유기 반도체 장치의 제조 방법

[청구항9] 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,유기 반도체 물질(122)이 하기 화학식의 중합체로부터 선택되는 것인 방법.상기 식에서,m1은 하기로부터 선택된 임의로 치환된 나프탈렌 이미드이고,r1은 각 경우에 독립적으로 h, c1-40 알킬 기, c2-40 알케닐 기, c1-40 할로알킬 기 및 1-4개의 시클릭 모이어티로부터 선택되고,여기서,각각의 c1-40 알킬 기, c2-40 알케닐 기 및 c1-40 할로알킬 기는 할로겐, -cn, no2, oh, -nh2, -nh(c1-20 알킬), -n(c1-20 알킬)2, -s(o)2oh, -cho, -c(o)-c1-20 알킬, -c(o)oh, -c(o)-oc1-20 알킬, -c(o)nh2, -c(o)nh-c1-20 알킬, -c(o)n(c1-20 알킬)2, -oc1-20 알킬, -sih3, -sih(c1-20 알킬)2, -sih2(c1-20 알킬) 및 -si(c1-20 알킬)3으로부터 독립적으로 선택된 1-10개의 치환기로 임의로 치환될 수 있고;각각의 c1-40 알킬 기, c2-40 알케닐 기 및 c1-40 할로알킬 기는 임의적인 링커를 통해 이미드 질소 원자에 공유 결합될 수 있고;각각의 1-4개의 시클릭 모이어티는 동일하거나 상이할 수 있고, 서로에 또는 임의적인 링커를 통해 이미드 질소에 공유 결합될 수 있고, 할로겐, 옥소, -cn, no2, oh, =c(cn)2, -nh2, -nh(c1-20 알킬), -n(c1-20 알킬)2, -s(o)2oh, -cho, -c(o)oh, -c(o)-c1-20 알킬, -c(o)-oc1-20 알킬, -c(o)nh2, -c(o)nh-c1-20 알킬, -c(o)n(c1-20 알킬)2, -sih3, -sih(c1-20 알킬)2, -sih2(c1-20 알킬), -si(c1-20 알킬)3, -o-c1-20 알킬, -o-c1-20 알케닐, -o-c1-20 할로알킬, c1-20 알킬 기, c1-20 알케닐 기 및 c1-20 할로알킬 기로부터 독립적으로 선택된 1-5개의 치환기로 임의로 치환될 수 있고;m2는 1개 이상의 모노시클릭 모이어티를 포함하는 반복 단위이고; n은 2 내지 5,000의 정수이고,여기서, m2는 하기로부터 선택되고,상기 식에서,π-2는 1-6개의 re 기로 임의로 치환된 폴리시클릭 모이어티이고;ar은 각 경우에 독립적으로 5- 또는 6-원 아릴 또는 헤테로아릴 기이고, 여기서 각각의 이들 기는 1-6개의 re 기로 임의로 치환되고; 여기서,re는 각 경우에 독립적으로 a) 할로겐, b) -cn, c) -no2, d) 옥소, e) -oh, f) =c(rf)2, g) c1-40 알킬 기, h) c2-40 알케닐 기, i) c2-40 알키닐 기, j) c1-40 알콕시 기, k) c1-40 알킬티오 기, l) c1-40 할로알킬 기, m) -y-c3-10 시클로알킬 기, n) -y-c6-14 아릴 기, o) -y-c6-14 할로아릴 기, p) -y-3-12원 시클로헤테로알킬 기 또는 q) -y-5-14원 헤테로아릴 기이고, 여기서 각각의 c1-40 알킬 기, c2-40 알케닐 기, c2-40 알키닐 기, c3-10 시클로알킬 기, c6-14 아릴 기, c6-14 할로아릴 기, 3-12원 시클로헤테로알킬 기 및 5-14원 헤테로아릴 기는 1-4개의 rf 기로 임의로 치환되고;rf는 각 경우에 독립적으로 a) 할로겐, b) -cn, c) -no2, d) 옥소, e) -oh, f) -nh2, g) -nh(c1-20 알킬), h) -n(c1-20 알킬)2, i) -n(c1-20 알킬)-c6-14 아릴, j) -n(c6-14 