유기 반도체 블렌드

[청구항 1] (i) 중합체; (ii) 제1 비-중합체성 반도체; (iii) 제2 비-중합체성 반도체; 및 (iv) 제3 비-중합체성 반도체 를 포함하는, 유기 전자 장치의 반도체 층을 제조하기 위한 블렌드 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,3개의 비-중합체성 반도체포함하는블렌드. [청구항 3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제2 비-중합체성 반도체가 상기 제1 비-중합체성 반도체보다 더 큰 분자량갖는,블렌드. [청구항 4] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제3 비-중합체성 반도체가 상기 제2 비-중합체성 반도체보다 더 큰 분자량갖는,블렌드. [청구항 5] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기제1, 제2 및 제3 비-중합체성 반도체가 하기 화학식 (i)을 갖는, 블렌드:(i)상기 식에서,a는 페닐 기 또는 티오펜 기이고, 이때 상기 페닐 기 또는 티오펜 기는, 임의적으로, 비치환되거나 또는 적어도 하나의 x1 기로 치환될 수 있고/있거나, 페닐 기, 티오펜 기, 및 벤조티오펜 기(상기 페닐, 티오펜 및 벤조티오펜 기는 비치환되거나 또는 적어도 하나의 x1 기로 치환됨)로부터 선택된 기와 융합될 수 있는, 페닐 기 또는 티오펜 기와 융합되며;각각의 기 x1은 동일하거나 상이할 수 있고, (i) 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 비치환되거나 치환된 직쇄, 분지쇄 또는 환형 알킬 기, 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기, 비치환되거나 또는 각각 동일하거나 상이할 수 있는 1개 또는 2개의 알킬 기(1 내지 8개의 탄소 원자를 가짐)로 치환될 수 있는 아미노기, 아미도 기, 실릴 기, 및 2 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알켄일 기, 또는 (ii) 할로겐, 붕산, 이붕산 및 붕산 및 이붕산의 에스테르, 2 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알켄일 기 및 스탠일(stannyl) 기로 이루어진 군으로부터 선택되는 중합성(polymerizable) 또는 반응성기로 이루어진군 중에서 선택된다. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기제1, 제2 및 제3 비-중합체성 반도체가 하기 화학식 (ia)을 갖는, 블렌드:(ia)상기 식에서, 각각의 기 x1은 동일하거나 상이할 수 있고, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 비치환되거나 치환된 직쇄, 분지쇄 또는 환형 알킬 기, 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기, 비치환되거나 또는 각각 동일하거나 상이할 수 있는 1개 또는 2개의 알킬 기(1 내지 8개의 탄소 원자를 가짐)로 치환될 수 있는 아미노기, 아미도 기, 실릴 기, 및 2 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알켄일기로 이루어진군 중에서 선택된다. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기제1, 제2 및 제3 비-중합체성 반도체가 하기 화학식 (iai)을 갖는, 블렌드:(iai)상기 식에서, 각각의 기 x1은 동일하거나 상이할 수 있고, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 비치환되거나 치환된 직쇄, 분지쇄 또는 환형 알킬 기, 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기, 비치환되거나 또는 각각 동일하거나 상이할 수 있는 1개 또는 2개의 알킬 기(1 내지 8개의 탄소 원자를 가짐)로 치환될 수 있는 아미노기, 아미도 기, 실릴 기, 및 2 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알켄일기로 이루어진군 중에서 선택된다. [청구항 8] 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,각각의 기x1은, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는,비치환되거나치환된직쇄, 분지쇄 또는 환형 알킬 기인, 블렌드. [청구항 10] 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 알킬 기가 1 내지 16개의 탄소 원자포함하는,블렌드. [청구항 11] 제 6 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,각각의 비-중합체성 반도체 내에서, 각각의 기 x1이동일하고화학식 cnh2n+1(이때, n은 1 내지 16의 정수임)의 기인, 블렌드. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,의 차가4 이상인,블렌드. [청구항 13] 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,의 차가2 이상인,블렌드. [청구항 14] 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,의 차가1 이상인,블렌드. [청구항 15] 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 비-중합체성 반도체화합물인,블렌드:. [청구항 16] 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 비-중합체성 반도체가 하기 화합물선택되는,블렌드:. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 제1 비-중합체성 반도체화합물인,블렌드:. [청구항 18] 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제3 비-중합체성 반도체가 하기 화합물선택되는,블렌드:. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 제3 비-중합체성 반도체화합물인,블렌드:. [청구항 21] 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 비-중합체성 반도체 대 상기 제2 비-중합체성 반도체의 중량비가 1:5 내지20 범위인,블렌드. [청구항 22] 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 비-중합체성 반도체 대 상기 제3 비-중합체성 반도체의 중량비가 8:1 내지1 범위인,블렌드. [청구항 23] 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 비-중합체성 반도체 대 상기 제3 비-중합체성 반도체의 중량비가 1:1 내지4 범위인,블렌드. [청구항 24] 제 1 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 중합체가 중합체성반도체인,블렌드. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,상기 중합체성 반도체가 하기 화학식 (ii)의 반복 단위 및 하기 화학식 (iii)의 반복 단위를 포함하는, 블렌드:(ii)[상기 식에서, r1 및 r2는 동일하거나 상이하고, 각각 수소, 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 5 내지 14개의 탄소 원자를 갖는 아릴 기, 및 1 내지 3개의 황 원자, 산소 원자, 질소 원자 및/또는 셀레늄 원자를 갖는 5- 내지 7-원 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 아릴 기 또는 헤테로아릴 기는, 비치환되거나 또는 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 및 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 치환된다]; (iii)[상기 식에서, ar1 및 ar2는 동일하거나 상이하고, 각각 5 내지 14개의 탄소 원자를 갖는 아릴 기, 및 1 내지 3개의 황 원자, 산소 원자 및/또는 질소 원자를 갖는 5- 내지 7-원 헤테로아릴 기로부터 선택되고, 상기 아릴 기 또는 헤테로아릴 기는 비치환되거나 또는 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 및 1 내지 16개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 치환되고; r3은, 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 또는 비치환되거나 또는 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는알킬기치환될수있는페닐 기이고;n은 1보다 크거나 같은 정수, 바람직하게는 1 또는 2이다]. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,상기 중합체성 반도체가 f8-tfb [9,9'-다이옥틸플루오렌-코-n-(4-부틸페닐)-다이페닐아민]n(이때, n은 100 초과인,블렌드. [청구항 31] 제 27 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 용매가테트랄린이고, 상기 용매 중 고체의 총 농도가 1.8 % w/v 이상인, 용액. [청구항 33] 하기 단계를 포함하는 유기 전자 장치의 반도체 층의 제조 방법 (i) 제 27 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 따른 용액을 침착시키는 단계; 및 (ii) 상기 침착된 용액을 가열하여 용매를 증발시키고 반도체 층을 형성하는 단계