포스파젠 유도체 리튬염으로 이루어지는 전지용 지지염, 그의 제조방법 및 그를 사용한 전지

[청구항2] 제 1 항에 있어서,상기 식(i) 또는 식 (ii)의페닐기인것을특징으로 하는전지용 지지염. 제 1 항에 있어서,상기 식(i) 또는 식 (ii)의페닐기인것을특징으로 하는전지용 지지염. [청구항8] 제 7 항에 있어서,상기 비프로톤성 유기용매에 포스파젠 유도체 및/또는포스파젠 유도체의이성체첨가하는것을특징으로 하는비수전해액 전지. 제 7 항에 있어서,상기 비프로톤성 유기용매에 포스파젠 유도체, 포스파젠 유도체의 이성체,또는포스파젠 유도체및포스파젠 유도체의이성체첨가하는것을특징으로 하는비수전해액 전지. [청구항9] 제 8 항에 있어서,상기 포스파젠 유도체가 25℃ 에서 300mpaㆍs (300cp) 이하의 점도를 갖고, 하기 식 (viii) 또는 하기 식 (ix) 로 표시되는 것을 특징으로 하는 비수전해액 전지.(식 중, r1, r2 및 r3 은 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소를 나타내고 ; x1 은 탄소, 규소, 게르마늄, 주석, 질소, 인, 비소, 안티몬, 비스무트, 산소, 황, 셀렌, 텔루르 및 폴로늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 원소의 1종 이상을 함유하는 치환기를 나타내고 ; y1, y2 및 y3 은 각각 독립적으로 2가의 연결기, 2가의 원소 또는 단결합을 나타낸다)(npr42)n ㆍㆍㆍㆍ (ix)(식 중, r4 는 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소15 를 나타낸다) 제 8 항에 있어서,상기 포스파젠 유도체가 25℃ 에서 300mpaㆍs (300cp) 이하의 점도를 갖고, 하기 식 (viii) 또는 하기 식 (ix) 로 표시되는 것을 특징으로 하는 비수전해액 전지. (식 중, r1, r2 및 r3 은 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소를 나타내고 ; x1 은 탄소, 규소, 게르마늄, 주석, 질소, 인, 비소, 안티몬, 비스무트, 산소, 황, 셀렌, 텔루르 및 폴로늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 원소의 1종 이상을 함유하는 치환기를 나타내고 ; y1, y2 및 y3 은 각각 독립적으로 2가의 연결기, 2가의 원소 또는 단결합을 나타낸다) (npr4 2)n ㆍㆍㆍㆍ (ix) (식 중, r4 는 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소15 를 나타낸다) [청구항10] 제 9 항에 있어서,상기 식(ix) 로 표시되는 포스파젠 유도체가, 하기 식 (x) 으로 표시되는 것을 특징으로 하는 비수전해액 전지.(npf2)n ㆍㆍㆍㆍ (x)(식 중13 을 나타낸다) 제 9 항에 있어서,상기 식(ix) 로 표시되는 포스파젠 유도체가, 하기 식 (x) 으로 표시되는 것을 특징으로 하는 비수전해액 전지. (npf2)n ㆍㆍㆍㆍ (x) (식 중13 을 나타낸다) [청구항11] 제 9 항에 있어서,상기 식(ix) 로 표시되는 포스파젠 유도체가, 하기 식 (xi) 로 표시되는 것을 특징으로 하는 비수전해액 전지.(npr52)n ㆍㆍㆍㆍ (xi)(식 중, r5 는 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 불소를 나타내고, 전체 r5 중 하나 이상은 불소를 함유하는 1가의 치환기 또는 불소이고, n 은 3 ~ 8 을 나타낸다. 단, 모든 r5 가불소인 것은 아니다) 제 9 항에 있어서,상기 식(ix) 로 표시되는 포스파젠 유도체가, 하기 식 (xi) 로 표시되는 것을 특징으로 하는 비수전해액 전지. (npr5 2)n ㆍㆍㆍㆍ (xi) (식 중, r5 는 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 불소를 나타내고, 전체 r5 중 하나 이상은 불소를 함유하는 1가의 치환기 또는 불소이고, n 은 3 ~ 8 을 나타낸다. 단, 모든 r5 가불소인 것은 아니다) [청구항12] 제 8 항에 있어서,상기 포스파젠 유도체가 25℃ 에서 고체이고, 하기 식 (xii) 로 표시되는 것을 특징으로 하는 비수전해액 전지.(npr62)n ㆍㆍㆍㆍ (xii)(식 중, r6 은 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소6 을 나타낸다) 제 8 항에 있어서,상기 포스파젠 유도체가 25℃ 에서 고체이고, 하기 식 (xii) 로 표시되는 것을 특징으로 하는 비수전해액 전지. (npr6 2)n ㆍㆍㆍㆍ (xii) (식 중, r6 은 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소6 을 나타낸다) [청구항13] 제 8 항에 있어서,상기 포스파젠 유도체의 이성체가, 하기 식 (xiii) 로 표시되고, 또한 하기 식 (xiv) 로 표시되는 포스파젠 유도체의 이성체인 것을 특징으로 하는 비수전해액 전지.