, sr, ca 및 이들의 조합 중 어느 하나선택되는공정. [청구항 8] 제7항에 있어서,알칼리 토금속은인공정. [청구항 9] 제7항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,알칼리 토금속의 염은 비-플루오르화된카르복실레이트인공정. [청구항 10] 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,전이 금속은인공정. [청구항 11] 제10항에 있어서,전이 금속의 염은 비-플루오르화된카르복실레이트인공정. [청구항 12] 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,용액은 아세트산, 아세톤, 아세토니트릴, 벤젠, 1-부탄올, 2-부탄올, 2-부타논, 펜타논, t-부틸 알코올, 사염화탄소, 클로로벤젠, 클로로포름, 시클로헥산, 1,2-디클로로에탄, 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 1,2-디메톡시에탄, 디메틸 에테르, 디메틸 포름아미드, 디메틸 설폭사이드, 디옥산, 에탄올, 에틸 아세테이트, 에틸렌 글리콜, 글리세린, 헵탄, 트리아미드, 헥산, 메탄올, 메틸 t-부틸 에테르, 디클로로메탄, n-메틸-2-피롤리돈, n-메틸피롤리돈, 니트로메탄, 펜탄, 페트롤륨 에테르, 1-프로판올, 2-프로판올, 피리딘, 테트라히드로푸란, 톨루엔, 트리에틸아민, o-자일렌, m-자일렌, p-자일렌 및 이들의 조합 중 어느 하나로부터 선택된 적어도 하나의 용매포함하는공정. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 용액은 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 및 이들의 조합 중 어느 하나로부터 선택된 적어도 하나의 용매포함하는공정. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 용매는에탄올인공정. [청구항 15] 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 용액은 알코올, 아미노, 에테르 및 카르보닐 기로 관능화된 탄소 사슬로 구성된 적어도 하나의 안정화 첨가제를 단독이거나 조합이거나중합체사슬의일부형성하는것포함하는공정. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 첨가제는 아미노 알코올, 아미노산, 우레아 및 이들의 조합 중 어느 하나를 포함하는 목록 중선택되는공정. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 아미노 알코올은 트리에탄올아민인공정. [청구항 18] 제16항에 있어서,상기nan우레아는n,n-디메틸우레아인 공정. [청구항 19] 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,안정화 첨가제는 중량으로 2 % 내지 20 %의 비율로 상기 용액부가되는공정. [청구항 20] 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,증착된생성물의분해및결정성장포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 분해 및 결정 성장은 70 내지일어나는공정. [청구항 22] 제20항 또는 제21항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분해 및 결정 성장은 대기 제어 오븐에서 수행되고 다음을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정: 7 내지 100 mbar의 수증기압(water vapour pressure) 및 0.1 내지 1 mbar의 산소압(oxygen pressure)을 가지는 질소 대기에서 750 내지 820 ℃의 온도까지 수행되는 일차 가열 단계; 및 1 bar의 산소압에서 300 내지 500 ℃의 온도로 8 h 미만의 시간 동안의 이차 가열 단계, 이후 실온냉각하는단계. [청구항 24] 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,및 이들의 조합 중어느 하나선택되는공정. [청구항 26] 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,및 이들의 조합 중어느 하나선택되는공정. [청구항 29] 제1항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서,상기 용액은 단결정질 기판 또는 2축 텍스처(biaxial texture)를 갖는 기판증착되는공정. [청구항 30] 제29항에 있어서,상기 기판은 희토류 염 또는 산화물; 알칼리 토금속 염 또는 산화물; 전이 금속 염 또는 산화물; 및 이들의 조합 중 어느 하나선택되는공정. [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 기판은 단결정의 srtio3, laalo3, 지르코늄, 안정화된 지르코늄(ysz), mgo, 희토류 산화물 및 2축 텍스처링된 금속 테잎을 포함하는 목록 중선택되는공정. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 용액은 추가적으로 안정화 첨가제포함하는용액. [청구항 37] 제36항에 있어서,상기 초전도 물질은 77 k에서 그리고 자가 자기장(auto field)에서 2 내지 4 ma/cm2의임계 전류 밀도가지는것을특징으로 하는초전도 물질.