아릴)2, k) -s(o)wh, l) -s(o)w-c1-20 알킬, m) -s(o)2oh, n) -s(o)w-oc1-20 알킬, o) -s(o)w-oc6-14 아릴, p) -cho, q) -c(o)-c1-20 알킬, r) -c(o)-c6-14 아릴, s) -c(o)oh, t) -c(o)-oc1-20 알킬, u) -c(o)-oc6-14 아릴, v) -c(o)nh2, w) -c(o)nh-c1-20 알킬, x) -c(o)n(c1-20 알킬)2, y) -c(o)nh-c6-14 아릴, z) -c(o)n(c1-20 알킬)-c6-14 아릴, aa) -c(o)n(c6-14 아릴)2, ab) -c(s)nh2, ac) -c(s)nh-c1-20 알킬, ad) -c(s)n(c1-20 알킬)2, ae) -c(s)n(c6-14 아릴)2, af) -c(s)n(c1-20 알킬)-c6-14 아릴, ag) -c(s)nh-c6-14 아릴, ah) -s(o)wnh2, ai) -s(o)wnh(c1-20 알킬), aj) -s(o)wn(c1-20 알킬)2, ak) -s(o)wnh(c6-14 아릴), al) -s(o)wn(c1-20 알킬)-c6-14 아릴, am) -s(o)wn(c6-14 아릴)2, an) -sih3, ao) -sih(c1-20 알킬)2, ap) -sih2(c1-20 알킬), aq) -si(c1-20 알킬)3, ar) c1-20 알킬 기, as) c2-20 알케닐 기, at) c2-20 알키닐 기, au) c1-20 알콕시 기, av) c1-20 알킬티오 기, aw) c1-20 할로알킬 기, ax) c3-10 시클로알킬 기, ay) c6-14 아릴 기, az) c6-14 할로아릴 기, ba) 3-12원 시클로헤테로알킬 기 또는 bb) 5-14원 헤테로아릴 기이고;y는 각 경우에 독립적으로 2가 c1-6 알킬 기, 2가 c1-6 할로알킬 기 및 공유 결합선택되고;w는 0, 1 또는 2이고;z는 공액 선형 링커이고;m, m' 및 m"는 독립적으로 1, 2, 3 또는 4이다. [청구항10] 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,유기 반도체 물질(122)이 하기 화학식의 중합체로부터 선택되는 것인 방법.상기 식선택되고,상기 식에서, r1은 2-옥틸도데실이고;m2는 하기 화학식의 중합체이고,상기 식에서, m은 2 내지 50개, 바람직하게는 2 내지 20개 또는 2 내지 10개 범위의 반복 단위 수로부터 선택된다. 제1항, 제3항, 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,유기 반도체 물질(122)이 하기 화학식의 중합체로부터 선택되는 것인 방법.상기 식선택되고,상기 식에서, r1은 2-옥틸도데실이고;m2는 하기 화학식의 중합체이고,상기 식에서, m은 2 내지 50개 범위의 수로부터 선택된다. [청구항14] 제13항에 있어서,제1항 내지 제12항 중어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조가능한유기 반도체 장치 (110). 제13항에 있어서,제1항, 제3항, 및 제4항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조가능한유기 반도체 장치 (110). [청구항15] 제13항 또는 제14항에 있어서,내지500 μm, 바람직하게는 5 μm 내지 200 μm의 채널 길이를 갖는, 전극 (114) 사이의 전하 캐리어 수송을 위한 채널포함하는유기 반도체 장치 (110). 제13항에 있어서,내지500 μm의 채널 길이를 갖는, 전극 (114) 사이의 전하 캐리어 수송을 위한 채널포함하는유기 반도체 장치 (110).