(식 (xiii) 및 (xiv) 에 있어서, r7, r8 및 r9 는 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소를 나타내고 ; x2 는 탄소, 규소, 게르마늄, 주석, 질소, 인, 비소, 안티몬, 비스무트, 산소, 황, 셀렌, 텔루르 및 폴로늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 원소의 1종 이상을 함유하는 치환기를 나타내고 ; y7 및 y8 은 각각 독립적으로 2가의 연결기, 2가의 원소 또는 단결합나타낸다) 제 8 항에 있어서,상기 포스파젠 유도체의 이성체가, 하기 식 (xiii) 로 표시되고, 또한 하기 식 (xiv) 로 표시되는 포스파젠 유도체의 이성체인 것을 특징으로 하는 비수전해액 전지. (식 (xiii) 및 (xiv) 에 있어서, r7, r8 및 r9 는 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소를 나타내고 ; x2 는 탄소, 규소, 게르마늄, 주석, 질소, 인, 비소, 안티몬, 비스무트, 산소, 황, 셀렌, 텔루르 및 폴로늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 원소의 1종 이상을 함유하는 치환기를 나타내고 ; y7 및 y8 은 각각 독립적으로 2가의 연결기, 2가의 원소 또는 단결합나타낸다) [청구항15] 제 14 항에 있어서,상기 폴리머가, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리아크릴레이트 및 폴리프로필렌옥사이드 중 하나이상인폴리머 전지. 제 14 항에 있어서,상기 폴리머가, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리아크릴레이트 및 폴리프로필렌옥사이드 중 하나이상인폴리머 전지. [청구항16] 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 폴리머의 중량 평균 분자량이 10만이상인폴리머 전지. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 폴리머의 중량 평균 분자량이 10만이상인폴리머 전지. [청구항17] 제 16 항에 있어서,상기 폴리머의 중량 평균 분자량이 500만이상인폴리머 전지. 제 16 항에 있어서,상기 폴리머의 중량 평균 분자량이 500만이상인폴리머 전지. [청구항18] 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 폴리머 및 상기 지지염의nan총량에 대한폴리머의 양이 80 ~ 95 질량% 인 폴리머 전지. 제 14 항, 제 15 항 및 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 폴리머 및 상기 지지염의nan총량에 대한폴리머의 양이 80 ~ 95 질량% 인 폴리머 전지. [청구항19] 제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전해질이, 추가로 포스파젠 유도체 및/또는포스파젠 유도체의이성체함유하는것을특징으로 하는폴리머 전지. 제 14 항, 제 15항 및 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전해질이, 추가로 포스파젠 유도체, 포스파젠 유도체의 이성체,또는포스파젠 유도체및포스파젠 유도체의이성체함유하는것을특징으로 하는폴리머 전지. [청구항20] 제 19 항에 있어서,상기 포스파젠 유도체가, 25℃ 에서 300mpaㆍs (300cp) 이하의 점도를 갖고, 하기 식 (viii) 또는 하기 식 (ix) 로 표시되는 것을 특징으로 하는 폴리머 전지. (식 중, r1, r2 및 r3 은 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소를 나타내고 ; x1 은 탄소, 규소, 게르마늄, 주석, 질소, 인, 비소, 안티몬, 비스무트, 산소, 황, 셀렌, 텔루르 및 폴로늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 원소의 1종 이상을 함유하는 치환기를 나타내고 ; y1, y2 및 y3 은 각각 독립적으로 2가의 연결기, 2가의 원소 또는 단결합을 나타낸다) (npr4 2)n ㆍㆍㆍㆍ (ix) (식 중, r4 는 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소15 를 나타낸다) 제 19 항에 있어서,상기 포스파젠 유도체가, 25℃ 에서 300mpaㆍs (300cp) 이하의 점도를 갖고, 하기 식 (viii) 또는 하기 식 (ix) 로 표시되는 것을 특징으로 하는 폴리머 전지.