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기판 측정 장치 및 기판 측정 방법

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8c957f77-16e1-55fe-8749-9f03f4aefe12
출원번호
1020040013197
출원연도
2004
IPC
H01L 21/66
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 참조값 저장부에 저장된 상기 전류값은 시간의 추이(推移)에 따라 계속적으로 측정된값인것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 3] 제 2항에 있어서,상기 참조값 저장부에 저장된 상기 콘택홀 특성치는상기전류값의그래프형상대응되는것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 4] 제 2항에 있어서,상기 참조값 저장부에 저장된 상기 콘택홀 특성치는 상기 샘플기판에 흐르는 상기 전류값에서 수렴값, 극값, 그리고 수렴 전까지의그래프의형상의조합대응되는것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 5] 제 1항에 있어서,상기 콘택홀의 특성치는 상기 콘택홀에 의해 노출되는상기검사기판또는샘플기판의노출면적포함하는것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 6] 제 1항에 있어서,상기 콘택홀의 특성치는 상기 검사기판 또는 샘플기판의 콘택홀 내에 잔류하는물질의두께포함하는것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기 장치는, 상기 검사기판에 조사된 전자로 인해 상기 검사기판 상의 물질막이나 상기 검사기판의 표면으로부터 방출되는 이차전자로부터 상기 검사기판 상의 물질막에 형성된 콘택홀의 입구면적을 측정하는 주사 전자 현미경(scanning electron microscope)과; 상기 검사기판에서 상기 콘택홀의 입구면적과 상기 검사기판의 노출면적을 비교하는비교부더포함하는것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 8] 제 6항에 있어서,상기 장치는, 상기 콘택홀에 의해 노출시키고자 하는 상기 검사기판의 노출면적의 설정값이 저장된 설정값 저장부와; 상기 설정값 저장부에 저장된 노출면적의 설정값과 상기 특성치 산출부로부터 산출된 상기 검사기판의 노출면적을 비교하는비교부더포함하는것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 9] 제 8항에 있어서,상기 전자 조사부는 상기 콘택홀들이 복수개 형성된 검사 영역에 전자를 조사하고, 상기 주사 전자 현미경은 산출된 상기 콘택홀들의 입구면적의 총합을 상기 검사 영역 내에 형성된 상기 콘택홀들의 수로 나누어 하나의 콘택홀에 대한 평균 입구면적을 산출하고, 상기 참조값 저장부에 저장된 상기 참조기판의 노출면적은 상기 참조기판에서 하나의 콘택홀로 인해 노출되는면적평균값인것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 10] 제 1항에 있어서,상기 검사기판 또는 상기 샘플기판에서 상기 콘택홀은 원형으로 형성되고, 상기 콘택홀의 특성치는 상기 콘택홀에 의해 노출되는노출면의직경포함하는것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 11] 제 1항에 있어서,상기 물질막은유전막인것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 12] 제 1항에 있어서,상기 물질막은 실리콘 산화막(sio2), 실리콘 질화막(sin), 실리콘질산화막(sion), 알루미늄 산화막(al2o3), 또는 하프늄 산화막(hfo2) 중 어느 하나로 이루어진 막이거나, 이들이 적층된복합막인것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 14] 제 13항에 있어서,상기 참조값 저장부에 저장된 상기 콘택홀 특성치는상기전류값의그래프형상대응되는것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 15] 제 13항에 있어서,상기 참조값 저장부에 저장된 상기 콘택홀 특성치는 상기 전류값에서 수렴되는 값, 극값, 그리고 수렴 전까지의그래프의형상의조합대응되는것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 16] 제 13항에 있어서,상기 물질막은 실리콘 산화막(sio2), 실리콘 질화막(sin), 실리콘질산화막(sion), 알루미늄 산화막(al2o3), 또는 하프늄 산화막(hfo2) 중 어느 하나로 이루어진 막이거나, 이들이 적층된복합막인것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 18] 제 17항에 있어서,상기 참조값 저장부에 저장된 상기 콘택홀 특성치는상기전류값의그래프형상대응되는것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 19] 제 17항에 있어서,상기 참조값 저장부에 저장된 상기 콘택홀 특성치는 상기 전류값에서 수렴되는 값, 극값, 그리고 수렴 전까지의그래프의형상의조합대응되는것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 20] 제 17항에 있어서,상기 물질막은 실리콘 산화막(sio2), 알루미늄 산화막(al2o3), 또는 하프늄 산화막(hfo2) 중 어느 하나로 이루어진 막이거나, 이들이 적층된복합막인것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 22] 제 21항에 있어서,상기 참조값 저장부에 저장된 상기 전류값은 시간의 추이(推移)에 따라 계속적으로 측정된값인것을특징으로 하는기판 측정 장치. [청구항 23] 제 22항에 있어서,상기 참조값 저장부에 저장된 상기 콘택홀 특성치는상기전류값의그래프형상대응되는것을특징으로 하는기판 측정 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
기판 측정 장치에서 참조값 저장부에 저장되는 콘택홀 특성치가 전류값의 그래프 형상과 대응될 때, 구체적으로 어떠한 요소들의 조합으로 구성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    참조값 저장부에 저장되는 콘택홀 특성치가 전류값의 그래프 형상과 대응될 때, 이를 구성하는 구체적인 요소들의 조합을 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 4, 15, 19를 통해 콘택홀 특성치가 전류값의 그래프 형상에 대응되는 구체적 구성 요소를 추출한다.

    • 상기 콘택홀 특성치는 상기 샘플기판에 흐르는 상기 전류값에서 수렴값, 극값, 그리고 수렴 전까지의그래프의형상의조합대응되는것을특징으로 하는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에서 요구하는 '그래프 형상과 대응되는 요소들의 조합'에 대한 직접적인 근거 구절을 선택한다.

    • 수렴값, 극값, 그리고 수렴 전까지의그래프의형상의조합
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 요소들(수렴값, 극값, 수렴 전까지의 그래프 형상)이 조합되어 콘택홀 특성치를 구성함을 확인한다.

    • 수렴값, 극값, 그리고 수렴 전까지의그래프의형상의조합
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    콘택홀 특성치는 수렴값, 극값, 그리고 수렴 전까지의 그래프 형상의 조합으로 구성된다는 결론을 도출한다.

    • 수렴값, 극값, 그리고 수렴 전까지의그래프의형상의조합
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대하여 리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.

    • 수렴값, 극값, 그리고 수렴 전까지의그래프의형상의조합
근거 (evidence)
  • 상기 콘택홀 특성치는 상기 샘플기판에 흐르는 상기 전류값에서 수렴값, 극값, 그리고 수렴 전까지의그래프의형상의조합대응되는것을특징으로 하는
  • 수렴값, 극값, 그리고 수렴 전까지의그래프의형상의조합
최종 답변 (final_answer)
- 수렴값 - 극값 - 수렴 전까지의 그래프 형상
핵심 해석 (core_interpretation)
기판 측정 장치에서 콘택홀의 특성치를 정의할 때, 단순히 단일 수치가 아닌 전류값의 변화 추이(수렴값, 극값, 그래프 형상)를 조합하여 정량화한다.