문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 층간 절연막과 상기 비트 라인 사이에 상기 비트 라인의 산화를 방지하는 물질막더 포함하는반도체 메모리 소자.
[청구항 3]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는반도체 메모리 소자.
[청구항 4]
제 2 항에 있어서,상기 물질막은 실리콘 질화막실리콘 산화질화막으로 이루어지는반도체 메모리 소자.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 트랜지스터는 상기 게이트 전극 상부에 형성되는 게이트 전극 캐핑막 패턴 및 상기 게이트 전극과 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴의 측벽에 형성되는 측벽 스페이서를 더 포함하고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 측벽 스페이서 및 상기 비트 라인 캐핑막 패턴이 상기 제 1 층간 절연막에 대해 높은식각비가지는물질로 이루어지는반도체 메모리 소자.
[청구항 7]
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 비트 라인과 상기 제 1 층간 절연막 사이에서 상기 제 1 층간 절연막 전면에 형성되는 비트 라인 산화 방지막더 포함하는반도체 메모리 소자.
[청구항 8]
제 6 항에 있어서,상기 주변 회로 영역에서, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴은 상기 비트 라인 상부 및 상기 제 1 층간 절연막 상부 전면배치되는반도체 메모리 소자.
[청구항 9]
제 7 항에 있어서,상기 주변 회로 영역에서, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴은 상기 비트 라인 상부 및 상기 비트 라인 산화 방지막 상부 전면배치되는반도체 메모리 소자.
[청구항 10]
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 캐패시터를 덮으면서 상기 셀 영역 및 상기 주변 회로 영역을 포함하는 기판 상에 형성되되 상기 주변 회로 영역에 제공된 금속 배선 콘택홀을 구비하는 평탄화된 제 2 층간 절연막더 포함하는반도체 메모리 소자.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 금속 배선 콘택홀 내에 형성되어 상기 하부 금속 콘택 플러그와 전기적으로 연결되는 상부 금속 콘택 플러그더 포함하는반도체 메모리 소자.
[청구항 12]
제 6 항에 있어서,상기 제 1 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는반도체 메모리 소자.
[청구항 13]
제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 비트 라인 산화 방지막은 실리콘 질화막실리콘 산화질화막인반도체 메모리 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 메모리 소자에서 층간 절연막과 게이트 전극 캐핑막 패턴, 비트 라인 캐핑막 패턴 및 측벽 스페이서 사이의 물질 구성 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation층간 절연막과 게이트 전극 캐핑막 패턴, 비트 라인 캐핑막 패턴, 측벽 스페이서 간의 물질 구성 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3 및 12에서 각 구성 요소의 물질 종류를 추출한다.
- 상기 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는
-
3근거 선택
evidence_selection층간 절연막의 물질군과 캐핑막 패턴 및 스페이서의 물질군이 서로 다르다는 점과 구체적인 물질 목록을 선택한다.
- 상기 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는
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4논리 통합
logical_integration층간 절연막은 실리콘 계열 산화물/질화물/유리막(BSG, USG 등)으로 구성되며, 캐핑막 패턴과 스페이서는 이와 다른 물질인 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막, 탄화 실리콘막 등으로 구성됨을 통합한다.
- 상기 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는
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5결론 도출
conclusion_formulation층간 절연막과 나머지 구성 요소(캐핑막 패턴, 스페이서)는 서로 다른 물질로 이루어져 있다는 관계를 도출한다.
- 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 층간 절연막의 물질 구성과 캐핑막 패턴 및 스페이서의 물질 구성을 비교하여 답변을 작성한다.
- 상기 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는
근거 (evidence)
- 상기 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는
- 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되
최종 답변 (final_answer)
층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막으로 구성된다. 반면, 게이트 전극 캐핑막 패턴, 비트 라인 캐핑막 패턴 및 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지며, 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 구성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 층간 절연막과 캐핑막 패턴 및 측벽 스페이서 간의 물질 구성을 차별화하여, 각 구성 요소가 서로 다른 화학적/물리적 특성을 갖도록 설계된 반도체 메모리 소자에 관한 것이다.