다이내믹형반도체기억장치

[청구항 2] 제1항에 있어서,메모리셀은 mos트랜지스터와 종형 캐패시터로 이루어진종형캐패시터셀인것을특징으로 하는다이내믹형 반도체기억장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,메모리셀중 제1메모리 셀영역내의 메모리셀에 결합되는 각 워드선은 제1메모리 셀영역을 가로지르도록 형성록 형성된 제1도전층과, 제2메모리셀 영역을 가로지르도록 형성되는 동시에 상기 제1도전층에 결합되는 제2도전층으로 구성된 것이고, 상기 제2메모리셀 영역에 형성되어진 메모리셀에 결합되는 각 워드선은 제1도전층의 상측에 실질적으로 형행하게 형성되며 상기 제3도전층에 결합되는제4도전층구성되는것을특징으로 하는다이내믹형 반도체 기억장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,제4도전층은 실질적으로 동일한 평면상에 형성되는금속층인것을특징으로 하는다이내믹형 반도체기억장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,메모리셀은 인접한 2본의 비트선간에 걸쳐있는 분리영역에 형성되어진 도랑내에 전극의 일부가 형성된 캐패시터와, 이 캐패시터에 결합된 mos트랜지스터를 포함하고 있는주름형캐패시터셀구성된것을특징으로 하는다이내믹형 반도체 기억장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,메모리셀에 관한 제1, 제2 메모리셀 영역간에는 비트선과 평행하게 연장되고 또한 제1, 제2메모리셀 영역내에 형성된 도랑보다는 폭이 더 넓은1개의도랑형성되어있는것을특징으로 하는다이내믹형 반도체 기억장치. [청구항 7] 제5항에 있어서,메모리셀에 관한 제1, 제2 메모리셀 영역간에는 비트선과 실질적으로 평행하게 연장되어 있는복수의도량형성되어있는것을특징으로 하는다이내믹형 반도체 기억장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,메모리셀이도량형메모리셀구성된것을특징으로 하는다이내믹형 반도체 기억장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,감지증폭기가 비트선이 연장되어 있는 방향과 평행한방향배치된것을특징으로 하는다이내믹형 반도체 기억장치. [청구항 11] 제 10항에 있어서,메모리셀은 mos트랜지스터와 종형 캐패시터로 이루어진종형캐패시터셀인것을특징으로하는다이내믹형 반도체기억장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,메모리셀중 제1메모리셀영역내의 메모리셀에 결합되는 각 워드선은 제1메모리셀영역을 가로지르도록 형성된 제1도전층과, 제2메모리셀 영역을 가로지르도록 형성되는 동시에 상기 제1도전층에 결합되는 제2도전층으로 구성된 것이고, 상기 제2메모리셀 영역에 형성되어진 메모리셀에 결합되는 각 워드선은 제1도전층의 상측에 실질적으로 평행하게 형성되는 제3도전층과, 제2도전층의 하측에 실질적으로 평행하게 형성되며 상기 제3도전층에 결합되는제4도전층구성되는것을특징으로 하는다이내믹형 반도체기억장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,제4도전층은 실질적으로 동일한 평면상에 형성되고, 제2,제3도전층도 실질적으로 동일한 평면상에 형성되는금속층인것을특징으로 하는다이내믹형 반도체기억장치. [청구항 14] 제10항에 있어서,메로로리셀은 인접한 2본의 비트선간에 걸쳐있는 분리영역에 형성되어진 도랑내에 전극의 일부가 형성된 캐패시터와, 이 캐패시터에 결합된 mos트랜지스터를 포함하고 있는주름형캐패시터셀구성된것을특징으로 하는다이내믹형. [청구항 15] 제14항에 있어서 각 메모리셀에 관한 제1, 제2메모리셀 영역간에는 비트선과 평행하게 연장되고, 또한 제1, 제2메모리셀 영역내에 형성된 도랑보다도 폭이 더 넓은1개의도랑형성되어있는것을특징으로 하는다이내믹형 반도체기억장치. [청구항 16] 제14항에 있어서 각 메모리셀에 관한 제1, 제2메모리셀 영역간에는 비트선과 실질적으로 평행하게 연장되어 있는복수의도랑형성되어있는것을특징으로 하는다이내믹형 반도체기억장치.