초전도막 및 이의 제조 방법

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 면상 결정 결함의 각각은 전류 흐름 방향에서 연속적인 면상 결정결함인초전도막. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 면상 결정 결함의 각각은 불연속적인 면상 결정 결함의 배열인 면상 결정결함인초전도막. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 면상 결정 결함은 상기 기판상에 불규칙적분포되는초전도막. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 면상 결정 결함은 결정 입계, 전위 배열, 상기 초전도체층을 구성하는 원소로 제조된 비결정체, 비초전도체 및 낮은 임계 온도 초전도체 중하나인초전도막. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 나노 그루브는 100nm 이하의 폭과 100nm 이하의 깊이를 가지며 전류 흐름 방향과 수직인 방향에서 인접한 나노 그루브의 평균 중심 대 중심 거리이하인초전도막. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 기판은 페로브스카이트 형태의 결정 구조, 암염(巖鹽) 형태의 결정 구조, 첨정석 형태의 결정 구조, 이티륨 안정화 지르코니아 형태의 구조, 플루오라이트 형태의 결정 구조, 희토류 c 형태의 결정 구조, 파이로클로어 형태의 결정 구조 중 어느 하나의 결정 구조를 갖는 산화물의 기판; 또는 표면에 상기 산화물 또는 붕산화물로 제조된 버퍼층이 형성된 산화물 기판, 질화물 기판, 반도체 기판, 니켈계 합금 기판, 구리계 합금 기판 및 철계 합금 기판으로 이루어진그룹선택되는기판인초전도막. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 초전도체층은 lnba2cu3o7+x, 여기서, ln은 y 원소 및 희토류 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소이고, -0.5 < x < 0.2인 화학식을 가진 구리 산화물계 고온 초전도 재료; (bi1-xpbx)2sr2can-1cuno2n+4+y, 여기서 0 < x < 0.4, -0.5 < y < 0.5 및 n = 1, 2 또는 3인 화학식을 가진 구리 산화물계 고온 초전도 재료; 및 주성분으로 mgb2를 함유하는 초전도 재료로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 초전도 재료형성되는초전도막. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 초전도체층은 복수의 층으로 형성되고 나노 그루브는 상부층을 제외하고 상기 복수의 층의 각각형성되는초전도막. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 면상 결정 결함의 각각은 전류 흐름 방향에서 연속적인 면상 결정결함인초전도막. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,상기 면상 결정 결함의 각각은 불연속적인 면상 결정 결함의 배열인 면상 결정결함인초전도막. [청구항 13] 제 10 항에 있어서,상기 면상 결정 결함은 상기 기판상에 불규칙적분포되는초전도막. [청구항 14] 제 10 항에 있어서,상기 면상 결정 결함은 결정 입계, 전위 배열, 상기 초전도체층을 구성하는 원소로 제조된 비결정체, 비초전도체 및 낮은 임계 온도 초전도체 중하나인초전도막. [청구항 15] 제 10 항에 있어서,상기 나노 그루브는 100nm 이하의 폭과 100nm 이하의 깊이를 가지며 전류 흐름 방향과 수직인 방향에서 인접한 나노 그루브의 평균 중심 대 중심 거리이하인초전도막. [청구항 16] 제 10 항에 있어서,상기 기판은 페로브스카이트 형태의 결정 구조, 암염(巖鹽) 형태의 결정 구조, 첨정석 형태의 결정 구조, 이티륨 안정화 지르코니아 형태의 구조, 플루오라이트 형태의 결정 구조, 희토류 c 형태의 결정 구조, 파이로클로어 형태의 결정 구조 중 어느 하나의 결정 구조를 갖는 산화물의 기판; 또는 표면에 상기 산화물 또는 붕산화물로 제조된 버퍼층이 형성된 산화물 기판, 질화물 기판, 반도체 기판, 니켈계 합금 기판, 구리계 합금 기판 및 철계 합금 기판으로 이루어진그룹선택되는기판인초전도막. [청구항 17] 제 10 항에 있어서,상기 초전도체층은 lnba2cu3o7+x, 여기서, ln은 y 원소 및 희토류 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소이고, -0.5 < x < 0.2인 화학식을 가진 구리 산화물계 고온 초전도 재료; (bi1-xpbx)2sr2can-1cuno2n+4+y, 여기서 0 < x < 0.4, -0.5 < y < 0.5 및 n = 1, 2 또는 3인 화학식을 가진 구리 산화물계 고온 초전도 재료; 및 주성분으로 mgb2를 함유하는 초전도 재료로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 초전도 재료형성되는초전도막. [청구항 18] 제 10 항에 있어서,상기 결함 유도부는 금속, 금속간 화합물, 질화물 또는 산화물형성되는초전도막. [청구항 19] 제 10 항에 있어서,상기 초전도체층은 복수의 층으로 형성되고 나노 그루브는 상부층을 제외하고 상기 복수의 층의 각각형성되는초전도막. