반도체장치 및 그 제조방법

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 소스전극은, 상기 반도체 기판의 상기 제1 및 제2주면상형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 6] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 용량 조정용 전극은,복수전극으로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 복수의 전극으로 이루어진 상기 용량 조정용 전극의 적어도 1개 이상의 상기 전극은, 상기 게이트전극에전기적접속되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 복수의 전극으로 이루어진 상기 용량 조정용 전극의 적어도 1개 이상의 상기 전극은, 상기 드레인전극에전기적접속되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 9] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 용량 조정용 전극은 복수의 제1전극과 복수의 제2전극을 갖추고, 적어도 1개 이상의 상기 제1전극은 상기 게이트전극에 전기적으로 접속되고, 적어도 1개 이상의 상기 제2전극은 상기 드레인전극에전기적접속되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 10] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 용량 조정용 전극과 상기 게이트전극은, 동일한 도전막을 패터닝하여형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 11] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 용량 조정용 전극의 아래쪽의 상기 반도체 기판 내에는,제1도전형의불순물 확산영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 12] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 용량 조정용 전극과, 상기 게이트 절연막, 상기 소스층으로 이루어진제1캐패시터소자형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 13] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 용량 조정용 전극과, 상기 게이트 절연막, 상기 드레인층으로 이루어진제2캐패시터소자형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 24] 제1항에 있어서,상기 제1분리부가 상기 게이트전극을 제1게이트부와 제2게이트부로 분리하는 제1홈이고,상기 제1게이트부가 상기 게이트층과 전기적으로 접속되고, 상기 제2게이트부가 상기 게이트층과 전기적으로 절연되며,상기 제2분리부가 상기 드레인전극을 상기 제1드레인부와 상기 제2드레인부로 분리하는 제2홈이고,상기 제1드레인부가 상기 드레인층과 전기적으로 접속되고, 상기 제2드레인부가 상기 드레인층과전기적절연되는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 제1분리부가 상기 게이트전극을 제1게이트부와 제2게이트부로 분리하는 제1홈이고,상기 제1게이트부가 상기 게이트층과 전기적으로 접속되고, 상기 제2게이트부가상기게이트층과전기적절연되는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 27] 제25항에 있어서,상기 제1용량 조정용 전극과 상기 게이트 절연막 및 상기 소스층으로 이루어진제1캐패시터소자형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 29] 제28항에 있어서,상기 제2분리부가 상기 드레인전극을 상기 제1드레인부와 상기 제2드레인부로 분리하는 제2홈이고,상기 제1드레인부가 상기 드레인층과 전기적으로 접속되고, 상기 제2드레인부가 상기 드레인층과전기적절연되는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 30] 제28항에 있어서,상기 제2용량 조정용 전극과 상기 게이트절연막 및 상기 드레인층으로 이루어진제2캐패시터소자형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치.