광 방출 디바이스

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 회토류 원소는 에르븀을 포함하고, 상기 디바이스는 대략 1.5㎛의 방출 파장에서 자연 발생적으 포토루미네슨스할 수있는광-방출 디바이스. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 호스트 물질은 sio2를 포함하고, 각 쌍의 층들에 있어서, 한 쌍은 sio2를 포함하며 상기 쌍에 있어서 다른 층은 si를 포함하고, 상기 여기 방사선의 파장이 선택되므로써 상기 캐티가 상기 캐비티의 흡수 파장공진하는광-방출 디바이스. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 호스트 물질은 sio2, al2o3, tio2포스포실리게이트글라스, 보로실리게이트 글라스, 보로포스포실리게이트 글라스, 보로알루미늄 실리게이트 글라스, 게르마네이트 글라스 텔루라이트 글라스, 플루오라이드 글라스 및 si3n4로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 물질포함하는광-방출 디바이스. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 호스트 물질은 si, gaas, gap, inp, gainas 및 gainpas로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 물질포함하는광-방출 디바이스. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 반사기들은 상기 캐비티의 기본 모드를 제공하기 위해 분산 브랙 반사기들(dbrs)과, 금속과, 전도성 산화물 및 이들의 조합으로 부터선택되는광-방출 디바이스. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 호스트 물질은 글라스류 물질 및 정사면체 결합 반도체 물질로 부터 선택되고; 상기 반사기들은 dbrs이고, 상기 하부 dbr의 총 쌍의 갯수는 2 내지 10의 범위이고, 상기 상부 dbr의 층 쌍의 갯수는 상기 하부 dbr의 총 쌍의 갯수 보다 적은 1.5 내지4.5의 범위이고; 상기 상부 dbr은 상기 상부 dbr의 상부에 캡핑 층포함하는광-방출 디바이스. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기dbr층의 물질은 si, ge, sio2, sl2o3, 및 tio2로 구성되는 그룹으로 부터선택되므로서, 각 쌍의 상기 두 층은 상이한 굴절율갖는광-방출 디바이스. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 활성층은 sio2를 포함하고, 상기 하부 dbr의 층은 상기 기판에 인접하는 sio2로 시작하여 상기 활성층에 인접하는 si로 종료되고; 상기 상부 dbr의 상기 층은상기활성층인접하는시작하는광-방출 디바이스. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 하부dbr의 층 쌍의 개수는 4개이고, 상기 상부 dbr의 층 쌍의 개수는 상기 캡핑층으로서 작용하는상기상부층에의해5개인광-방출 디바이스. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 캐비티의 측벽은 추가적인 반사기중 적어도 하나를 통해 상기 추가적인 반사기와 방사선의 방출간에 방사선의 발진을 가능하게 하는 상기 추가적인 반사기구비하는광-방출 디바이스. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 캐비티의 두반사기의 반사유동일한광-방출 디바이스. [청구항 14] 제12항에 있어서,추가적인 미러의 반사율상이한광-방출 디바이스.