온도센서회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 온도센서부는 구동전압을 전압분배하여 상기 기준전압을 생성하는 기준전압 생성부;상기 기준전압에 응답하여 제1 전압(zz)을 생성하는 제어전압 생성부; 및상기 제1 전압(zz)에 응답하여 상기 가변전압을 생성하는 증폭부포함하는온도센서회로. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 기준전압 생성부는 상기 구동전압 공급단과 제1 노드(nd1) 사이에 직렬 연결된 적어도 하나의 전압분배소자포함하는온도센서회로. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 전압분배소자는 저항소자인온도센서회로. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 기준전압 생성부는 상기 제1 노드(nd1)와 접지단 사이에 연결되어 상기 제2 인에이블 신호(en)에 응답하여 상기 전압분배소자의 동작을 인에이블시키는 인에이블소자더 포함하는온도센서회로. [청구항 6] 제3항에 있어서,상기 제어전압 생성부는 상기 구동전압 공급단과 제2 노드(nd2) 사이에 연결된 제1 레벨조절소자(r46); 및상기 제1 노드(nd1)와 상기 제2 노드(nd2) 사이에 연결되어, 상기 기준전압에 응답하여 상기 제1 전압(zz)을 생성하는 제1 온도소자포함하는온도센서회로. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제1 레벨조절소자(r46)는 저항소자트랜지스터인온도센서회로. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 제1 온도소자(n41)는트랜지스터인온도센서회로. [청구항 9] 제6항에 있어서,상기 증폭부는 상기 구동전압 공급단과 제3 노드(nd3) 사이에 연결된 제2 레벨조절소자(r47); 및상기 제1 노드(nd1)와 상기 제3 노드(nd3) 사이에 연결되어, 상기 제1 전압(zz)에 응답하여 구동되는 제2 온도소자포함하는온도센서회로. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 제2 레벨조절소자(r47)는 저항소자트랜지스터인온도센서회로. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 제2 온도소자(n42)는 상기 제1 전압에 의해 서브쓰레스홀드(subthreshold)구간동작하는트랜지스터인온도센서회로. [청구항 12] 제6항에 있어서,상기 증폭부는 상기 구동전압 공급단과 제3 노드(nd3) 사이에 연결된 제2 레벨조절소자(r47); 상기 제1 노드(nd1)와 상기 제3 노드(nd3) 사이에 연결되어, 상기 제1 전압(zz)에 응답하여 제2 전압(xx)을 생성하는 제2 온도소자(n42);상기 구동전압 공급단과 제4 노드(nd4) 사이에 연결된 제3 레벨조절소자(r48); 및상기 제1 노드(nd1)와 상기 제4 노드(nd4) 사이에 연결되어, 상기 제2 전압(xx)에 응답하여 상기 가변전압을 생성하는 제3 온도소자포함하는온도센서회로. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 제2 레벨조절소자(r47)는 저항소자트랜지스터인온도센서회로. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 제3 레벨조절소자(r48)는 저항소자트랜지스터인온도센서회로. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 제2 온도소자(n42)는 상기 제1 전압(zz)에 의해 서브쓰레스홀드(subthreshold)구간동작하는트랜지스터인온도센서회로. [청구항 16] 제12항에 있어서,상기 제3 온도소자(p40)는트랜지스터인온도센서회로. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 비교부는 차등증폭회로구성되는온도센서회로. [청구항 21] 제1항에 있어서,상기 온도센서 제어부는 상기 제1 인에이블 신호(en1) 및 주기신호(osc)를 입력받아 논리연산을 수행하는 논리소자(and20);상기 논리소자(and20)의 출력신호를 소정구간 지연시켜 상기 주기신호(osc)의 주기마다 인에이블되는 상기 제2 인에이블 신호(en2)를 생성하는 지연부; 및상기 논리소자(and20)의 출력신호와 상기 논리소자(and20)의 출력신호를 소정 구간 지연시킨 신호를 논리연산하여 상기 온도검출신호를 샘플링하기 위한 카운터 펄스를 생성하는 논리부포함하는온도센서회로. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 온도검출신호를 입력받아 상기 카운터 펄스에 응답하여 카운팅하여 제1 및 제2 카운팅신호(count1, count2)를 생성하는 카운터부 및상기 제1 및 제2 카운팅신호(count1, count2)를 입력받아 온도정보를 포함하는 플래그신호를 생성하는 신호처리부로 구성되는 플래그신호 생성부를 더 포함하되, 상기 플래그신호는 상기 제1 및 제2 카운팅신호(count1, count2)가 모두 인에이블되는 경우 인에이블되는온도센서회로. