유기 반도체 재료 및 유기 부품

[청구항2] 제 1항에 있어서,도핑 재료가 fc/fc+에 대해 mecn 중 0.0v 또는 그 초과, 바람직하게는 0.24v 초과특징으로 하는,유기 반도체 재료. [청구항3] 제 1항에 있어서,도핑 재료가 하기 화학식(2)를 갖는 화합물로부터 선택됨을 특징으로 하는 유기 반도체 재료:상기 식에서, 각각의 r1은 아릴 및 헤테로아릴의 군으로부터 독립적으로 선택되고, 아릴 및 헤테로아릴은 일부 또는 전부가 바람직하게는 전자-결핍 기(억셉터 기(acceptor group))로 완전히 치환되고,아릴은 바람직하게는 페닐, 바이페닐, α-나프틸, β-나프틸, 페난트릴 또는 안트라실이고,헤테로아릴은 바람직하게는 피리딜, 피리미딜, 트리아질 또는 퀴녹살리닐이며,억셉터 기는 바람직하게는 불소, 염소, 브롬, cn, 트리플루오로메틸 또는 니트로선택된전자-친화 기이다. [청구항4] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,도핑 재료가 매트릭스 재료 내에임베딩됨을특징으로 하는유기 반도체 재료. [청구항5] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,도핑 재료 및 매트릭스 재료가 서로 물리적 접촉되어 있는2개의층형성함을특징으로 하는유기 반도체 재료. [청구항6] 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,매트릭스 재료가 제 1층 및 제 2층에 존재하고, 제 1층 또는 제 2층이 도핑 재료로 도핑되고, 제 1층 및 제 2층이 바람직하게는 서로 인접하여배열됨을특징으로 하는유기 반도체 재료. [청구항7] 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,도핑 재료가2,2'',2''''-(시클로프로판-1,2,3-트리일리덴)트리스(2-(퍼플루오로페닐)-아세토니트릴);2,2'',2''''-(시클로프로판-1,2,3-트리일리덴)트리스(2-(퍼플루오로피리딘-4-일)-아세토니트릴);2,2'',2''''-(시클로프로판-1,2,3-트리일리덴)트리스(2-(4-시아노퍼플루오로페닐)-아세토니트릴);2,2'',2''''-(시클로프로판-1,2,3-트리일리덴)트리스(2-(2,3,5,6-테트라플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-아세토니트릴); 및(시클로프로판-1,2,3-트리일리덴)트리스(2-(2,6-디클로로-3,5-디플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)아세토니트릴선택됨을특징으로 하는유기 반도체 재료. [청구항9] 제 8항에 있어서,발광 부품임특징으로 하는유기 부품. [청구항10] 제 8항에 있어서,유기 태양 전지임특징으로 하는유기 부품.