문맥 (context)
[청구항18]
기판들을 프로세싱하기 위한 장치에 있어서,
상기 장치는,
(a) 기판을 홀딩하기 위한 페데스탈을 포함하는 적어도 하나의 프로세스 챔버
(b) 진공으로 커플링하기 위한 적어도 하나의 유출부
(c) 하나 이상의 실리콘 함유 전구체 소스들 및 하나 이상의 할로겐 함유 에천트들에 커플링된 하나 이상의 프로세스 가스 유입부들
(d) rf (radio frequency) 생성기; 및
(e) 상기 장치의 동작들을 제어하기 위한 제어기를 포함하고,
상기 제어기는,
(i) 실리콘 함유 전구체를 프로세스 챔버로 도입하고,
(ii) 상기 실리콘 함유 전구체를 도입한 후, 할로겐 함유 에천트를 상기 프로세스 챔버로 도입하고, 그리고
(iii) 질소 함유 반응물질을 상기 프로세스 챔버로 도입하고 실리콘 나이트라이드 막을 형성하도록 플라즈마를 점화시키기 위한 머신 판독가능 인스트럭션들을 포함하는, 기판들을 프로세싱하기 위한 장치
[청구항19]
제 18 항에 있어서,상기 제어기는, 상기 프로세스 챔버를 퍼지하기 위해 상기 질소 함유 반응물질을 도입하기 전에 퍼지 가스를 도입하기 위한 머신 판독가능 인스트럭션들을 더 포함하는, 기판들프로세싱하기 위한장치.
[청구항20]
제 18 항에 있어서,상기 할로겐 함유에천트는 질소 트리플루오라이드, 염소, 플루오로포름, 탄소 테트라플루오라이드, 및 이들의 조합들로 구성된 그룹으로부터 선택되는, 기판들프로세싱하기 위한장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
기판 프로세싱 장치의 제어기가 실리콘 나이트라이드 막을 형성하기 위해 수행하는 구체적인 공정 순서는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation제어기가 실리콘 나이트라이드 막 형성을 위해 수행하는 공정 순서를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 18의 제어기 동작(i), (ii), (iii) 항목을 추출한다.
- (i) 실리콘 함유 전구체를 프로세스 챔버로 도입하고
- (ii) 상기 실리콘 함유 전구체를 도입한 후, 할로겐 함유 에천트를 상기 프로세스 챔버로 도입하고
- (iii) 질소 함유 반응물질을 상기 프로세스 챔버로 도입하고 실리콘 나이트라이드 막을 형성하도록 플라즈마를 점화시키기 위한
-
3근거 선택
evidence_selection공정의 선후 관계를 나타내는 (i), (ii), (iii) 단계를 핵심 근거로 선택한다.
- (i) 실리콘 함유 전구체를 프로세스 챔버로 도입
- (ii) 상기 실리콘 함유 전구체를 도입한 후, 할로겐 함유 에천트를 상기 프로세스 챔버로 도입
- (iii) 질소 함유 반응물질을 상기 프로세스 챔버로 도입하고 실리콘 나이트라이드 막을 형성하도록 플라즈마를 점화
-
4논리 통합
logical_integration도입되는 물질의 순서(실리콘 전구체 -> 할로겐 에천트 -> 질소 반응물질 및 플라즈마 점화)를 논리적으로 연결한다.
- (i) 실리콘 함유 전구체를 프로세스 챔버로 도입하고
- (ii) 상기 실리콘 함유 전구체를 도입한 후, 할로겐 함유 에천트를 상기 프로세스 챔버로 도입하고
- (iii) 질소 함유 반응물질을 상기 프로세스 챔버로 도입하고 실리콘 나이트라이드 막을 형성하도록 플라즈마를 점화
-
5결론 도출
conclusion_formulation추출된 순서에 따라 공정 단계를 정리하여 결론을 도출한다.
-
6답변 생성
answer_generation질문에 적합한 리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.
근거 (evidence)
- (i) 실리콘 함유 전구체를 프로세스 챔버로 도입하고
- (ii) 상기 실리콘 함유 전구체를 도입한 후, 할로겐 함유 에천트를 상기 프로세스 챔버로 도입하고
- (iii) 질소 함유 반응물질을 상기 프로세스 챔버로 도입하고 실리콘 나이트라이드 막을 형성하도록 플라즈마를 점화시키기 위한
- (i) 실리콘 함유 전구체를 프로세스 챔버로 도입
- (ii) 상기 실리콘 함유 전구체를 도입한 후, 할로겐 함유 에천트를 상기 프로세스 챔버로 도입
- (iii) 질소 함유 반응물질을 상기 프로세스 챔버로 도입하고 실리콘 나이트라이드 막을 형성하도록 플라즈마를 점화
최종 답변 (final_answer)
실리콘 나이트라이드 막을 형성하기 위한 제어기의 공정 순서는 다음과 같다.
1. 실리콘 함유 전구체를 프로세스 챔버로 도입한다.
2. 실리콘 함유 전구체 도입 후, 할로겐 함유 에천트를 프로세스 챔버로 도입한다.
3. 질소 함유 반응물질을 프로세스 챔버로 도입하고, 실리콘 나이트라이드 막을 형성하도록 플라즈마를 점화시킨다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제어기는 실리콘 전구체 도입, 할로겐 에천트 도입, 질소 반응물질 도입 및 플라즈마 점화의 순서로 공정을 제어하여 실리콘 나이트라이드 막을 형성한다.