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 카운터부는 상기 제1 인에이블 신호(en1)에 응답하여 카운팅동작을 초기화하는온도센서회로. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 온도센서부는 구동전압을 전압분배하여 상기 기준전압을 생성하는 기준전압 생성부;상기 기준전압에 응답하여 제1 전압(zz)을 생성하는 제어전압 생성부; 및상기 제1 전압(zz)에 응답하여 상기 가변전압을 생성하는 증폭부포함하는반도체 메모리 장치. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 기준전압 생성부는 상기 구동전압 공급단과 제1 노드(nd1) 사이에 직렬 연결된 적어도 하나의 전압분배소자포함하는반도체 메모리 장치. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 전압분배소자는 저항소자인반도체 메모리 장치. [청구항 28] 제26항에 있어서,상기 기준전압 생성부는 상기 제1 노드(nd1)와 접지단 사이에 연결되어 상기 제2 인에이블 신호(en)에 응답하여 상기 전압분배소자의 동작을 인에이블시키는 인에이블소자더 포함하는반도체 메모리 장치. [청구항 29] 제26항에 있어서,상기 제어전압 생성부는 상기 구동전압 공급단과 제2 노드(nd2) 사이에 연결된 제1 레벨조절소자(r46); 및상기 제1 노드(nd1)와 상기 제2 노드(nd2) 사이에 연결되어, 상기 기준전압에 응답하여 상기 제1 전압(zz)을 생성하는 제1 온도소자포함하는반도체 메모리 장치. [청구항 30] 제29항에 있어서,상기 제1 레벨조절소자(r46)는 저항소자트랜지스터인반도체 메모리 장치. [청구항 31] 제29항에 있어서,상기 제1 온도소자(n41)는트랜지스터인반도체 메모리 장치. [청구항 32] 제29항에 있어서,상기 증폭부는 상기 구동전압 공급단과 제3 노드(nd3) 사이에 연결된 제2 레벨조절소자(r47); 및상기 제1 노드(nd1)와 상기 제3 노드(nd3) 사이에 연결되어, 상기 제1 전압(zz)에 응답하여 구동되는 제2 온도소자포함하는반도체 메모리 장치. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 제2 레벨조절소자(r47)는 저항소자트랜지스터인반도체 메모리 장치. [청구항 34] 제32항에 있어서,상기 제2 온도소자(n42)는 상기 제1 전압에 의해 서브쓰레스홀드(subthreshold)구간동작하는트랜지스터인반도체 메모리 장치. [청구항 35] 제29항에 있어서,상기 증폭부는 상기 구동전압 공급단과 제3 노드(nd3) 사이에 연결된 제2 레벨조절소자(r47); 상기 제1 노드(nd1)와 상기 제3 노드(nd3) 사이에 연결되어, 상기 제1 전압(zz)에 응답하여 제2 전압(xx)을 생성하는 제2 온도소자(n42);상기 구동전압 공급단과 제4 노드(nd4) 사이에 연결된 제3 레벨조절소자(r48); 및상기 제1 노드(nd1)와 상기 제4 노드(nd4) 사이에 연결되어, 상기 제2 전압(xx)에 응답하여 상기 가변전압을 생성하는 제3 온도소자포함하는반도체 메모리 장치. [청구항 36] 제35항에 있어서,상기 제2 레벨조절소자(r47)는 저항소자트랜지스터인반도체 메모리 장치. [청구항 37] 제35항에 있어서,상기 제3 레벨조절소자(r48)는 저항소자트랜지스터인반도체 메모리 장치. [청구항 38] 제35항에 있어서,상기 제2 온도소자(n42)는 상기 제1 전압(zz)에 의해 서브쓰레스홀드(subthreshold)구간동작하는트랜지스터인반도체 메모리 장치. [청구항 39] 제24항에 있어서,상기 비교부는 차등증폭회로구성되는반도체 메모리 장치. [청구항 43] 제24항에 있어서,상기 온도센서 제어부는 상기 제1 인에이블 신호(en1) 및 주기신호(osc)를 입력받아 논리연산을 수행하는 논리소자(and20);상기 논리소자(and20)의 출력신호를 소정구간 지연시켜 상기 주기신호(osc)의 주기마다 인에이블되는 상기 제2 인에이블 신호(en2)를 생성하는 지연부; 및상기 논리소자(and20)의 출력신호와 상기 논리소자(and20)의 출력신호를 소정 구간 지연시킨 신호를 논리연산하여 상기 온도검출신호를 샘플링하기 위한 카운터 펄스를 생성하는 논리부포함하는반도체 메모리 장치. [청구항 44] 제43항에 있어서,상기 온도검출신호를 입력받아 상기 카운터 펄스에 응답하여 카운팅하여 제1 및 제2 카운팅신호(count1, count2)를 생성하는 카운터부 및상기 제1 및 제2 카운팅신호(count1, count2)를 입력받아 온도정보를 포함하는 플래그신호를 생성하는 신호처리부로 구성되는 플래그신호 생성부를 더 포함하되, 상기 플래그신호는 상기 제1 및 제2 카운팅신호(count1, count2)가 모두 인에이블되는 경우 인에이블되는반도체 메모리 장치. [청구항 45] 제44항에 있어서,상기 카운터부는 상기 제1 인에이블 신호(en1)에 응답하여 카운팅동작을 초기화하는반도체 메모리 장치. [청구항 46] 제24항에 있어서,어회로는 상기 온도정보를 이용하여셀프 리프레시동작주기제어하는회로인반도체 메모리 장치.