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박막 트랜지스터 및 그 제작 방법

uuid
90dd65b4-7344-55bd-970e-ebff60ac1d90
출원번호
1020100130080
출원연도
2010
IPC
H01L 29/786
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1 항에 있어서,쌍의 비정질 반도체 영역들은 질소를 함유하고,2차 이온 질량 분석법에 의해 개산되는(estimated) 질소의 최대 농도는 1×1020 atoms/㎤ 내지인,반도체 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 미결정 반도체 영역의 전체 영역은 상기 게이트 전극중첩하는,반도체 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 볼록부는 상기 게이트 절연층으로부터 상기 한 쌍의 비정질 반도체 영역들로 항하여 폭이 좁아지는 형태갖는,반도체 장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 미결정 반도체 영역은 입경 크기가 2 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하인 결정 입경갖는,반도체 장치. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 전자기기는 전자서적 판독기(electronic book reader), 텔레비전, 컴퓨터, 카메라, 휴대 전화기, 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말, 및 음향 재생 장치선택되는,전자기기. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,쌍의 비정질 반도체 영역들은 질소를 함유하고,2차 이온 질량 분석법에 의해 개산되는 질소의 최대 농도는 1×1020 atoms/㎤ 내지인,반도체 장치. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,상기 미결정 반도체 영역의 전체 영역은 상기 게이트 전극중첩하는,반도체 장치. [청구항 11] 제 8 항에 있어서,상기 볼록부는 상기 게이트 절연층으로부터 상기 한 쌍의 비정질 반도체 영역들로 향하여 폭이 좁아지는 형태갖는,반도체 장치. [청구항 12] 제 8 항에 있어서,상기 미결정 반도체 영역은 입경 크기가 2 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하인 결정 입경갖는,반도체 장치. [청구항 13] 제 8 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 전극과 전기적접속되는,반도체 장치. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 전자기기는 전자서적 판독기, 텔레비전, 컴퓨터, 카메라, 휴대 전화기, 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말, 및 음향 재생 장치선택되는,전자기기.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제 1 항을 인용하는 반도체 장치에서, 비정질 반도체 영역이 함유하는 질소의 최대 농도는 2차 이온 질량 분석법을 통해 측정했을 때 어느 범위에 속하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    제 1 항을 인용하는 반도체 장치 내 비정질 반도체 영역의 질소 최대 농도 범위를 2차 이온 질량 분석법 기준으로 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 2에서 비정질 반도체 영역의 질소 함유 여부와 2차 이온 질량 분석법에 의한 농도 수치를 추출한다.

    • 2차 이온 질량 분석법에 의해 개산되는(estimated) 질소의 최대 농도는 1×1020 atoms/㎤ 내지인
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문의 조건인 '제 1 항을 인용'하고 '2차 이온 질량 분석법'을 언급한 청구항 2의 구절을 선택한다.

    • 2차 이온 질량 분석법에 의해 개산되는(estimated) 질소의 최대 농도는 1×1020 atoms/㎤ 내지인
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 농도 범위인 '1×1020 atoms/㎤ 내지'가 질문에서 요구하는 질소의 최대 농도 범위임을 확인한다.

    • 2차 이온 질량 분석법에 의해 개산되는(estimated) 질소의 최대 농도는 1×1020 atoms/㎤ 내지인
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대한 직접적인 답변으로 해당 농도 범위를 정리한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 텍스트를 바탕으로 최종 답변을 생성한다.

근거 (evidence)
  • 2차 이온 질량 분석법에 의해 개산되는(estimated) 질소의 최대 농도는 1×1020 atoms/㎤ 내지인
최종 답변 (final_answer)
1×1020 atoms/㎤ 내지
핵심 해석 (core_interpretation)
비정질 반도체 영역에 포함된 질소의 농도를 2차 이온 질량 분석법으로 측정했을 때의 특정 수치 범위를 규정하여 반도체 장치의 특성을 정의함.