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,선상 결정 결함의 상기 열의 각각은 전류 흐름 방향에서 연속적인선상 결정 결함의 열인 초전도막. [청구항 22] 제 20 항에 있어서,선상 결정 결함의 상기 열의 각각은 선상 결정 결함의 불연속적인 열의배열인초전도막. [청구항 23] 제 20 항에 있어서,선상 결정 결함의 상기열은 상기 기판상에 불규칙적분포되는초전도막. [청구항 24] 제 20 항에 있어서,상기 선상 결정 결함은 결정 입계, 전위 배열, 상기 초전도체층을 구성하는 원소로 제조된 비결정체, 비초전도체 및 낮은 임계 온도 초전도체 중하나인초전도막. [청구항 25] 제 20 항에 있어서,상기 나노 홀은 100nm 이하의 지름을 가지며 전류 흐름 방향과 수직인 방향에서 나노 홀의 인접한 열의 평균 중심 대 중심 거리이하인초전도막. [청구항 26] 제 20 항에 있어서,상기 기판은 페로브스카이트 형태의 결정 구조, 암염(巖鹽) 형태의 결정 구조, 첨정석 형태의 결정 구조, 이티륨 안정화 지르코니아 형태의 구조, 플루오라이트 형태의 결정 구조, 희토류 c 형태의 결정 구조, 파이로클로어 형태의 결정 구조 중 어느 하나의 결정 구조를 갖는 산화물의 기판; 또는 표면에 상기 산화물 또는 붕산화물로 제조된 버퍼층이 형성된 산화물 기판, 질화물 기판, 반도체 기판, 니켈계 합금 기판, 구리계 합금 기판 및 철계 합금 기판으로 이루어진그룹선택되는기판인초전도막. [청구항 27] 제 20 항에 있어서,상기 초전도체층은 lnba2cu3o7+x, 여기서, ln은 y 원소 및 희토류 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소이고, -0.5 < x < 0.2인 화학식을 가진 구리 산화물계 고온 초전도 재료; (bi1-xpbx)2sr2can-1cuno2n+4+y, 여기서 0 < x < 0.4, -0.5 < y < 0.5 및 n = 1, 2 또는 3인 화학식을 가진 구리 산화물계 고온 초전도 재료; 및 주성분으로 mgb2를 함유하는 초전도 재료로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 초전도 재료형성되는초전도막. [청구항 28] 제 20 항에 있어서,상기 초전도체층은 복수의 층으로 형성되고 나노 홀의 열은 상부층을 제외하고 상기 복수의 층의 각각형성되는초전도막. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,선상 결정 결함의 상기 열의 각각은 전류 흐름 방향에서 연속적인선상 결정 결함의 열인 초전도막. [청구항 31] 제 29 항에 있어서,선상 결정 결함의 열의 각각은 선상 결정 결함의 불연속적인 열의배열인초전도막. [청구항 32] 제 29 항에 있어서,선상 결정 결함의 상기열은 상기 기판상에 불규칙적분포되는초전도막. [청구항 33] 제 29 항에 있어서,상기 선상 결정 결함은 결정 입계, 전위 배열, 상기 초전도체층을 구성하는 원소로 제조된 비결정체, 비초전도체 및 낮은 임계 온도 초전도체 중하나인초전도막. [청구항 34] 제 29 항에 있어서,상기 나노 홀은 100nm 이하의 지름을 가지며 전류 흐름 방향과 수직인 방향에서 나노 홀의 인접한 열의 평균 중심 대 중심 거리이하인초전도막. [청구항 35] 제 29 항에 있어서,상기 기판은 페로브스카이트 형태의 결정 구조, 암염(巖鹽) 형태의 결정 구조, 첨정석 형태의 결정 구조, 이티륨 안정화 지르코니아 형태의 구조, 플루오라이트 형태의 결정 구조, 희토류 c 형태의 결정 구조, 파이로클로어 형태의 결정 구조 중 어느 하나의 결정 구조를 갖는 산화물의 기판; 또는 표면에 상기 산화물 또는 붕산화물로 제조된 버퍼층이 형성된 산화물 기판, 질화물 기판, 반도체 기판, 니켈계 합금 기판, 구리계 합금 기판 및 철계 합금 기판으로 이루어진그룹선택되는기판인초전도막. [청구항 36] 제 29 항에 있어서,상기 초전도체층은 lnba2cu3o7+x, 여기서, ln은 y 원소 및 희토류 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소이고, -0.5 < x < 0.2인 화학식을 가진 구리 산화물계 고온 초전도 재료; (bi1-xpbx)2sr2can-1cuno2n+4+y, 여기서 0 < x < 0.4, -0.5 < y < 0.5 및 n = 1, 2 또는 3인 화학식을 가진 구리 산화물계 고온 초전도 재료; 및 주성분으로 mgb2를 함유하는 초전도 재료로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 초전도 재료형성되는초전도막. [청구항 37] 제 29 항에 있어서,상기 결함 유도부는 금속, 금속간 화합물, 질화물 또는 산화물 중 어느 하나형성되는초전도막. [청구항 38] 제 29 항에 있어서,상기 초전도체층은 복수의 층으로 형성되고 나노 홀의 열은 상부층을 제외하고 상기 복수의 층의 각각형성되는초전도막.