다이나모일렉트릭 머신용 회전자

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 폴부는 중심선을 가지며, 그리고 상기 다수의 냉각제 가스 입구는상기폴부의중심선근방배치되어있는것을특징으로 하는회전자. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 다수의 제2턴 단부 주변부는 다수의 각 모퉁이에서 상기 다수의 축 단부 턴부에 접속되어 있으며, 그리고 상기 다수의 제2냉각제 가스는다수의모퉁이근방배치되어있는것을특징으로 하는회전자. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 다수의 제2단부턴 주변부는 다수의 각 모퉁이에서 상기 다수의 제2단부 턴부에 접속되어 있으며, 그리고 상기 다수의 제2냉각제 가스 입구는다수의모퉁이근방배치되어있는것을특징으로 하는회전자. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 다수의 제1냉각제 가스는 다수의 제1냉각제 가스 출구를 포함하며, 상기 다수의 제1냉각제 가스 출구는 회전자 몸체의 축 단부의 내면에축방향배치된것을특징으로 하는회전자. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 다수의 냉각제 가스 채널은 다수의 제2냉각제 가스 출구를 포함하며, 상기 다수의 제2냉각제 가스 출구는 회전자 몸전체의 축 단부 내면에축방향배치된것을특징으로 하는회전자. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 다수의 제1및 제2냉각제 가스 출구는상호가스 흐름전달상태배치된것을특징으로 하는회전자. [청구항 8] 제1항에 있어서,절연재는 다수의 제1및 제2단부 턴중의 인접한 턴 사이에 배치되어 있으며, 그리고 다수의 제1및 제2표면은 다수의 제1및 제2가스 흐름 채널과 결합하여 절연재가 다수의 제1및 제2가스 흐름 도관을 형성하도록배치되어있는것을특징으로 하는회전자. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 다수의 제1및 제2냉각제 가스 입구는 상기 회전자 작동중에 다수의 제1및 제2단부 턴에서 실제로 균일한온도프로필각기배치된것을특징으로 하는회전자. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 다수의 단부 턴중의 예선된 턴은 풀부까지 걸치어 있으며 그리고 상기 제1냉각제 가스 입구는폴부의중앙근방배치되어있는것을특징으로 하는회전자. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 다수의 단부 턴중의 예선된 다른 턴은 폴부까지 걸쳐 있으며 그리고 폴부의 중앙과 회전자 몸체의 축단부 사이의 모퉁이를 포함하며 상기 제2냉각제 가스 입구는모퉁이근방배치되어있는것을특징으로 하는회전자. [청구항 13] 제12항에 있어서,및 제2냉각제 가스 출구는상호가스 흐름전달상태배치된것을특징으로 하는회전자. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기 제1냉각제 수단은 채널을 규정하기 위한 표면을 포함하며 상기 채널은 도관을 형성시키기 위해부분적절연재로둘러싸인것을특징으로 하는회전자. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 제2냉각제 수단은 채널을 규정하기 위한 표면을 포함하며 상기 채널은 도관을 형성시키기 위해부분적절연재로둘러싸인것을특징으로 하는회전자. [청구항 16] 제11항에 있어서,상기 제2냉각제 가스 입구는폴부의중앙과회전자몸체의축단부사이배치되어있는것을특징으로 하는회전자.