(식 중, r1, r2 및 r3 은 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소를 나타내고 ; x1 은 탄소, 규소, 게르마늄, 주석, 질소, 인, 비소, 안티몬, 비스무트, 산소, 황, 셀렌, 텔루르 및 폴로늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 원소의 1종 이상을 함유하는 치환기를 나타내고 ; y1, y2 및 y3 은 각각 독립적으로 2가의 연결기, 2가의 원소 또는 단결합을 나타낸다)(npr42)n ㆍㆍㆍㆍ (ix)(식 중, r4 는 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소15 를 나타낸다) [청구항21] 제 20 항에 있어서,상기 식(ix) 로 표시되는 포스파젠 유도체가, 하기 식 (x) 으로 표시되는 것을 특징으로 하는 폴리머 전지. (npf2)n ㆍㆍㆍㆍ (x) (식 중13 을 나타낸다) 제 20 항에 있어서,상기 식(ix) 로 표시되는 포스파젠 유도체가, 하기 식 (x) 으로 표시되는 것을 특징으로 하는 폴리머 전지.(npf2)n ㆍㆍㆍㆍ (x)(식 중13 을 나타낸다) [청구항22] 제 20 항에 있어서,상기 식(ix) 로 표시되는 포스파젠 유도체가, 하기 식 (xi) 로 표시되는 것을 특징으로 하는 폴리머 전지. (npr5 2)n ㆍㆍㆍㆍ (xi) (식 중, r5 는 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 불소를 나타내고, 전체 r5 중 하나 이상은 불소를 함유하는 1가의 치환기 또는 불소이고, n 은 3 ~ 8 을 나타낸다. 단, 모든 r5 가불소인 것은 아니다) 제 20 항에 있어서,상기 식(ix) 로 표시되는 포스파젠 유도체가, 하기 식 (xi) 로 표시되는 것을 특징으로 하는 폴리머 전지.(npr52)n ㆍㆍㆍㆍ (xi)(식 중, r5 는 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 불소를 나타내고, 전체 r5 중 하나 이상은 불소를 함유하는 1가의 치환기 또는 불소이고, n 은 3 ~ 8 을 나타낸다. 단, 모든 r5 가불소인 것은 아니다) [청구항23] 제 19 항에 있어서,상기 포스파젠 유도체가 25℃ 에서 고체이고, 하기 식 (xii) 로 표시되는 것을 특징으로 하는 폴리머 전지. (npr6 2)n ㆍㆍㆍㆍ (xii) (식 중, r6 은 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소6 을 나타낸다) 제 19 항에 있어서,상기 포스파젠 유도체가 25℃ 에서 고체이고, 하기 식 (xii) 로 표시되는 것을 특징으로 하는 폴리머 전지.(npr62)n ㆍㆍㆍㆍ (xii)(식 중, r6 은 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소6 을 나타낸다) [청구항24] 제 19 항에 있어서,상기 포스파젠 유도체의 이성체가, 하기 식 (xiii) 로 표시되고, 또한 하기 식 (xiv) 로 표시되는 포스파젠 유도체의 이성체인 것을 특징으로 하는 폴리머 전지.(식 (xiii) 및 (xiv) 에 있어서, r7, r8 및 r9 는 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소를 나타내고 ; x2 는 탄소, 규소, 게르마늄, 주석, 질소, 인, 비소, 안티몬, 비스무트, 산소, 황, 셀렌, 텔루르 및 폴로늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 원소의 1종 이상을 함유하는 치환기를 나타내고 ; y7 및 y8 은 각각 독립적으로 2가의 연결기, 2가의 원소 또는 단결합나타낸다) 제 19 항에 있어서,상기 포스파젠 유도체의 이성체가, 하기 식 (xiii) 로 표시되고, 또한 하기 식 (xiv) 로 표시되는 포스파젠 유도체의 이성체인 것을 특징으로 하는 폴리머 전지. (식 (xiii) 및 (xiv) 에 있어서, r7, r8 및 r9 는 각각 독립적으로 1가의 치환기 또는 할로겐 원소를 나타내고 ; x2 는 탄소, 규소, 게르마늄, 주석, 질소, 인, 비소, 안티몬, 비스무트, 산소, 황, 셀렌, 텔루르 및 폴로늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 원소의 1종 이상을 함유하는 치환기를 나타내고 ; y7 및 y8 은 각각 독립적으로 2가의 연결기, 2가의 원소 또는 단결합나타낸다)