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반도체 장치 및 그 제조방법

uuid
8e77fee3-3070-5b8b-b54f-ff6a5d7fd797
출원번호
1019880016078
출원연도
1988
IPC
H01L 21/78
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 39] 제38항에 있어서,상기 칩(22)과 상기 결합물질(28)이 이산결합체형성된것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 40] 제39항에 있어서,상기 결합물질(28)이 상기 칩(22) 가장자리를 표면안정화시키는실리콘수지로된것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 41] 제40항에 있어서,상기 결합물질(28)이 적어도 350[℃]로 가열되어진 상태에서도 상기 칩(22)들과의결합력유지하도록된것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 42] 제41항에 있어서,상기 결합물질(28)이산화철및아세톡시실란함유하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 43] 제42항에 있어서,상기 결합물질(28)이 실내온도의 습윤환경에 노출되어가공된것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 44] 제40항에 있어서,상기 칩(22)의 양면에부분전극형성된것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 45] 제44항에 있어서,상기 부분전극(14′),(16′)이금형성된것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 46] 제44항에 있어서,상기 부분전극(14′),(16′)위에솔더링부구성된것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 52] 제47항에 있어서,상기 결합물질(28)이 가공되어졌을때된것을특징으로 하는반도체장치 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
칩(22)의 가장자리를 표면 안정화시키는 실리콘 수지로 구성된 결합물질(28)이 350[℃] 이상의 가열 상태에서도 칩(22)들과의 결합력을 유지하기 위해 포함해야 하는 성분은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    350[℃] 이상의 가열 상태에서도 칩(22)과의 결합력을 유지하기 위해 결합물질(28)에 포함되어야 하는 성분을 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    결합물질(28)이 350[℃] 가열 상태에서도 결합력을 유지한다는 조건과 그 구성 성분에 관한 청구항들을 추출한다.

    • 상기 결합물질(28)이 적어도 350[℃]로 가열되어진 상태에서도 상기 칩(22)들과의결합력유지하도록된것
    • 상기 결합물질(28)이산화철및아세톡시실란함유하는것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    가열 조건(청구항 41)과 성분 조건(청구항 42)을 연결하는 핵심 구절을 선택한다.

    • 상기 결합물질(28)이 적어도 350[℃]로 가열되어진 상태에서도 상기 칩(22)들과의결합력유지하도록된것
    • 상기 결합물질(28)이산화철및아세톡시실란함유하는것
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 41의 고온 결합력 유지 조건을 만족시키기 위한 성분이 청구항 42에 명시되어 있음을 파악한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    결합물질(28)이 포함해야 하는 성분은 산화철과 아세톡시실란임을 도출한다.

    • 상기 결합물질(28)이산화철및아세톡시실란함유하는것
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대한 직접적인 답변으로 성분명을 제시한다.

근거 (evidence)
  • 상기 결합물질(28)이 적어도 350[℃]로 가열되어진 상태에서도 상기 칩(22)들과의결합력유지하도록된것
  • 상기 결합물질(28)이산화철및아세톡시실란함유하는것
최종 답변 (final_answer)
산화철 및 아세톡시실란
핵심 해석 (core_interpretation)
고온(350[℃] 이상) 환경에서도 칩과 결합물질 간의 결합력을 유지하기 위해 결합물질에 산화철과 아세톡시실란을 포함시키는 기술적 구성에 관한 것이다.