성막 장치 및 성막 방법

[청구항1] 타겟이 배치되는 진공 챔버와, 진공 챔버 내에서 기판을 유지하는 스테이지와, 타겟에 소정의 전력을 투입하는 제1 전원과, 스테이지에 교류 전력을 투입하는 제2 전원을 구비하고, 제1 전원에 의해 타겟에 전력 투입하여 타겟을 스퍼터링하는 성막 처리와, 제2 전원에 의해 스테이지에 교류 전력을 투입하여 기판에 성막된 박막을 에칭하는 에칭 처리를 하는 성막 장치에 있어서, 스테이지의 주위를 둘러싸는 방착판이 배치되는 것에 관하여, 스테이지에서 유지되는 기판의 성막면 쪽을 위로 하고, 기판에 근접하는 방착판의 부분이 기판 상면과 동등한 평면상에 위치하는 성막 위치와, 이 방착판의 부분이 기판 상면으로부터 위쪽에 위치하는 에칭 위치 사이에 방착판을 상하 움직이게하는 구동 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는, 성막 장치 [청구항2] 청구항 1에 있어서,상기 방착판의 기판에 근접하는 부분에, 아래쪽으로 신장된돌출가지설치한것을특징으로 하는,성막 장치. [청구항3] 청구항 2에 있어서,상기 돌출 가지의 높이는,상기성막위치와상기에칭위치사이의거리와동등이상설정되는것을특징으로 하는,성막 장치. [청구항4] 청구항 2 또는 3에 있어서,상기 돌출 가지의 높이는 10~30mm의범위설정되는것을특징으로 하는,성막 장치. [청구항5] 청구항 1에 있어서,상기 방착판의 아래쪽에 배치되는 제2 방착판과, 제2 방착판의 상단부가 기판보다 아래쪽에 위치하는 성막 위치와, 이 상단부가 에칭 위치로 이동한 상기 방착판의 기판에 근접하는 에칭 위치 사이에서 제2 방착판을 상하 움직이게하는제2구동수단더구비하는것을특징으로 하는,성막 장치. [청구항6] 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 있어서,진공 챔버에 상하 한 쌍의 코일이 설치되고, 제2 전원에 의해 스테이지에 교류 전력을 투입했을 때 발생하는 플라즈마를 상하 방향에서 끼우듯이 진공 챔버에 대해 상하 한 쌍의 코일이위치결정되는것을특징으로 하는,성막 장치.