정전 척 장치

[청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 가열 부재의 간극을 매설하는 고분자 재료층을 갖고, 상기 고분자 재료층의 층두께가, 상기 정전 척부의 상기 재치면과 반대측의 면으로부터 상기 가열 부재의 상기 제1 접착층측의 표면까지의 최단 거리동일한정전 척 장치. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기 가열 부재의 간극을 매설하고, 또한 상기 가열 부재 표면을 피복하는 고분자 재료층을 가지며, 상기 고분자 재료층 표면평탄한정전 척 장치. [청구항 5] 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가열 부재와 상기 베이스부의 사이에 절연재층갖는정전 척 장치. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 접합층이, 에폭시기, 아이소사이아네이트기, 아미노기, 머캅토기, 바이닐기, 스타이릴기, 메타크릴기, 아크릴기, 유레이도기, 설파이드기, 및 아이소사이아누레이트기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 반응성 관능기를 갖는화합물유래의구조갖는층인정전 척 장치. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 반응성 관능기를 갖는 화합물이 가수분해성기더 갖는정전 척 장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 반응성 관능기를 갖는 화합물이 하기 일반식 (1)로 나타나는 정전 척 장치.[화학식 1]〔일반식 (1) 중, y는 에폭시기, 아이소사이아네이트기, 아미노기, 머캅토기, 바이닐기, 스타이릴기, 메타크릴기, 아크릴기, 유레이도기, 설파이드기, 또는 아이소사이아누레이트기를 나타내고, l1은 연결기를 나타낸다. m은 규소 원자, 타이타늄 원자 또는 지르코늄 원자를 나타낸다. r은 탄소수 1~5의 알킬기를 나타내고, l2는 단결합 또는 카보닐을 나타내며, n은 1~3의 정수탄소수 1~3의 알킬기 또는 페닐기를 나타낸다.〕 [청구항 9] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 시트재가 상기 제1 접착층 및 상기 제2 접착층의 합계 층두께보다 두껍고, 상기 시트재의 두께인정전 척 장치. [청구항 10] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 시트재가, 실리콘계 엘라스토머, 및 불소계 엘라스토머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나함유하는정전 척 장치. [청구항 11] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,산화 알루미늄-탄화 규소(al2o3-sic) 복합 소결체, 산화 알루미늄(al2o3) 소결체, 질화 알루미늄(aln) 소결체, 또는 산화 이트륨소결체로 이루어지는정전 척 장치.